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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 540mA 250mW Surface Mount SOT-563
型号:
DMN2004VK-7
仓库库存编号:
DMN2004VKDICT-ND
别名:DMN2004VKDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 20V 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
型号:
SSM6L16FETE85LF
仓库库存编号:
SSM6L16FETE85LFCT-ND
别名:SSM6L16FETE85LFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
型号:
SSM6N15AFE,LM
仓库库存编号:
SSM6N15AFELMCT-ND
别名:SSM6N15AFE,LMCT
SSM6N15AFELMCT
SSM6N15FE(TE85LF)CT
SSM6N15FE(TE85LF)CT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 150mW(Ta) VMT3
型号:
RSM002P03T2L
仓库库存编号:
RSM002P03T2LCT-ND
别名:RSM002P03T2LCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 6V 1.8A SOT-143
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 568mW(Ta) SOT-143
型号:
MIC94050YM4-TR
仓库库存编号:
576-2937-1-ND
别名:576-2937-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 0.1A CST3
详细描述:表面贴装 P 沟道 100mA(Ta) 100mW(Ta) CST3
型号:
SSM3J16CT(TPL3)
仓库库存编号:
SSM3J16CT(TPL3)CT-ND
别名:SSM3J16CT(TPL3)CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 400mA(Ta) 625mW(Ta) TO-92-3
型号:
BS270_D74Z
仓库库存编号:
BS270_D74ZFSCT-ND
别名:BS270_D74ZFSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.15A SOT-1123
详细描述:表面贴装 P 沟道 150mA(Ta) 125mW(Ta) SOT-1123
型号:
NTNUS3171PZT5G
仓库库存编号:
NTNUS3171PZT5GOSCT-ND
别名:NTNUS3171PZT5GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 350mW(Ta) SOT-23-3
型号:
DMN2005K-7
仓库库存编号:
DMN2005K-7DICT-ND
别名:DMN2005K-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 0.3A EMT6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 300mA 150mW Surface Mount EMT6
型号:
EM6K6T2R
仓库库存编号:
EM6K6T2RCT-ND
别名:EM6K6T2RCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Tj) 360mW(Tc) SOT-23-3
型号:
VN2110K1-G
仓库库存编号:
VN2110K1-GCT-ND
别名:VN2110K1-GCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Panasonic Electronic Components
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A SSMINI6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 125mW Surface Mount SSMini6-F3-B
型号:
FC6943010R
仓库库存编号:
FC6943010RCT-ND
别名:FC6943010RCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 115mA(Tj) 360mW(Ta) SOT-23(TO-236AB)
型号:
2N7002-G
仓库库存编号:
2N7002-GMCCT-ND
别名:2N7002-GMCCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 280mA 250mW Surface Mount SOT-563
型号:
DMN5010VAK-7
仓库库存编号:
DMN5010VAK-7DICT-ND
别名:DMN5010VAK-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 250mA 150mW Surface Mount EMT6
型号:
EM6K31T2R
仓库库存编号:
EM6K31T2RCT-ND
别名:EM6K31T2RCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6
型号:
VT6J1T2CR
仓库库存编号:
VT6J1T2CRCT-ND
别名:VT6J1T2CRCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta) 500mW(Ta) SC-59-3
型号:
DMN2114SN-7
仓库库存编号:
DMN2114SNDICT-ND
别名:DMN2114SNDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 1.2A SC59-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta) 500mW(Ta) SC-59-3
型号:
DMN2112SN-7
仓库库存编号:
DMN2112SNDICT-ND
别名:DMN2112SNDICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100mA(Ta) 625mW(Ta) TO-92-3
型号:
ZVN3320A
仓库库存编号:
ZVN3320A-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.9A(Ta) 1.5W(Ta) 8-DFN3020B(3x2)
型号:
DMS2120LFWB-7
仓库库存编号:
DMS2120LFWB-7DICT-ND
别名:DMS2120LFWB-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 1.4W(Ta) U-DFN2020-6(B 类)
型号:
DMS2220LFDB-7
仓库库存编号:
DMS2220LFDB-7DICT-ND
别名:DMS2220LFDB-7DICT
DMS2220LFDBDICT
DMS2220LFDBDICT-ND
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 700mW(Ta) WS迷你型6-F1-B
型号:
MTM761100LBF
仓库库存编号:
MTM761100LBFCT-ND
别名:MTM761100LBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Rohm Semiconductor
NCH 20V 150MA SM SIG MOSFET, VML
详细描述:表面贴装 N 沟道 150mA(Ta) 100mW(Ta) VML0604
型号:
RV3C002UNT2CL
仓库库存编号:
RV3C002UNT2CLCT-ND
别名:RV3C002UNT2CL CT
RV3C002UNT2CL CT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 700mW(Ta) WS迷你型6-F1-B
型号:
FJ6K01010L
仓库库存编号:
FJ6K01010LCT-ND
别名:FJ6K01010LCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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Panasonic Electronic Components
MOSFET 2N-CH 20V 7A WMINI8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7A 1W Surface Mount WMini8-F1
型号:
MTMC8E280LBF
仓库库存编号:
MTMC8E280LBFCT-ND
别名:MTMC8E280LBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -,
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