以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 10A 500mW Surface Mount 6-WLCSP (1.3x2.3)
  
  型号：FDZ1323NZ
  仓库库存编号：FDZ1323NZCT-ND
  别名：FDZ1323NZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 18A 8PSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 3W（Ta） 8-PSOP
  
  型号：RMW180N03TB
  仓库库存编号：RMW180N03TBCT-ND
  别名：RMW180N03TBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 11A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 73W（Tc） TO-252
  
  型号：IPD80R450P7ATMA1
  仓库库存编号：IPD80R450P7ATMA1CT-ND
  别名：IPD80R450P7ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 4A
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU5N50CTU_WS
  仓库库存编号：FQU5N50CTU_WS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 150V 2.7A 8MLP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Ta），9A（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3），Power33
  
  型号：FDMC86261P
  仓库库存编号：FDMC86261PCT-ND
  别名：FDMC86261PCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 110W（Tc）
  
  型号：IRFR430ATRPBF
  仓库库存编号：IRFR430ATRPBFCT-ND
  别名：IRFR430ATRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 15A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 90W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB19NF20
  仓库库存编号：497-7941-1-ND
  别名：497-7941-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 25A 1W, 1.1W Surface Mount Power Clip 56
  
  型号：FDPC5030SG
  仓库库存编号：FDPC5030SGCT-ND
  别名：FDPC5030SGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 7A 1W Surface Mount 12-Power3.3x5
  
  型号：FDMD82100L
  仓库库存编号：FDMD82100LCT-ND
  别名：FDMD82100LCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.8A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7942DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7942DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7942DP-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 32A 1W, 1.1W Surface Mount Power Clip 56
  
  型号：FDPC5018SG
  仓库库存编号：FDPC5018SGCT-ND
  别名：FDPC5018SGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 79A（Tc） 55W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN6R0-30YL,115
  仓库库存编号：1727-4169-1-ND
  别名：1727-4169-1
  568-4685-1
  568-4685-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD26N06S2L35ATMA2
  仓库库存编号：IPD26N06S2L35ATMA2CT-ND
  别名：IPD26N06S2L35ATMA2CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD33CN10NGATMA1
  仓库库存编号：IPD33CN10NGATMA1CT-ND
  别名：IPD33CN10NGATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），40A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ0902NSI
  仓库库存编号：BSZ0902NSICT-ND
  别名：BSZ0902NSICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 2.5A（Tc） 50W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF820PBF
  仓库库存编号：IRF820PBF-ND
  别名：*IRF820PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF19NF20
  仓库库存编号：497-7472-5-ND
  别名：497-7472-5
  STF19NF20-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Ta），100A（Tc） 107W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD18534KCS
  仓库库存编号：296-35012-ND
  别名：296-35012
  CSD18534KCS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 
  
  库存产品核实请求
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 38W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FQPF5N50CYDTU
  仓库库存编号：FQPF5N50CYDTU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 42W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FDPF10N50FT
  仓库库存编号：FDPF10N50FT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF820SPBF
  仓库库存编号：IRF820SPBF-ND
  别名：*IRF820SPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 4.8A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.8A（Ta） 1.1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP6050SFG-7
  仓库库存编号：DMP6050SFG-7DICT-ND
  别名：DMP6050SFG-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Sanken
  MOSFET N-CH 75V 6A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 3.1W（Ta），46W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：GKI07301
  仓库库存编号：GKI07301CT-ND
  别名：GKI07301CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220F-3
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 42W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF10N50UT
  仓库库存编号：FDPF10N50UT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 74W（Tc）
  
  型号：IRF830ASTRLPBF
  仓库库存编号：IRF830ASTRLPBFCT-ND
  别名：IRF830ASTRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索