规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 10.5A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 10.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4435
仓库库存编号：
785-1030-1-ND
别名：785-1030-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 3A SSOT-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
FDC5614P
仓库库存编号：
FDC5614PCT-ND
别名：FDC5614PCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Ta） 3.8W（Ta），42W（Tc） TO-252
型号：
FDD5614P
仓库库存编号：
FDD5614PCT-ND
别名：FDD5614PCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 4.1A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
型号：
SI9435BDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI9435BDY-T1-E3CT-ND
别名：SI9435BDY-T1-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-SO
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 8.6A, 7.3A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
FDS8858CZ
仓库库存编号：
FDS8858CZCT-ND
别名：FDS8858CZCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
FDS6910
仓库库存编号：
FDS6910CT-ND
别名：FDS6910CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
FDS6911
仓库库存编号：
FDS6911CT-ND
别名：FDS6911CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 8.2A POWER33
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 60V 8.2A 800mW Surface Mount 8-Power33 (3x3)
型号：
FDMC89521L
仓库库存编号：
FDMC89521LCT-ND
别名：FDMC89521LCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7812DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7812DN-T1-GE3CT-ND
别名：SI7812DN-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SI7812DN-T1-E3
仓库库存编号：
SI7812DN-T1-E3CT-ND
别名：SI7812DN-T1-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），40A（Tc） 3.1W（Ta），25W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7400A
仓库库存编号：
785-1301-1-ND
别名：785-1301-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23
型号：
DMP3130LQ-7
仓库库存编号：
DMP3130LQ-7DICT-ND
别名：DMP3130LQ-7DICT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
型号：
AO4468
仓库库存编号：
785-1038-1-ND
别名：785-1038-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 4.9A SSOT-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.9A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
FDC610PZ
仓库库存编号：
FDC610PZCT-ND
别名：FDC610PZCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 49A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC093N04LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC093N04LSGATMA1CT-ND
别名：BSC093N04LS GCT
BSC093N04LS GCT-ND
BSC093N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），35W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ097N04LS G
仓库库存编号：
BSZ097N04LSGINCT-ND
别名：BSZ097N04LSGINCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8-SO
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 4.8A 1.2W Surface Mount 8-SO
型号：
DMP6050SSD-13
仓库库存编号：
DMP6050SSD-13DICT-ND
别名：DMP6050SSD-13DICT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 62W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQ7414AEN-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ7414AEN-T1_GE3CT-ND
别名：SQ7414AEN-T1_GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 650V 7A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 178W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
AOD7N65
仓库库存编号：
785-1484-1-ND
别名：785-1484-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 5A A.D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 73W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FQB5N50CTM
仓库库存编号：
FQB5N50CTMCT-ND
别名：FQB5N50CTMCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF830APBF
仓库库存编号：
IRF830APBF-ND
别名：*IRF830APBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212
详细描述：表面贴装 N 沟道 36.5A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
型号：
SISS40DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISS40DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISS40DN-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD020PBF
仓库库存编号：
IRFD020PBF-ND
别名：*IRFD020PBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 2.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFI820GPBF
仓库库存编号：
IRFI820GPBF-ND
别名：*IRFI820GPBF
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 68W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP60R180C7XKSA1
仓库库存编号：
IPP60R180C7XKSA1-ND
别名：SP001277624
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 24nC @ 10V,
无铅
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