以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 55A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 48W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF55N06
  仓库库存编号：FDPF55N06-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R190P6
  仓库库存编号：IPA60R190P6-ND
  别名：IPA60R190P6XKSA1
  SP001017080
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 105V 41A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 5.9A（Ta），41A（Tc） 135W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP3672
  仓库库存编号：FDP3672-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW15NM60N
  仓库库存编号：497-7618-5-ND
  别名：497-7618-5
  STW15NM60N-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 272W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW11N60
  仓库库存编号：785-1426-5-ND
  别名：785-1426-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 37.9W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF11N60L
  仓库库存编号：785-1435-5-ND
  别名：785-1435-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 135W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD10AN06A0_F085
  仓库库存编号：FDD10AN06A0_F085CT-ND
  别名：FDD10AN06A0_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 73A（Tc） 100W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP083N10N5AKSA1
  仓库库存编号：IPP083N10N5AKSA1-ND
  别名：SP001226036
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313
  详细描述：表面贴装 N 沟道 86A（Tc） 65W（Tc） PG-TO252-3-313
  
  型号：IPD90N04S405ATMA1
  仓库库存编号：IPD90N04S405ATMA1CT-ND
  别名：IPD90N04S405ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB60R190P6ATMA1
  仓库库存编号：IPB60R190P6ATMA1CT-ND
  别名：IPB60R190P6ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 24A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF28N60M2
  仓库库存编号：497-14216-5-ND
  别名：497-14216-5
  STF28N60M2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 24A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 170W（Tc） TO-220
  
  型号：STP28N60M2
  仓库库存编号：497-14220-5-ND
  别名：497-14220-5
  STP28N60M2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 192W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP20NM60FD
  仓库库存编号：497-5395-5-ND
  别名：497-5395-5
  STP20NM60FD-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 214W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW20NM60FD
  仓库库存编号：497-5415-5-ND
  别名：497-5415-5
  STW20NM60FD-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 24A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 170W（Tc） TO-247
  
  型号：STW28N60M2
  仓库库存编号：497-14292-5-ND
  别名：497-14292-5
  STW28N60M2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 30V 15A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），55A（Tc） 2W（Ta） TO-252-4L
  
  型号：DMNH3010LK3-13
  仓库库存编号：DMNH3010LK3-13-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7611-55B,118
  仓库库存编号：1727-4703-1-ND
  别名：1727-4703-1
  568-5851-1
  568-5851-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 20A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Ta） 41W（Tc） DPAK+
  
  型号：TJ20S04M3L(T6L1,NQ
  仓库库存编号：TJ20S04M3L(T6L1NQ-ND
  别名：TJ20S04M3L(T6L1NQ
  TJ20S04M3LT6L1NQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 272W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT11N60L
  仓库库存编号：785-1429-5-ND
  别名：785-1429-5
  AOT11N60
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 12A TO262
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 250W（Tc） TO-262
  
  型号：AOW12N50
  仓库库存编号：AOW12N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 620V 11A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 39W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF11N62L
  仓库库存编号：785-1436-5-ND
  别名：785-1436-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 620V 11A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF11N62
  仓库库存编号：AOTF11N62-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 12A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 28W（Tc）
  
  型号：AOWF12N50
  仓库库存编号：AOWF12N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 12A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 50W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF12N50
  仓库库存编号：AOTF12N50-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 11A TO262F
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 27.8W（Tc） TO-262F
  
  型号：AOWF11N60
  仓库库存编号：785-1446-5-ND
  别名：785-1446-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 37nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索