规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
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Fairchild/ON Semiconductor
SINGLE PT4 NCH 20/8V ZENER IN ML
详细描述：表面贴装 N 沟道 9.5A（Ta） 2.4W（Ta） 6-ULMP（2x2）
型号：
FDMA410NZT
仓库库存编号：
FDMA410NZT-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.77A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2314EDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2314EDS-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 8A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 18W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SQS420EN-T1_GE3
仓库库存编号：
SQS420EN-T1_GE3-ND
别名：SQS420EN-T1-GE3
SQS420EN-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N CH 33V 14A WMINI8
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1W（Ta） W迷你型8-F1
型号：
FK8V03020L
仓库库存编号：
FK8V03020L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 18.2A（Ta） 3.2W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS4824NTWG
仓库库存编号：
NVTFS4824NTWG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 35A 2WPACK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 40W（Tc） 8-WPAK
型号：
RJK0353DPA-01#J0B
仓库库存编号：
RJK0353DPA-01#J0BTR-ND
别名：RJK0353DPA-01#J0B-ND
RJK0353DPA-01#J0BTR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 18.2A（Ta） 3.2W（Ta），21W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS4824NTAG
仓库库存编号：
NVTFS4824NTAG-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 45W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0332DPB-01#J0
仓库库存编号：
RJK0332DPB-01#J0CT-ND
别名：RJK0332DPB-01#J0CT
RJK0332DPB01J0
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 35A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta） 45W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0451DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0451DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK0451DPB-00#J5-ND
RJK0451DPB-00#J5TR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 80V 20A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 45W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0851DPB-00#J5
仓库库存编号：
RJK0851DPB-00#J5TR-ND
别名：RJK0851DPB-00#J5-ND
RJK0851DPB-00#J5TR
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5443DC-T1-E3
仓库库存编号：
SI5443DC-T1-E3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.6A（Ta） 1.3W（Ta） 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5443DC-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5443DC-T1-GE3-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 9.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF9392TRPBF
仓库库存编号：
IRF9392TRPBF-ND
别名：SP001554514
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 8.5A（Ta），32A（Tc） 1.25W（Ta），58W（Tc） DPAK
型号：
NTD60N02RT4
仓库库存编号：
NTD60N02RT4OSCT-ND
别名：NTD60N02RT4OSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.65A（Ta） 500mW（Ta） 6-TSOP
型号：
NTGS3441T1
仓库库存编号：
NTGS3441T1OS-ND
别名：NTGS3441T1OS
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 5A 6SSOT
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5A 900mW Surface Mount SuperSOT?-6
型号：
FDC6036P
仓库库存编号：
FDC6036PCT-ND
别名：FDC6036P_NLCT
FDC6036P_NLCT-ND
FDC6036PCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.1A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
SI3442DV
仓库库存编号：
SI3442DV-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 4.1A SSOT-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.1A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
NDC631N
仓库库存编号：
NDC631N-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 8.5A（Ta），32A（Tc） 1.25W（Ta），58W（Tc） I-Pak
型号：
NTD60N02R-035
仓库库存编号：
NTD60N02R-035-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 8.5A（Ta），32A（Tc） 1.25W（Ta），58W（Tc） I-Pak
型号：
NTD60N02R-1G
仓库库存编号：
NTD60N02R-1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 25V 8.5A（Ta），32A（Tc） 1.25W（Ta），58W（Tc） I-Pak
型号：
NTD60N02R-35G
仓库库存编号：
NTD60N02R-35G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 4.5A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP
型号：
SI3447BDV-T1-E3
仓库库存编号：
SI3447BDV-T1-E3CT-ND
别名：SI3447BDV-T1-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 7A 6-POWERPAK
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7A 1.6W Surface Mount PowerPAK? (2x5)
型号：
SIF902EDZ-T1-E3
仓库库存编号：
SIF902EDZ-T1-E3CT-ND
别名：SIF902EDZ-T1-E3CT
SIF902EDZT1E3
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 4.5A（Ta） 1.1W（Ta） ChipFET?
型号：
NTHD2110TT1G
仓库库存编号：
NTHD2110TT1G-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 8.5A（Ta），32A（Tc） 1.25W（Ta），58W（Tc） DPAK
型号：
NTD60N02RT4G
仓库库存编号：
NTD60N02RT4GOSCT-ND
别名：NTD60N02RT4GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 14nC @ 4.5V,
无铅
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