规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 11A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 73W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP80R450P7XKSA1
仓库库存编号：
IPP80R450P7XKSA1-ND
别名：SP001422730
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.8A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SI7942DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7942DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7942DP-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3
详细描述：表面贴装 N 沟道 17.5A（Ta） 20W（Tc） CPT3
型号：
RSD175N10TL
仓库库存编号：
RSD175N10TLCT-ND
别名：RSD175N10TLCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） I2PAK
型号：
IRF830ALPBF
仓库库存编号：
IRF830ALPBF-ND
别名：*IRF830ALPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 96W（Tc） D2PAK
型号：
BUK768R1-40E,118
仓库库存编号：
1727-7257-1-ND
别名：1727-7257-1
568-9886-1
568-9886-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 15A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
型号：
STP19NF20
仓库库存编号：
497-7514-5-ND
别名：497-7514-5
STP19NF20-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
DUAL N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C M
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 63A (Tc) 71W Surface Mount PowerPAK? 8 x 8 Dual
型号：
SQJQ960EL-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJQ960EL-T1_GE3CT-ND
别名：SQJQ960EL-T1_GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 44.6W（Tc） ITO-220S
型号：
TSM7NC60CF C0G
仓库库存编号：
TSM7NC60CF C0G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 44.6W（Tc） ITO-220S
型号：
TSM7NC65CF C0G
仓库库存编号：
TSM7NC65CF C0G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 200V 15A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 90W（Tc） DPAK
型号：
STD19NF20
仓库库存编号：
STD19NF20-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 11A DFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），50A（Tc） 1.9W（Ta），31W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6520
仓库库存编号：
785-1577-1-ND
别名：785-1577-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 13.5A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta），36A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD418
仓库库存编号：
AOD418-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 700mW（Ta），19W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN6R303NC,LQ
仓库库存编号：
TPN6R303NCLQCT-ND
别名：TPN6R303NCLQCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO251A
详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 178W（Tc） TO-251A
型号：
AOI7N60
仓库库存编号：
785-1452-5-ND
别名：785-1452-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 9A TO251A
详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 178W（Tc） TO-251A
型号：
AOI9N50
仓库库存编号：
785-1455-5-ND
别名：785-1455-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 3.3A DFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Ta），12A（Tc） 2W（Ta），25W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6484
仓库库存编号：
AON6484-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 7A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 178W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD7N60
仓库库存编号：
785-1483-1-ND
别名：785-1483-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 30V 11A/12A 8DFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 11A, 12A 1.9W, 2.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号：
AON6926
仓库库存编号：
785-1580-2-ND
别名：AON6926-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 75A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），75A（Tc） 3.6W（Ta），107W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5834NLT3G
仓库库存编号：
NVMFS5834NLT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.7A（Tc） 88W（Tc） DPAK
型号：
PHD9NQ20T,118
仓库库存编号：
PHD9NQ20T,118-ND
别名：934055766118
PHD9NQ20T /T3
PHD9NQ20T /T3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 75A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），75A（Tc） 3.6W（Ta），107W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5834NLWFT3G
仓库库存编号：
NVMFS5834NLWFT3G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 75A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），75A（Tc） 3.6W（Ta），107W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5834NLT1G
仓库库存编号：
NVMFS5834NLT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 75A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），75A（Tc） 3.6W（Ta），107W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NVMFS5834NLWFT1G
仓库库存编号：
NVMFS5834NLWFT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.1A, 5.3A 450mW Surface Mount 8-SOP
型号：
TPC8408,LQ(S
仓库库存编号：
TPC8408LQ(S-ND
别名：TPC8408LQ(S
TPC8408LQS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 23A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 23A（Tc） 37W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
SQD23N06-31L_GE3
仓库库存编号：
SQD23N06-31L_GE3-ND
别名：SQD23N06-31L-GE3
SQD23N06-31L-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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