规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 9.4A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 9.4A（Tc） 120W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP9P25
仓库库存编号：
FQP9P25FS-ND
别名：FQP9P25-ND
FQP9P25FS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 6A TO-220F
详细描述：通孔 P 沟道 6A（Tc） 50W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF9P25
仓库库存编号：
FQPF9P25FS-ND
别名：FQPF9P25-ND
FQPF9P25FS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 7.7A（Tc） 42W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9530GPBF
仓库库存编号：
IRFI9530GPBF-ND
别名：*IRFI9530GPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100A（Ta） 214W（Tc） TO-220-3
型号：
CSD19531KCS
仓库库存编号：
296-37480-5-ND
别名：296-37480-5
CSD19531KCS-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 1.8A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBE20PBF
仓库库存编号：
IRFBE20PBF-ND
别名：*IRFBE20PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 75A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 103W（Tc） TO-220
型号：
TK34E10N1,S1X
仓库库存编号：
TK34E10N1S1X-ND
别名：TK34E10N1,S1X(S
TK34E10N1S1X
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） D2PAK
型号：
IRFBF20SPBF
仓库库存编号：
IRFBF20SPBF-ND
别名：*IRFBF20SPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 3.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI830GPBF
仓库库存编号：
IRFI830GPBF-ND
别名：*IRFI830GPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 250V 10.5A TO-3P
详细描述：通孔 P 沟道 10.5A（Tc） 150W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA9P25
仓库库存编号：
FQA9P25FS-ND
别名：FQA9P25-ND
FQA9P25FS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） I2PAK
型号：
IRFBF20LPBF
仓库库存编号：
IRFBF20LPBF-ND
别名：*IRFBF20LPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 4.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI9634GPBF
仓库库存编号：
IRFI9634GPBF-ND
别名：*IRFI9634GPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 500W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP22N60P3
仓库库存编号：
IXFP22N60P3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU13N20DPBF
仓库库存编号：
IRFU13N20DPBF-ND
别名：*IRFU13N20DPBF
SP001573640
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 100V 34A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 35W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK34A10N1,S4X
仓库库存编号：
TK34A10N1S4X-ND
别名：TK34A10N1,S4X(S
TK34A10N1,S4X-ND
TK34A10N1S4X
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta），80A（Tc） 3W（Ta），107W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP040N06NAKSA1
仓库库存编号：
IPP040N06NAKSA1-ND
别名：IPP040N06N
IPP040N06N-ND
SP000959820
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 144W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4620PBF
仓库库存编号：
IRFB4620PBF-ND
别名：SP001563998
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIBE20GPBF
仓库库存编号：
IRFIBE20GPBF-ND
别名：*IRFIBE20GPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 74W（Tc）
型号：
IRF830STRLPBF
仓库库存编号：
IRF830STRLPBFCT-ND
别名：IRF830STRLPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRF730SPBF
仓库库存编号：
IRF730SPBF-ND
别名：*IRF730SPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 3.1W（Ta），125W（Tc） I2PAK
型号：
IRF840ALPBF
仓库库存编号：
IRF840ALPBF-ND
别名：*IRF840ALPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 390W（Tc） TO-220
型号：
IXFP22N65X2
仓库库存编号：
IXFP22N65X2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 22A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 390W（Tc） TO-247
型号：
IXFH22N65X2
仓库库存编号：
IXFH22N65X2-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP042N03LGXKSA1
仓库库存编号：
IPP042N03LGXKSA1-ND
别名：IPP042N03L G
IPP042N03LG
IPP042N03LGIN
IPP042N03LGIN-ND
IPP042N03LGXK
SP000680792
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 120V 15A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 15A（Tc） 100W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP15P12
仓库库存编号：
FQP15P12-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF7N60
仓库库存编号：
FQPF7N60-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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