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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR024TRLPBF
仓库库存编号：
IRLR024TRLPBF-ND
规格：Vgs（最大值） ±10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 100A（Tc） 234W（Tc） D2PAK
型号：
BUK963R1-40E,118
仓库库存编号：
1727-1098-1-ND
别名：1727-1098-1
568-10253-1
568-10253-1-ND
规格：Vgs（最大值） ±10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK
型号：
BUK969R3-100E,118
仓库库存编号：
1727-1064-1-ND
别名：1727-1064-1
568-10174-1
568-10174-1-ND
规格：Vgs（最大值） ±10V,
不受无铅要求限制
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.6A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRL510STRLPBF
仓库库存编号：
IRL510STRLPBF-ND
规格：Vgs（最大值） ±10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ14STRLPBF
仓库库存编号：
IRLZ14STRLPBF-ND
规格：Vgs（最大值） ±10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ14STRRPBF
仓库库存编号：
IRLZ14STRRPBF-ND
规格：Vgs（最大值） ±10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRLZ24SPBF
仓库库存编号：
IRLZ24SPBF-ND
规格：Vgs（最大值） ±10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 100V 7.2A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLI520GPBF
仓库库存编号：
IRLI520GPBF-ND
别名：*IRLI520GPBF
规格：Vgs（最大值） ±10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 17A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLI540GPBF
仓库库存编号：
IRLI540GPBF-ND
规格：Vgs（最大值） ±10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） TO-263（D2Pak）
型号：
IRLZ34SPBF
仓库库存编号：
IRLZ34SPBF-ND
规格：Vgs（最大值） ±10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRL530STRRPBF
仓库库存编号：
IRL530STRRPBF-ND
规格：Vgs（最大值） ±10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 37W（Tc） TO-220-3
型号：
IRLIZ24G
仓库库存编号：
IRLIZ24G-ND
别名：*IRLIZ24G
规格：Vgs（最大值） ±10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
型号：
IRL620STRLPBF
仓库库存编号：
IRL620STRLPBF-ND
规格：Vgs（最大值） ±10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU014
仓库库存编号：
IRLU014-ND
别名：*IRLU014
规格：Vgs（最大值） ±10V,
含铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 16.5V 0.7A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 700mA（Tj） 1.5W（Tc） 8-SOIC
型号：
LP0701LG-G
仓库库存编号：
LP0701LG-G-ND
规格：Vgs（最大值） ±10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR014TR
仓库库存编号：
IRLR014TR-ND
规格：Vgs（最大值） ±10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR014TRL
仓库库存编号：
IRLR014TRL-ND
规格：Vgs（最大值） ±10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR110
仓库库存编号：
IRLR110-ND
别名：*IRLR110
规格：Vgs（最大值） ±10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR110TR
仓库库存编号：
IRLR110TR-ND
规格：Vgs（最大值） ±10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR110TRL
仓库库存编号：
IRLR110TRL-ND
规格：Vgs（最大值） ±10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
型号：
IRLU110
仓库库存编号：
IRLU110-ND
别名：*IRLU110
规格：Vgs（最大值） ±10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRL630STRLPBF
仓库库存编号：
IRL630STRLPBF-ND
规格：Vgs（最大值） ±10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 3.1W（Ta），74W（Tc） D2PAK
型号：
IRL630STRRPBF
仓库库存编号：
IRL630STRRPBF-ND
规格：Vgs（最大值） ±10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR120
仓库库存编号：
IRLR120-ND
别名：*IRLR120
规格：Vgs（最大值） ±10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR120TR
仓库库存编号：
IRLR120TR-ND
规格：Vgs（最大值） ±10V,
含铅
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