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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 13A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT13N50
  仓库库存编号：AOT13N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 13A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF13N50
  仓库库存编号：AOTF13N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11A（Tc） 272W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB11N60L
  仓库库存编号：785-1467-1-ND
  别名：785-1467-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 12A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 12A（Tc） 250W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB12N50L
  仓库库存编号：AOB12N50L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 19A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），41W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8026S
  仓库库存编号：FDMS8026SCT-ND
  别名：FDMS8026SCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 150V WPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 65W（Tc） WPAK（3F）（5x6）
  
  型号：RJK1575DPA-00#J5A
  仓库库存编号：RJK1575DPA-00#J5A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 12A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT12N50
  仓库库存编号：785-1240-5-ND
  别名：785-1240-5
  AOT12N50-ND
  Q5225971
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 103W（Tc） TO-220
  
  型号：TK46E08N1,S1X
  仓库库存编号：TK46E08N1S1X-ND
  别名：TK46E08N1,S1X(S
  TK46E08N1S1X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 46A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 35W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK46A08N1,S4X
  仓库库存编号：TK46A08N1S4X-ND
  别名：TK46A08N1,S4X(S
  TK46A08N1,S4X-ND
  TK46A08N1S4X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP2R4N120P
  仓库库存编号：IXTP2R4N120P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Tc） 125W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA2R4N120P
  仓库库存编号：IXTA2R4N120P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 125W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH2R4N120P
  仓库库存编号：IXTH2R4N120P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 45A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 44A（Tc） 36W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA083N10N5XKSA1
  仓库库存编号：IPA083N10N5XKSA1-ND
  别名：SP001226038
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 14A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF15NM60N
  仓库库存编号：497-7469-5-ND
  别名：497-7469-5
  STF15NM60N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 14A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 14A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI15NM60N
  仓库库存编号：STI15NM60N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 14A（Tc） 125W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP15NM60N
  仓库库存编号：497-7507-5-ND
  别名：497-7507-5
  STP15NM60N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 14A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB15NM60N
  仓库库存编号：497-7935-1-ND
  别名：497-7935-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 45W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF20NM60D
  仓库库存编号：STF20NM60D-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 5A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 250V 5A（Tc） 70W（Tc） TO-220-3
  
  型号：SFP9634
  仓库库存编号：SFP9634-ND
  别名：Q1138071
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Ta），75A（Tc） 135W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP10AN06A0
  仓库库存编号：FDP10AN06A0-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Ta），75A（Tc） 135W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB10AN06A0
  仓库库存编号：FDB10AN06A0-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 157W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BUK7511-55B,127
  仓库库存编号：568-5718-5-ND
  别名：568-5718
  568-5718-5
  568-5718-ND
  934057694127
  BUK7511-55B
  BUK7511-55B,127-ND
  BUK7511-55B-ND
  BUK751155B127
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 55V 64A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 64A（Tc） 130W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP64N055T
  仓库库存编号：IXTP64N055T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 55V 64A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 64A（Tc） 130W（Tc） TO-252
  
  型号：IXTY64N055T
  仓库库存编号：IXTY64N055T-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 17A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17A（Ta），21A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8674
  仓库库存编号：FDMS8674CT-ND
  别名：FDMS8674CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
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