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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBF20STRLPBF
  仓库库存编号：IRFBF20STRLPBFCT-ND
  别名：IRFBF20STRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-220
  
  型号：TK16E60W,S1VX
  仓库库存编号：TK16E60WS1VX-ND
  别名：TK16E60W,S1VX(S
  TK16E60WS1VX
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ22N60P3
  仓库库存编号：IXFQ22N60P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） I2PAK
  
  型号：TK16C60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK16C60WS1VQ-ND
  别名：TK16C60W,S1VQ(S
  TK16C60WS1VQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-247
  
  型号：TK16N60W,S1VF
  仓库库存编号：TK16N60WS1VF-ND
  别名：TK16N60W,S1VF(S
  TK16N60WS1VF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-3P（N）
  
  型号：TK16J60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK16J60WS1VQ-ND
  别名：TK16J60W,S1VQ(O
  TK16J60WS1VQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 9.2A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF9358TRPBF
  仓库库存编号：IRF9358TRPBFCT-ND
  别名：IRF9358TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF840APBF
  仓库库存编号：IRF840APBF-ND
  别名：*IRF840APBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 22A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 500W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH22N60P3
  仓库库存编号：IXFH22N60P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF840ASTRLPBF
  仓库库存编号：IRF840ASTRLPBFCT-ND
  别名：IRF840ASTRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 144W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB5620PBF
  仓库库存编号：IRFB5620PBF-ND
  别名：SP001565852
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 1.2A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFIBF20GPBF
  仓库库存编号：IRFIBF20GPBF-ND
  别名：*IRFIBF20GPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 125V 60A SO8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR696DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR696DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR696DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35.4A（Tc） 104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR610DP-T1-RE3
  仓库库存编号：SIR610DP-T1-RE3CT-ND
  别名：SIR610DP-T1-RE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 9A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta），50A（Tc） 2.5W（Ta），71W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD425
  仓库库存编号：785-1352-1-ND
  别名：785-1352-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 40W（Tc） DPAK
  
  型号：SVD5806NT4G
  仓库库存编号：SVD5806NT4G-ND
  别名：NVD5806NT4G
  NVD5806NT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 53W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQ7415AENW-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ7415AENW-T1_GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 80V 10.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Ta），46A（Tc） 2.5W（Ta），100W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD2810
  仓库库存编号：AOD2810-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8.1A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF634B_FP001
  仓库库存编号：IRF634B_FP001-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 10.5A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 10.5A（Tc） 66W（Tc） TO-220-3
  
  型号：SFP9530
  仓库库存编号：SFP9530-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.9A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4894BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4894BDY-T1-E3TR-ND
  别名：SI4894BDY-T1-E3TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 100V 15A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 15A（Ta），50A（Tc） 6.25W（Ta），83W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
  
  型号：AON7290
  仓库库存编号：AON7290-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 46W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ840EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ840EP-T1_GE3-ND
  别名：SQJ840EP-T1-GE3
  SQJ840EP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 80V 10.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 10.5A（Ta），46A（Tc） 2.1W（Ta），93.5W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT288L
  仓库库存编号：AOT288L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 80V 10.5A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 10.5A（Ta），43A（Tc） 2.1W（Ta），35.5W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF288L
  仓库库存编号：AOTF288L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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