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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.5A（Ta） 8-SOIC
  
  型号：RRS075P03TB1
  仓库库存编号：RRS075P03TB1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Monolithic Power Systems Inc.
  MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 3 N-Channel, Common Gate 600V 80mA 1.3W 8-SOIC
  
  型号：LN60A01ES-LF-Z
  仓库库存编号：LN60A01ES-LF-Z-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0106N3-G-P003
  仓库库存编号：VN0106N3-G-P003-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 65A U8FL
  详细描述：MOSFET N-CH 30V 65A U8FL
  
  型号：NTTFS4C56NTAG
  仓库库存编号：NTTFS4C56NTAG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL
  详细描述：MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL
  
  型号：NTMFS4C58NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4C58NT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 45V 20A TCPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 20W（Ta） TCPT3
  
  型号：RSY200N05TL
  仓库库存编号：RSY200N05TLCT-ND
  别名：RSY200N05TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
  详细描述：MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
  
  型号：NTTFS4C55NTWG
  仓库库存编号：NTTFS4C55NTWG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN2535N3-G-P003
  仓库库存编号：DN2535N3-G-P003-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN2535N3-G-P013
  仓库库存编号：DN2535N3-G-P013-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.11A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110mA（Tj） 360mW（Ta） SOT-23（TO-236AB）
  
  型号：TN5335K1-G
  仓库库存编号：TN5335K1-G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL
  详细描述：MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL
  
  型号：NTMFS4C56NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4C56NT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：RDD020N60TL
  仓库库存编号：RDD020N60TL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 16V 1A SOT-143
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 568mW（Ta） SOT-143
  
  型号：MIC94030BM4 TR
  仓库库存编号：MIC94030BM4 TR-ND
  别名：MIC94030BM4TR
  MIC94030BM4TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 20W（Tc） CPT3
  
  型号：2SK2094TL
  仓库库存编号：2SK2094TLCT-ND
  别名：2SK2094TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 57A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK7618-55,118
  仓库库存编号：BUK7618-55,118-ND
  别名：934045250118
  BUK7618-55 /T3
  BUK7618-55 /T3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
  
  型号：DN2540N3-G-P003
  仓库库存编号：DN2540N3-G-P003-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0106N3-G-P003
  仓库库存编号：TN0106N3-G-P003-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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  无铅
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0106N3-G-P013
  仓库库存编号：TN0106N3-G-P013-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
  详细描述：MOSFET N-CH 30V 75A U8FL
  
  型号：NTTFS4C55NTAG
  仓库库存编号：NTTFS4C55NTAG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 350V 0.23A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 350V 230mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：TN5335N8-G
  仓库库存编号：TN5335N8-G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 450V 45mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
  
  型号：ZVP0545ASTZ
  仓库库存编号：ZVP0545ASTZ-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 320mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TP0606N3-G-P002
  仓库库存编号：TP0606N3-G-P002-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 320mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TP0606N3-G-P003
  仓库库存编号：TP0606N3-G-P003-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 20A（Ta） 20W（Tc） TCPT3
  
  型号：RZY200P01TL
  仓库库存编号：RZY200P01TLCT-ND
  别名：RZY200P01TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 450mA（Ta） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0104N3-G-P003
  仓库库存编号：TN0104N3-G-P003-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -,
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