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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：PHKD3NQ10T,518
  仓库库存编号：PHKD3NQ10T,518-ND
  别名：934055906518
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  PTNG 100/20V NCH TRENCH MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 52W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：FDMC86183
  仓库库存编号：FDMC86183-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7923DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7923DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7923DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 15A/28A 8DFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 15A, 28A 2W, 2.2W Surface Mount 8-DFN-EP (5x6)
  
  型号：AON6924
  仓库库存编号：785-1371-1-ND
  别名：785-1371-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 210W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMNH6008SCT
  仓库库存编号：DMNH6008SCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.4A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7302DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7302DN-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 9A LPTS
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 50W（Tc） LPTS
  
  型号：R5009ANJTL
  仓库库存编号：R5009ANJTL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 60V 130A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 210W（Tc） TO-220AB
  
  型号：DMNH6008SCTQ
  仓库库存编号：DMNH6008SCTQDI-ND
  别名：DMNH6008SCTQ-ND
  DMNH6008SCTQDI
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 42A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP42N15T
  仓库库存编号：IXTP42N15T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.9A（Ta），24A（Tc） 2.5W（Ta），41W（Tc） DIRECTFET? SC
  
  型号：AUIRF7647S2TR
  仓库库存编号：AUIRF7647S2TR-ND
  别名：SP001520570
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 8TSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 6.7A（Tc） 56.8W（Tc） Thin-PAK（5x6）
  
  型号：IPL65R650C6SATMA1
  仓库库存编号：IPL65R650C6SATMA1-ND
  别名：SP001163082
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.3A 2.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AUIRF7303QTR
  仓库库存编号：AUIRF7303QTR-ND
  别名：SP001521078
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 9A（Ta），30A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB280N15NZ3GXUMA1
  仓库库存编号：BSB280N15NZ3GXUMA1CT-ND
  别名：BSB280N15NZ3 GCT
  BSB280N15NZ3 GCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 3.8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 3.8A（Tc） 80W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP4NB50
  仓库库存编号：497-2719-5-ND
  别名：497-2719-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 60V 12A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 12A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP12PF06
  仓库库存编号：497-2721-5-ND
  别名：497-2721-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 14A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 14A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF530
  仓库库存编号：497-2780-5-ND
  别名：497-2780-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 60V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 10A（Tc） 40W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD10PF06T4
  仓库库存编号：497-2456-1-ND
  别名：497-2456-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.5A（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
  
  型号：STN3PF06
  仓库库存编号：497-4116-1-ND
  别名：497-4116-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET P-CH 60V 8A TO-220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 8A（Tc） 225W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF12PF06
  仓库库存编号：STF12PF06-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 34A（Tc） 65W（Tc） 8-DFN3333（3.3x3.3）
  
  型号：PSMN023-80LS,115
  仓库库存编号：568-5583-1-ND
  别名：568-5583-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 6A（Tc） 1.75W（Ta），50W（Tc） DPAK
  
  型号：MTD6N20ET4
  仓库库存编号：MTD6N20ET4OSCT-ND
  别名：MTD6N20ET4OSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 40V 7.5A/6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 7.5A, 6A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS4885C
  仓库库存编号：FDS4885C-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 6A（Tc） 1.75W（Ta），50W（Tc） DPAK-3
  
  型号：MTD6N20ET4G
  仓库库存编号：MTD6N20ET4GOSCT-ND
  别名：MTD6N20ET4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 15A（Ta） 15W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2175H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2175H-EL-E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 75V 3.6A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 75V 3.6A 1.4W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4992EY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4992EY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4992EY-T1-E3CT
  SI4992EYT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 21nC @ 10V,
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