规格:Vgs(最大值) ±10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) VMT3
型号:
RZM001P02T2L
仓库库存编号:
RZM001P02T2LCT-ND
别名:RZM001P02T2LCT
规格:Vgs(最大值) ±10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 500MA VESM
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3K36MFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3K36MFVL3FCT-ND
别名:SSM3K36MFV(TL3T)CT
SSM3K36MFV(TL3T)CT-ND
SSM3K36MFV(TPL3)CT
SSM3K36MFV(TPL3)CT-ND
SSM3K36MFVL3FCT
规格:Vgs(最大值) ±10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 400mW(Ta) X2-DFN1006-3
型号:
DMN2005LP4K-7
仓库库存编号:
DMN2005LP4KDICT-ND
别名:DMN2005LP4KDICT
规格:Vgs(最大值) ±10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3J338R,LF
仓库库存编号:
SSM3J338RLFTR-ND
别名:SSM3J338R,LF(B
SSM3J338R,LF(T
SSM3J338RLFTR
规格:Vgs(最大值) ±10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3J338R,LF
仓库库存编号:
SSM3J338RLFCT-ND
别名:SSM3J338RLFCT
规格:Vgs(最大值) ±10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3J338R,LF
仓库库存编号:
SSM3J338RLFDKR-ND
别名:SSM3J338RLFDKR
规格:Vgs(最大值) ±10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3K123TU,LF
仓库库存编号:
SSM3K123TULFCT-ND
别名:SSM3K123TU(T5LT)CT
SSM3K123TU(T5LT)CT-ND
SSM3K123TU(TE85L)CT
SSM3K123TU(TE85L)CT-ND
SSM3K123TULFCT
规格:Vgs(最大值) ±10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 300mA(Ta) 350mW(Ta) X2-DFN1006-3
型号:
DMN32D2LFB4-7
仓库库存编号:
DMN32D2LFB4DICT-ND
别名:DMN32D2LFB4DICT
规格:Vgs(最大值) ±10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 4A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Tc) 1.6W(Ta),2.8W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1401EDH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1401EDH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1401EDH-T1-GE3CT
规格:Vgs(最大值) ±10V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET P-CH 20V 3A
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 500mW(Ta) SC-70-3(SOT323)
型号:
MTM231232LBF
仓库库存编号:
MTM231232LBFCT-ND
别名:MTM231232LBFCT
规格:Vgs(最大值) ±10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 37W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK9Y29-40E,115
仓库库存编号:
1727-1497-1-ND
别名:1727-1497-1
568-10977-1
568-10977-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRLL110TRPBF
仓库库存编号:
IRLL110PBFCT-ND
别名:*IRLL110TRPBF
IRLL110PBFCT
规格:Vgs(最大值) ±10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRLL014TRPBF
仓库库存编号:
IRLL014PBFCT-ND
别名:*IRLL014TRPBF
IRLL014PBFCT
规格:Vgs(最大值) ±10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 60W(Tc) TO-252AA
型号:
RFD16N05LSM9A
仓库库存编号:
RFD16N05LSM9ACT-ND
别名:RFD16N05LSM9ACT
规格:Vgs(最大值) ±10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 2.5A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRLD024PBF
仓库库存编号:
IRLD024PBF-ND
别名:*IRLD024PBF
规格:Vgs(最大值) ±10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 357W(Tc) D2PAK
型号:
BUK962R5-60E,118
仓库库存编号:
1727-7136-1-ND
别名:1727-7136-1
568-9569-1
568-9569-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 28A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB
型号:
IRL540PBF
仓库库存编号:
IRL540PBF-ND
别名:*IRL540PBF
规格:Vgs(最大值) ±10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET NCH 20V 200MA SSM
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 100mW(Ta) SSM
型号:
SSM3K37FS,LF
仓库库存编号:
SSM3K37FSLFCT-ND
别名:SSM3K37FSLFCT
规格:Vgs(最大值) ±10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.18A
详细描述:表面贴装 N 沟道 250mA(Ta) 500mW(Ta) CST3C
型号:
SSM3K35CTC,L3F
仓库库存编号:
SSM3K35CTCL3FCT-ND
别名:SSM3K35CTCL3FCT
规格:Vgs(最大值) ±10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.25A VESM
详细描述:表面贴装 N 沟道 250mA(Ta) 150mW(Ta) VESM
型号:
SSM3K37MFV,L3F
仓库库存编号:
SSM3K37MFVL3FCT-ND
别名:SSM3K37MFVL3F(TCT
SSM3K37MFVL3F(TCT-ND
SSM3K37MFVL3FCT
规格:Vgs(最大值) ±10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 350mW(Ta) X2-DFN1006-3
型号:
DMP210DUFB4-7
仓库库存编号:
DMP210DUFB4-7DICT-ND
别名:DMP210DUFB4-7DICT
规格:Vgs(最大值) ±10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.1A VML0806
详细描述:表面贴装 P 沟道 100mA(Ta) 100mW(Ta) VML0806
型号:
RV1C001ZPT2L
仓库库存编号:
RV1C001ZPT2LCT-ND
别名:RV1C001ZPT2LCT
规格:Vgs(最大值) ±10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 210mA(Ta) 302mW(Ta) TO-236AB(SOT23)
型号:
BSH111BKR
仓库库存编号:
1727-2340-1-ND
别名:1727-2340-1
568-12637-1
568-12637-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 0.2A VMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 200mA(Ta) 150mW(Ta) VMT3
型号:
RZM002P02T2L
仓库库存编号:
RZM002P02T2LCT-ND
别名:RZM002P02T2LCT
规格:Vgs(最大值) ±10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 0.1A USM
详细描述:表面贴装 N 沟道 100mA(Ta) 150mW(Ta) USM
型号:
SSM3K16FU,LF
仓库库存编号:
SSM3K16FULFCT-ND
别名:SSM3K16FULFCT
规格:Vgs(最大值) ±10V,
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