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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V/8V 0.075A SC-70
详细描述:MOSFET N-CH 25V/8V 0.075A SC-70
型号:
NVTS4409NT1G
仓库库存编号:
NVTS4409NT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT-23
详细描述:MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT-23
型号:
SBVS138LT1G
仓库库存编号:
SBVS138LT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH SPCL 100V DPAK
详细描述:MOSFET N-CH SPCL 100V DPAK
型号:
STD12N10T4G
仓库库存编号:
STD12N10T4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 60V SOT89
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 1.1W(Ta) SOT-89
型号:
CPC3701C
仓库库存编号:
CPC3701C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 250V SOT89
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 1.4W(Ta) SOT-89
型号:
CPC3710C
仓库库存编号:
CPC3710C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 350V SOT89
详细描述:表面贴装 N 沟道 350V 1.4W(Ta) SOT-89
型号:
CPC3714C
仓库库存编号:
CPC3714C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 350V SOT89
详细描述:表面贴装 N 沟道 350V 1.4W(Ta) SOT-89
型号:
CPC3720C
仓库库存编号:
CPC3720C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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IXYS Integrated Circuits Division
MOSFET N-CH 350V SOT89
详细描述:表面贴装 N 沟道 350V 1.6W(Ta) SOT-89
型号:
CPC3730C
仓库库存编号:
CPC3730C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 50V 100MA USM
详细描述:表面贴装 N 沟道 50V 100mA(Ta) 150mW(Ta) USM
型号:
SSM3K17SU,LF
仓库库存编号:
SSM3K17SULFCT-ND
别名:SSM3K17SULFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP
详细描述:MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP
型号:
NVTGS3455T1G
仓库库存编号:
NVTGS3455T1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 300mW Surface Mount US6
型号:
SSM6N48FU,RF
仓库库存编号:
SSM6N48FURFCT-ND
别名:SSM6N48FURFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5.5A(Tc) 8W(Tc) SOT-223
型号:
BUK78150-55A,115
仓库库存编号:
568-9711-1-ND
别名:568-9711-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.6A(Tc) 8W(Tc) SOT-223
型号:
BUK98180-100A,115
仓库库存编号:
568-9714-1-ND
别名:568-9714-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 8HVSON
详细描述:N 沟道 30V
型号:
PHL5830AL,115
仓库库存编号:
568-9612-1-ND
别名:568-9612-1
PHL5830AL115
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 0.4A SC89-6L
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 400mW Surface Mount SC-89-6
型号:
AO5800E
仓库库存编号:
785-1560-1-ND
别名:785-1560-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC89-6L
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 400mW Surface Mount SC-89-6
型号:
AO5803E
仓库库存编号:
785-1561-1-ND
别名:785-1561-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 0.5A SC89-3L
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 500mA(Ta) 280mW(Ta) SC-89-3
型号:
AO5401E
仓库库存编号:
785-1557-1-ND
别名:785-1557-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Cree/Wolfspeed
MOSFET 2N-CH 1200V 168A MODULE
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 168A 568W Chassis Mount Module
型号:
CAS100H12AM1
仓库库存编号:
CAS100H12AM1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
含铅
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GeneSiC Semiconductor
SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
详细描述:Mosfet Array
型号:
GA100SCPL12-227E
仓库库存编号:
1242-1197-ND
别名:1242-1197
GA100SCPL12227E
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-23(TO-236AB)
型号:
2N7002_D87Z
仓库库存编号:
2N7002_D87ZCT-ND
别名:2N7002_D87ZCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 115mA(Ta) 200mW(Ta) TO-236
型号:
2N7002-E3
仓库库存编号:
2N7002-E3CT-ND
别名:2N7002-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y12-80EX
仓库库存编号:
BUK7Y12-80EX-ND
别名:934067421115
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80V LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y12-80E,115
仓库库存编号:
BUK9Y12-80E,115-ND
别名:934067028115
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V
型号:
PH7630DLX
仓库库存编号:
PH7630DLX-ND
别名:934067605115
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3A(Ta) 80W(Tc) TO-3P
型号:
2SK1339-E
仓库库存编号:
2SK1339-E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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