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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 27A SOP-8 ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta) 1.6W(Ta),45W(Tc) 8-SOP Advance(5x5)
型号:
TPCA8005-H(TE12LQM
仓库库存编号:
TPCA8005-H(TE12LQM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 4.3A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5435BDC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5435BDC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5435BDC-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 16.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 16.4A(Ta),30A(Tc) 3.7W(Ta),32.6W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6780A
仓库库存编号:
FDD6780ACT-ND
别名:FDD6780ACT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5N50CTM_F080
仓库库存编号:
FQD5N50CTM_F080-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD
详细描述:表面贴装 P 沟道 250V 2A(Ta) 20W(Ta) PW-MOLD
型号:
2SJ610(TE16L1,NQ)
仓库库存编号:
2SJ610(TE16L1,NQ)-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 54A SGL DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10.3A(Ta),54A(Tc) DPAK
型号:
NTD4906NAT4G
仓库库存编号:
NTD4906NAT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.3A SGL IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 10.3A(Ta),54A(Tc) 1.38W(Ta),37.5W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4906N-35G
仓库库存编号:
NTD4906N-35GOS-ND
别名:NTD4906N-35G-ND
NTD4906N-35GOS
NTD4906N35G
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 54A SGL IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 10.3A(Ta),54A(Tc) 1.38W(Ta),37.5W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4906N-1G
仓库库存编号:
NTD4906N-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 54A SGL IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 10.3A(Ta),54A(Tc) I-Pak
型号:
NTD4906NA-35G
仓库库存编号:
NTD4906NA-35G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 79A(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH6030AL,115
仓库库存编号:
PH6030AL,115-ND
别名:934063089115
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V QFN3333
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 40A(Tc) 55W(Tc) 8-DFN3333(3.3x3.3)
型号:
PSMN5R8-30LL,115
仓库库存编号:
568-5593-1-ND
别名:568-5593-1
PSMN5R830LL115
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 13A SO-8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 14A(Ta),75A(Tc) 3.6W(Ta),107W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5834NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5834NLT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 13.5A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 30V 13.5A(Ta),36A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-251A
型号:
AOI418
仓库库存编号:
AOI418-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 10.3A SGL DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 10.3A(Ta),54A(Tc) 1.38W(Ta),37.5W(Tc) DPAK
型号:
NTD4906NT4G
仓库库存编号:
NTD4906NT4GOSCT-ND
别名:NTD4906NT4GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 14A/11A 14SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 14A, 11A 1.3W, 1.1W Surface Mount 14-SO
型号:
FDQ7238AS
仓库库存编号:
FDQ7238ASFSCT-ND
别名:FDQ7238ASFSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 24V 10A ECH8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 24V 10A 1.5W Surface Mount 8-ECH
型号:
ECH8651R-TL-HX
仓库库存编号:
ECH8651R-TL-HX-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 22A/40A 8DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 22A, 40A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号:
AON6936
仓库库存编号:
785-1500-1-ND
别名:785-1500-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 17A/33A 8DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 17A, 33A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号:
AON6938
仓库库存编号:
785-1501-1-ND
别名:785-1501-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 13.5A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13.5A(Ta),20A(Tc) 3.1W(Ta),23W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7702B
仓库库存编号:
785-1507-1-ND
别名:785-1507-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
BUK758R3-40E,127
仓库库存编号:
1727-7239-ND
别名:1727-7239
568-9846-5
568-9846-5-ND
934066425127
BUK758R340E127
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 17A/30A 8DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 17A, 30A 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号:
AON6928
仓库库存编号:
AON6928-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 12.9A(Tc) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB40SNA,115
仓库库存编号:
568-10446-1-ND
别名:568-10446-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8.5A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
GP1M009A050FSH
仓库库存编号:
GP1M009A050FSH-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Global Power Technologies Group
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8.5A(Tc) 127W(Tc) TO-220
型号:
GP1M009A050HS
仓库库存编号:
GP1M009A050HS-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 10.5A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SO
型号:
AO4435_102
仓库库存编号:
AO4435_102-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 24nC @ 10V,
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