规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号：
NVMFD5853NT1G
仓库库存编号：
NVMFD5853NT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号：
NVMFD5853NWFT1G
仓库库存编号：
NVMFD5853NWFT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 500V 5A（Tc） 110W（Tc） TO-251AA
型号：
IRFU430APBF
仓库库存编号：
IRFU430APBF-ND
别名：*IRFU430APBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 500V 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） I2PAK
型号：
IRF820LPBF
仓库库存编号：
IRF820LPBF-ND
别名：*IRF820LPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 7A TO251A
详细描述：通孔 N 沟道 650V 7A（Tc） 178W（Tc） TO-251A
型号：
AOI7N65
仓库库存编号：
785-1453-5-ND
别名：785-1453-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF820STRLPBF
仓库库存编号：
IRF820STRLPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRF820STRRPBF
仓库库存编号：
IRF820STRRPBF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK9A60D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK9A60D(STA4QM)-ND
别名：TK9A60D(STA4QM)
TK9A60DSTA4QM
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK11A50D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK11A50D(STA4QM)-ND
别名：TK11A50D(STA4QM)
TK11A50DSTA4QM
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 7A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK7A65D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK7A65D(STA4QM)-ND
别名：TK7A65D(STA4QM)
TK7A65DSTA4QM
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 450V 12A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK12A45D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK12A45D(STA4QM)-ND
别名：TK12A45D(STA4QM)
TK12A45DSTA4QM
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
型号：
TK10A55D(STA4,Q,M)
仓库库存编号：
TK10A55D(STA4QM)-ND
别名：TK10A55D(STA4QM)
TK10A55DSTA4QM
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF830A
仓库库存编号：
IRF830A-ND
别名：*IRF830A
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 11A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 29W（Tc） TO-220-3F
型号：
IPA80R450P7XKSA1
仓库库存编号：
IPA80R450P7XKSA1-ND
别名：SP001422558
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPAN80R450P7XKSA1
仓库库存编号：
IPAN80R450P7XKSA1-ND
别名：SP001632932
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 2.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI820G
仓库库存编号：
IRFI820G-ND
别名：*IRFI820G
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
型号：
IXFP3N80
仓库库存编号：
IXFP3N80-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 100W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA3N80
仓库库存编号：
IXFA3N80-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD60R180C7ATMA1
仓库库存编号：
IPD60R180C7ATMA1-ND
别名：SP001277630
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 13A（Tc） 77W（Tc） PG-VSON-4
型号：
IPL60R185C7AUMA1
仓库库存编号：
IPL60R185C7AUMA1-ND
别名：SP001296238
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB60R180C7ATMA1
仓库库存编号：
IPB60R180C7ATMA1-ND
别名：SP001296224
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 600V 9A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA60R180C7XKSA1
仓库库存编号：
IPA60R180C7XKSA1-ND
别名：SP001296216
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 400V 5.5A（Tc） 100W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF730
仓库库存编号：
497-2736-5-ND
别名：497-2736-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 50A（Tc） 60W（Tc） D-Pak
型号：
STD50NH02LT4
仓库库存编号：
497-2472-1-ND
别名：497-2472-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 24V 38A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 38A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
型号：
STD38NH02LT4
仓库库存编号：
497-3160-1-ND
别名：497-3160-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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