规格:Vgs(最大值) ±8V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(997)
分立半导体产品
(997)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(54)
Diodes Incorporated(113)
Fairchild/Micross Components(153)
Fairchild/ON Semiconductor(55)
Infineon Technologies(41)
Kionix Inc.(9)
Micro Commercial Co(9)
Nexperia USA Inc.(83)
NXP USA Inc.(26)
ON Semiconductor(8)
Panasonic - ATG(1)
Panasonic - BSG(1)
Panasonic Electronic Components(3)
Renesas Electronics America(2)
Rohm Semiconductor(17)
STMicroelectronics(16)
Taiwan Semiconductor Corporation(27)
Texas Instruments(9)
Torex Semiconductor Ltd(3)
Toshiba Semiconductor and Storage(45)
Vishay BC Components(19)
Vishay Beyschlag(131)
Vishay Electro-Films(82)
Vishay Huntington Electric Inc.(30)
Vishay Semiconductor Diodes Division(10)
Vishay Semiconductor Opto Division(5)
Vishay Sfernice(6)
Vishay Siliconix(32)
Vishay Spectrol(4)
Vishay Thin Film(2)
Vishay Vitramon(1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 750mW(Ta)
型号:
SI2315BDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2315BDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2315BDS-T1-GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 1.4W(Ta) 6-MicroFET(1.6x1.6)
型号:
FDFME2P823ZT
仓库库存编号:
FDFME2P823ZTCT-ND
别名:FDFME2P823ZTCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.8A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA510PZ
仓库库存编号:
FDMA510PZCT-ND
别名:FDMA510PZCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 2.08W(Ta),2.97W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3493BDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3493BDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3493BDV-T1-GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
PCH -20V -6A MIDDLE POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Tc) TSMT3
型号:
RQ5C060BCTCL
仓库库存编号:
RQ5C060BCTCLCT-ND
别名:RQ5C060BCTCLCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-WLCSP
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.6A(Ta) 1.3W(Ta) 4-WLCSP(0.80x0.80)
型号:
FDZ661PZ
仓库库存编号:
FDZ661PZCT-ND
别名:FDZ661PZCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-23-6
型号:
ZXMN2B03E6TA
仓库库存编号:
ZXMN2B03E6CT-ND
别名:ZXMN2B03E6CT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.5A(Ta) 700mW(Ta) VS-6(2.9x2.8)
型号:
TPC6111(TE85L,F,M)
仓库库存编号:
TPC6111(TE85LFM)CT-ND
别名:TPC6111(TE85LFM)CT
TPC6111TE85LFCT
TPC6111TE85LFCT-ND
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 7.8A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA507PZ
仓库库存编号:
FDMA507PZCT-ND
别名:FDMA507PZCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P CH 20V 8A MICROFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Ta) 2.1W(Ta) MicroFet 1.6x1.6 薄型
型号:
FDME910PZT
仓库库存编号:
FDME910PZTCT-ND
别名:FDME910PZTCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.7A WLCSP
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.7A(Ta) 1.7W(Ta) 4-WLCSP(1x1)
型号:
FDZ371PZ
仓库库存编号:
FDZ371PZCT-ND
别名:FDZ371PZCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 1W(Ta) SOT-23-3
型号:
ZXMN2B14FHTA
仓库库存编号:
ZXMN2B14FHCT-ND
别名:ZXMN2B14FHCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 7A 6-MICROFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 2.1W(Ta) MicroFet 1.6x1.6 薄型
型号:
FDME410NZT
仓库库存编号:
FDME410NZTCT-ND
别名:FDME410NZTCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6-UMLP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Ta) 2.1W(Ta) MicroFet 1.6x1.6 薄型
型号:
FDME905PT
仓库库存编号:
FDME905PTFSCT-ND
别名:FDME905PTFSCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC606P
仓库库存编号:
FDC606PCT-ND
别名:FDC606PCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA413DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA413DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA413DJ-T1-GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Ta) 3.3W(Ta),33W(Tc) TO-252
型号:
FDD6530A
仓库库存编号:
FDD6530ACT-ND
别名:FDD6530ACT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 25A(Tc) 3.6W(Ta),33W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS407DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS407DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS407DN-T1-GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET P-CH 20V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Tc) 2.7W(Tc) 8-SO
型号:
STS9P2UH7
仓库库存编号:
497-15155-1-ND
别名:497-15155-1
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
PCH -20V -30A MIDDLE POWER MOSFE
详细描述:表面贴装 P 沟道 30A(Tc) 20W(Tc) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3C150BCTB
仓库库存编号:
RQ3C150BCTBCT-ND
别名:RQ3C150BCTBCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Panasonic Electronic Components
MOSFET P CH 20V 4.4A PMCP
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.4A(Ta) 3-PMCP
型号:
FJ3P02100L
仓库库存编号:
FJ3P02100LCT-ND
别名:FJ3P02100LCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 21.5A(Tc) 4.45W(Tc) 8-SO
型号:
SI4866BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4866BDY-T1-E3CT-ND
别名:SI4866BDY-T1-E3CT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V POWER33
详细描述:表面贴装 P 沟道 14A(Ta),56A(Tc) 2.3W(Ta),30W(Tc) 8-PQFN(3.3x3.3),Power33
型号:
FDMC6688P
仓库库存编号:
FDMC6688PCT-ND
别名:FDMC6688PCT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 60A SO8
详细描述:表面贴装 P 沟道 60A(Tc) 68W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ411EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ411EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ411EP-T1_GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 20V 6A 6PWRFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.4W(Tc) PowerFlat?(2x2)
型号:
STL6N2VH5
仓库库存编号:
497-13777-1-ND
别名:497-13777-1
规格:Vgs(最大值) ±8V,
无铅
搜索
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号