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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 49A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7626-100B,118
  仓库库存编号：1727-4705-1-ND
  别名：1727-4705-1
  568-5855-1
  568-5855-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB30NF20
  仓库库存编号：497-7946-1-ND
  别名：497-7946-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 22A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 390W（Tc） TO-263
  
  型号：IXFA22N65X2
  仓库库存编号：IXFA22N65X2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.2A（Tc） 4.2W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4447ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4447ADY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4447ADY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Tc） 2.5W（Ta），4.2W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4431CDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4431CDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4431CDY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.7A（Ta） 1.56W（Ta） SOT-223
  
  型号：NVF5P03T3G
  仓库库存编号：NVF5P03T3GOSCT-ND
  别名：NVF5P03T3GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 53W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SQ7415AEN-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ7415AEN-T1_GE3TR-ND
  别名：SQ7415AEN-T1-GE3
  SQ7415AEN-T1-GE3TR
  SQ7415AEN-T1-GE3TR-ND
  SQ7415AEN-T1_GE3TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.9A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4894BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4894BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4894BDY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：DI9430T
  仓库库存编号：DI9430CT-ND
  别名：DI9430
  DI9430CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：DI9430T
  仓库库存编号：981-DI9430T-CHP
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
• 含铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJ912AEP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ912AEP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ912AEP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Ta） 700mW（Ta），27W（Tc） 8-TSON
  
  型号：TPCC8103(TE12L,QM)
  仓库库存编号：TPCC8103(TE12LQM)CT-ND
  别名：TPCC8103(TE12LQM)CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Tc） 3.13W（Ta），142W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB7N60TM
  仓库库存编号：FQB7N60TMCT-ND
  别名：FQB7N60TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 6A
  详细描述：通孔 P 沟道 6A（Tc） 50W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FQPF9P25YDTU
  仓库库存编号：FQPF9P25YDTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF9530STRLPBF
  仓库库存编号：IRF9530STRLPBFCT-ND
  别名：IRF9530STRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7.4A（Tc） 3.13W（Ta），142W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI7N60TU
  仓库库存编号：FQI7N60TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 31W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF400N60
  仓库库存编号：FCPF400N60FS-ND
  别名：FCPF400N60-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc）
  
  型号：IRF840ASTRRPBF
  仓库库存编号：IRF840ASTRRPBFCT-ND
  别名：IRF840ASTRRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 15.8A（Ta） 40W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK16A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK16A60WS4VX-ND
  别名：TK16A60W,S4VX(M
  TK16A60WS4VX
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15.8A（Ta） 130W（Tc） D2PAK
  
  型号：TK16G60W,RVQ
  仓库库存编号：TK16G60WRVQCT-ND
  别名：TK16G60WRVQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9333TRPBF
  仓库库存编号：IRF9333TRPBFCT-ND
  别名：IRF9333TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 70A（Tc） 79W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB042N03L G
  仓库库存编号：IPB042N03LGINCT-ND
  别名：IPB042N03LGINCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7815TRPBF
  仓库库存编号：IRF7815TRPBFCT-ND
  别名：IRF7815TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 144W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR4620TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR4620TRLPBFCT-ND
  别名：IRFR4620TRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AUIRF7342QTR
  仓库库存编号：AUIRF7342QCT-ND
  别名：AUIRF7342QCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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