规格:Vgs(最大值) ±8V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(997)
分立半导体产品
(997)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(54)
Diodes Incorporated(113)
Fairchild/Micross Components(153)
Fairchild/ON Semiconductor(55)
Infineon Technologies(41)
Kionix Inc.(9)
Micro Commercial Co(9)
Nexperia USA Inc.(83)
NXP USA Inc.(26)
ON Semiconductor(8)
Panasonic - ATG(1)
Panasonic - BSG(1)
Panasonic Electronic Components(3)
Renesas Electronics America(2)
Rohm Semiconductor(17)
STMicroelectronics(16)
Taiwan Semiconductor Corporation(27)
Texas Instruments(9)
Torex Semiconductor Ltd(3)
Toshiba Semiconductor and Storage(45)
Vishay BC Components(19)
Vishay Beyschlag(131)
Vishay Electro-Films(82)
Vishay Huntington Electric Inc.(30)
Vishay Semiconductor Diodes Division(10)
Vishay Semiconductor Opto Division(5)
Vishay Sfernice(6)
Vishay Siliconix(32)
Vishay Spectrol(4)
Vishay Thin Film(2)
Vishay Vitramon(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO-236AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 400mA(Tc) 350mW(Ta),1.14W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
NX3008NBK,215
仓库库存编号:
1727-1220-1-ND
别名:1727-1220-1
568-10406-1
568-10406-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V TO-236AB
详细描述:表面贴装 P 沟道 230mA(Ta) 350mW(Ta),1.14W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
NX3008PBK,215
仓库库存编号:
1727-1281-1-ND
别名:1727-1281-1
568-10499-1
568-10499-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.2A VMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 150mW(Ta) VMT3
型号:
RUM002N02T2L
仓库库存编号:
RUM002N02T2LCT-ND
别名:RUM002N02T2LCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 700mA(Ta) 460mW(Ta) X2-DFN1006-3
型号:
DMP21D5UFB4-7B
仓库库存编号:
DMP21D5UFB4-7BDICT-ND
别名:DMP21D5UFB4-7BDICT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 0.1A EMT3FM
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3F(SOT-416FL)
型号:
RE1C001UNTCL
仓库库存编号:
RE1C001UNTCLCT-ND
别名:RE1C001UNTCLCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1A VML1006
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Ta) 400mW(Ta) VML1006
型号:
RV2C010UNT2L
仓库库存编号:
RV2C010UNT2LCT-ND
别名:RV2C010UNT2LCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V SOT323
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 260mW(Ta),830mW(Tc) SOT-323-3
型号:
NX3008PBKW,115
仓库库存编号:
1727-1284-1-ND
别名:1727-1284-1
568-10503-1
568-10503-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT323
详细描述:表面贴装 N 沟道 350mA(Ta) 260mW(Ta),830mW(Tc) SOT-323-3
型号:
NX3008NBKW,115
仓库库存编号:
1727-1280-1-ND
别名:1727-1280-1
568-10498-1
568-10498-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SGL XQFN3
详细描述:表面贴装 N 沟道 900mA(Ta) 350mW(Ta),5.43W(Tc) DFN1006B-3
型号:
PMZB390UNEYL
仓库库存编号:
1727-2330-1-ND
别名:1727-2330-1
568-12616-1
568-12616-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 600mA(Ta) 550mW(Ta) SOT-23-3
型号:
DMP2004K-7
仓库库存编号:
DMP2004KDICT-ND
别名:DMP2004KDICT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.8A(Ta) 350mW(Ta), 6.25W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ130UNEYL
仓库库存编号:
1727-2316-1-ND
别名:1727-2316-1
568-12602-1
568-12602-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V SOT883
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4A(Ta) 350mW(Ta), 6.25W(Tc) DFN1006B-3
型号:
PMZB200UNEYL
仓库库存编号:
1727-2327-1-ND
别名:1727-2327-1
568-12613-1
568-12613-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V .2A EMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3
型号:
RUE002N02TL
仓库库存编号:
RUE002N02TLCT-ND
别名:RUE002N02TLCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 20V 0.6A XQFN3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600mA(Ta) 360mW(Ta),2.7W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ600UNEYL
仓库库存编号:
1727-2323-1-ND
别名:1727-2323-1
568-12609-1
568-12609-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3J327R,LF
仓库库存编号:
SSM3J327RLFCT-ND
别名:SSM3J327RLFCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.8A VESM
详细描述:表面贴装 N 沟道 800mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3K56MFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3K56MFVL3FCT-ND
别名:SSM3K56MFVL3FCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.9A(Ta) 1W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3435
仓库库存编号:
785-1544-1-ND
别名:785-1544-1
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V SOT883
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 350mW(Ta), 6.25W(Tc) DFN1006-3
型号:
PMZ320UPEYL
仓库库存编号:
1727-2319-1-ND
别名:1727-2319-1
568-12605-1
568-12605-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 1.2A TO-236AB
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.2A(Ta) 335mW(Ta),2.17W(Tc) TO-236AB(SOT23)
型号:
PMV160UP,215
仓库库存编号:
1727-1152-1-ND
别名:1727-1152-1
568-10320-1
568-10320-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V SC-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 220mW(Ta) SC-89-3
型号:
SI1062X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1062X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1062X-T1-GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 150mW(Ta) EMT3
型号:
RUE003N02TL
仓库库存编号:
RUE003N02TLCT-ND
别名:RUE003N02TLCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 20V 2A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 480mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
BSH205G2R
仓库库存编号:
1727-2247-1-ND
别名:1727-2247-1
568-12533-1
568-12533-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 0.59A SOT523
详细描述:表面贴装 P 沟道 590mA(Ta) 240mW(Ta) SOT-523
型号:
DMP21D0UT-7
仓库库存编号:
DMP21D0UT-7DICT-ND
别名:DMP21D0UT-7DICT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 540mA(Ta) 200mW(Ta) SOT-323
型号:
DMN2004WK-7
仓库库存编号:
DMN2004WKDICT-ND
别名:DMN2004WKDICT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 2.5A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 800mW(Ta) SOT-23-3
型号:
DMG2301U-7
仓库库存编号:
DMG2301U-7DICT-ND
别名:DMG2301U-7DICT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号