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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 0.238A SOT-416
  详细描述：表面贴装 N 沟道 238mA（Tj） 300mW（Tj） SC-75，SOT-416
  
  型号：NTA4001NT1G
  仓库库存编号：NTA4001NT1GOSCT-ND
  别名：NTA4001NT1GOSCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 230mA（Ta） 350mW（Ta） X2-DFN1006-3
  
  型号：DMN26D0UFB4-7
  仓库库存编号：DMN26D0UFB4-7DICT-ND
  别名：DMN26D0UFB4-7DICT
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 210MA SOT-723
  详细描述：表面贴装 N 沟道 210mA（Ta） 310mW（Ta） SOT-723
  
  型号：NTK3043NT1G
  仓库库存编号：NTK3043NT1GOSCT-ND
  别名：NTK3043NT1GOSCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 150MA MCP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150mA（Ta） 150mW（Ta） SC-70 / MCPH3
  
  型号：3LN01M-TL-H
  仓库库存编号：3LN01M-TL-HOSCT-ND
  别名：3LN01M-TL-HOSCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 2A TUMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 320mW（Ta） TUMT3
  
  型号：RUF020N02TL
  仓库库存编号：RUF020N02TLCT-ND
  别名：RUF020N02TLCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 1.25W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
  
  型号：SSM6J512NU,LF
  仓库库存编号：SSM6J512NULFCT-ND
  别名：SSM6J512NULFCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 800mW（Ta） TUMT3
  
  型号：RUF015N02TL
  仓库库存编号：RUF015N02TLCT-ND
  别名：RUF015N02TLCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 11.8A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.8A（Tc） 37W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y107-80EX
  仓库库存编号：1727-1119-1-ND
  别名：1727-1119-1
  568-10274-1
  568-10274-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 9.4A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Tc） 37W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y153-100E,115
  仓库库存编号：1727-1493-1-ND
  别名：1727-1493-1
  568-10973-1
  568-10973-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.7A（Tc） 37W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y59-60E,115
  仓库库存编号：1727-1812-1-ND
  别名：1727-1812-1
  568-11426-1
  568-11426-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.1W（Ta），2.7W（Tc） 4-WLCSP（1.6x1.6）
  
  型号：SI8425DB-T1-E1
  仓库库存编号：SI8425DB-T1-E1CT-ND
  别名：SI8425DB-T1-E1CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 17.5A（Ta），40A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP2006UFG-7
  仓库库存编号：DMP2006UFG-7DICT-ND
  别名：DMP2006UFG-7DICT
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N CH 20V 4.5A SMINI3-G1-B
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 500mW（Ta） S迷你型3-G1-B
  
  型号：MTM232230LBF
  仓库库存编号：MTM232230LBFCT-ND
  别名：MTM232230LBFCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 2W（Ta），4.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3477DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3477DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3477DV-T1-GE3CT
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR110TRPBF
  仓库库存编号：IRLR110TRPBFCT-ND
  别名：*IRLR110TRPBF
  IRLR110PBFCT
  IRLR110PBFCT-ND
  IRLR110TRPBFCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 48W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD14N05LSM9A
  仓库库存编号：RFD14N05LSM9ACT-ND
  别名：RFD14N05LSM9ACT
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 1.9W（Ta） 6-DSBGA（1x1.5）
  
  型号：CSD13306WT
  仓库库存编号：296-41134-1-ND
  别名：296-41134-1
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 21.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21.7A（Tc） 88W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9275-100A,118
  仓库库存编号：1727-7186-1-ND
  别名：1727-7186-1
  568-9672-1
  568-9672-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 75V 45A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Tc） 114W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK9226-75A,118
  仓库库存编号：1727-7182-1-ND
  别名：1727-7182-1
  568-9668-1
  568-9668-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR024TRPBF
  仓库库存编号：IRLR024TRPBFCT-ND
  别名：*IRLR024TRPBF
  IRLR024TRPBFCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y7R2-60E,115
  仓库库存编号：1727-1814-1-ND
  别名：1727-1814-1
  568-11428-1
  568-11428-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 194W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y3R0-40E,115
  仓库库存编号：1727-1499-1-ND
  别名：1727-1499-1
  568-10979-1
  568-10979-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 195W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y6R0-60E,115
  仓库库存编号：1727-1504-1-ND
  别名：1727-1504-1
  568-10984-1
  568-10984-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR120TRPBF
  仓库库存编号：IRLR120TRPBFCT-ND
  别名：*IRLR120TRPBF
  IRLR120PBFCT
  IRLR120PBFCT-ND
  IRLR120TRPBFCT
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：BUK9Y4R8-60E,115
  仓库库存编号：1727-1503-1-ND
  别名：1727-1503-1
  568-10983-1
  568-10983-1-ND
  
  规格：Vgs（最大值） ±10V,
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