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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 33A（Tc） 114W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9240-100A/C1,11
  仓库库存编号：BUK9240-100A/C1,11-ND
  别名：934061623118
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  含铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 48A（Tc） 103W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9222-55A/C1,118
  仓库库存编号：BUK9222-55A/C1,118-ND
  别名：934061635118
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  含铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PH4530AL,115
  仓库库存编号：PH4530AL,115-ND
  别名：934063198115
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 含铅
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-883
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 300mA（Ta） 250mW（Ta） DFN1006-3
  
  型号：2N7002PM,315
  仓库库存编号：2N7002PM,315-ND
  别名：934064133315
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 11A TO220-5
  详细描述：MOSFET N-CH 100V 11A TO220-5
  
  型号：IRFI4121H-117P
  仓库库存编号：IRFI4121H-117P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 14.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ31HXKSA1
  仓库库存编号：BUZ31HXKSA1-ND
  别名：BUZ31 H
  BUZ31 H-ND
  BUZ31H
  SP000682992
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 13.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 13.5A（Tc） 95W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ31L H
  仓库库存编号：BUZ31L H-ND
  别名：BUZ31LH
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73HXKSA1
  仓库库存编号：BUZ73HXKSA1-ND
  别名：BUZ73 H
  BUZ73 H-ND
  BUZ73H
  SP000683000
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73H3046XKSA1
  仓库库存编号：BUZ73H3046XKSA1-ND
  别名：BUZ73 H3046
  BUZ73 H3046-ND
  BUZ73H3046
  SP000683002
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73A H
  仓库库存编号：BUZ73A H-ND
  别名：BUZ73AH
  BUZ73AHXKSA1
  SP000683004
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73A H3046
  仓库库存编号：BUZ73A H3046-ND
  别名：BUZ73AH3046
  BUZ73AH3046XKSA1
  SP000683006
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 5.5A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73ALHXKSA1
  仓库库存编号：BUZ73ALHXKSA1-ND
  别名：BUZ73AL H
  BUZ73AL H-ND
  BUZ73ALH
  SP000683012
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 7A（Tc） 40W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：BUZ73LHXKSA1
  仓库库存编号：BUZ73LHXKSA1-ND
  别名：BUZ73L H
  BUZ73L H-ND
  SP000683014
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP299L6327HUSA1
  仓库库存编号：BSP299L6327HUSA1CT-ND
  别名：BSP299 L6327CT
  BSP299 L6327CT-ND
  BSP299L6327
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
  详细描述：MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
  
  型号：AUIRLZ44ZSTRL
  仓库库存编号：AUIRLZ44ZSTRL-ND
  别名：SP001520372
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
  详细描述：MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
  
  型号：AUIRLZ44ZS
  仓库库存编号：AUIRLZ44ZS-ND
  别名：SP001520382
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 22A（Tc） 95W（Tc） TO-220AB
  
  型号：BTS121AE3045ANTMA1
  仓库库存编号：BTS121AE3045ANTMA1CT-ND
  别名：BTS121A E3045ACT
  BTS121A E3045ACT-ND
  
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 40V I2PAK
  
  型号：BUK9E1R9-40E,127
  仓库库存编号：568-9870-5-ND
  别名：568-9870-5
  934066511127
  BUK9E1R940E127
  
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y7R8-80E,115
  仓库库存编号：BUK9Y7R8-80E,115-ND
  别名：934067026115
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y98-80E,115
  仓库库存编号：BUK9Y98-80E,115-ND
  别名：934067034115
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y9R9-80E,115
  仓库库存编号：BUK9Y9R9-80E,115-ND
  别名：934067027115
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 30V 25A POWER 8-SO
  详细描述：MOSFET 30V 25A POWER 8-SO
  
  型号：IRFHP8334TRPBF
  仓库库存编号：IRFHP8334TRPBFTR-ND
  别名：IRFHP8334TRPBFTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 30V 25A POWER 8-SO
  详细描述：MOSFET 30V 25A POWER 8-SO
  
  型号：IRFHP8321TRPBF
  仓库库存编号：IRFHP8321TRPBFTR-ND
  别名：IRFHP8321TRPBFTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 200A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V D2PAK（7-Lead）
  
  型号：BUK7C1R2-40EJ
  仓库库存编号：BUK7C1R2-40EJ-ND
  别名：934067488118
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 200A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V D2PAK（7-Lead）
  
  型号：BUK7C1R4-40EJ
  仓库库存编号：BUK7C1R4-40EJ-ND
  别名：934067489118
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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