规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.7A（Ta） 1.56W（Ta） SOT-223
型号：
NTF5P03T3G
仓库库存编号：
NTF5P03T3GOSCT-ND
别名：NTF5P03T3GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.9A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS2572
仓库库存编号：
FDS2572CT-ND
别名：FDS2572CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 30A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
型号：
STP30NF20
仓库库存编号：
497-5825-5-ND
别名：497-5825-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS6670AS
仓库库存编号：
FDS6670ASFSCT-ND
别名：FDS6670ASFSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 106W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN4R0-40YS,115
仓库库存编号：
1727-4273-1-ND
别名：1727-4273-1
568-4905-1
568-4905-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 55V 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7342TRPBF
仓库库存编号：
IRF7342PBFCT-ND
别名：*IRF7342TRPBF
IRF7342PBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR13N20DTRPBF
仓库库存编号：
IRFR13N20DPBFCT-ND
别名：*IRFR13N20DTRPBF
IRFR13N20DPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC070N10NS5ATMA1
仓库库存编号：
BSC070N10NS5ATMA1CT-ND
别名：BSC070N10NS5ATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF830PBF
仓库库存编号：
IRF830PBF-ND
别名：*IRF830PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 144W（Tc） D2PAK
型号：
IRFS4620TRLPBF
仓库库存编号：
IRFS4620TRLPBFCT-ND
别名：IRFS4620TRLPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF730PBF
仓库库存编号：
IRF730PBF-ND
别名：*IRF730PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBG20PBF
仓库库存编号：
IRFBG20PBF-ND
别名：*IRFBG20PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 12A（Tc） 88W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9530PBF
仓库库存编号：
IRF9530PBF-ND
别名：*IRF9530PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 9.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9393TRPBF
仓库库存编号：
IRF9393TRPBFCT-ND
别名：IRF9393TRPBFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 79W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD040N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPD040N03LGATMA1CT-ND
别名：IPD040N03LGINCT
IPD040N03LGINCT-ND
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 80V 20A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），50A（Tc） 6.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN-EP（3.3x3.3）
型号：
AON7280
仓库库存编号：
785-1614-1-ND
别名：785-1614-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 120V 15A TO-220F
详细描述：通孔 P 沟道 15A（Tc） 41W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF15P12
仓库库存编号：
FQPF15P12-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 1.7A（Tc） 54W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFBF20PBF
仓库库存编号：
IRFBF20PBF-ND
别名：*IRFBF20PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 850V 19A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 250W（Tc） TO-247
型号：
STW23N85K5
仓库库存编号：
497-14581-5-ND
别名：497-14581-5
STW23N85K5-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Ta） 60W（Tc） DP
型号：
TK50P04M1(T6RSS-Q)
仓库库存编号：
TK50P04M1(T6RSSQ)CT-ND
别名：TK50P04M1(T6RSSQ)CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 60V 28A 8-SOP ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta） 1.6W（Ta），57W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH5R906NH,L1Q
仓库库存编号：
TPH5R906NHL1QCT-ND
别名：TPH5R906NHL1QCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 3.7A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI730GPBF
仓库库存编号：
IRFI730GPBF-ND
别名：*IRFI730GPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 34.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA84DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA84DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA84DP-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 6A CHIPFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6A（Tc） 5.7W（Tc） 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5457DC-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5457DC-T1-GE3CT-ND
别名：SI5457DC-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9A（Tc） 4.2W（Tc） 8-SO
型号：
SI4431CDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4431CDY-T1-E3CT-ND
别名：SI4431CDY-T1-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 38nC @ 10V,
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