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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 144W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4620PBF
仓库库存编号:
IRFSL4620PBF-ND
别名:SP001567964
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 144W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL5620PBF
仓库库存编号:
IRFSL5620PBF-ND
别名:SP001552384
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 24A(Tc) 144W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU4620PBF
仓库库存编号:
IRFU4620PBF-ND
别名:SP001573610
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 24A(Tc) 144W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS5620TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS5620TRLPBFCT-ND
别名:IRFS5620TRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 24A(Tc) 144W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFR4620
仓库库存编号:
AUIRFR4620-ND
别名:SP001518124
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 55V 3.4A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7342D2TRPBF
仓库库存编号:
IRF7342D2TRPBFCT-ND
别名:IRF7342D2TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 90A(Tc) 79W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS040N03LGAKMA1
仓库库存编号:
IPS040N03LGAKMA1-ND
别名:SP000810846
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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