规格：Vgs（最大值） ±20V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP
详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 41.7W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
型号：
STFI260N6F6
仓库库存编号：
497-14194-5-ND
别名：497-14194-5
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 23A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 192W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW50R140CP
仓库库存编号：
IPW50R140CP-ND
别名：IPW50R140CPFKSA1
SP000234989
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 46A I2PAKFP
详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 35W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
型号：
STFI130N10F3
仓库库存编号：
497-13579-5-ND
别名：497-13579-5
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
STI360N4F6
仓库库存编号：
497-14565-5-ND
别名：497-14565-5
STI360N4F6-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
STI400N4F6
仓库库存编号：
497-14566-5-ND
别名：497-14566-5
STI400N4F6-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPE30PBF
仓库库存编号：
IRFPE30PBF-ND
别名：*IRFPE30PBF
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 89A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 89A（Tc） 42W（Tc） PG-TO220-FP
型号：
IPA028N08N3 G
仓库库存编号：
IPA028N08N3 G-ND
别名：IPA028N08N3G
IPA028N08N3GXKSA1
SP000446770
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） I2PAK
型号：
STI260N6F6
仓库库存编号：
497-11329-5-ND
别名：497-11329-5
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 180A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 300W（Tc） TO-220
型号：
STP240N10F7
仓库库存编号：
497-13588-5-ND
别名：497-13588-5
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 38A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
IPI65R099C6XKSA1
仓库库存编号：
IPI65R099C6XKSA1-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 38A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220 整包
型号：
IPA65R099C6XKSA1
仓库库存编号：
IPA65R099C6XKSA1-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 38A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R099C6FKSA1
仓库库存编号：
IPW65R099C6FKSA1-ND
别名：SP000896396
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 110W（Tc） PG-TO247-4
型号：
IPZ60R099C7XKSA1
仓库库存编号：
IPZ60R099C7XKSA1-ND
别名：SP001298006
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 357W（Tc） TO-247AD
型号：
SIHW47N60E-GE3
仓库库存编号：
SIHW47N60E-GE3-ND
别名：SIHW47N60E-GE3CT
SIHW47N60E-GE3CT-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 35A POWER MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 102W（Tc） TO-3PF
型号：
R6035KNZC8
仓库库存编号：
R6035KNZC8-ND
别名：R6035KNZC8TR
R6035KNZC8TR-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 12A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXFH）
型号：
IXFH12N50F
仓库库存编号：
IXFH12N50F-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 75A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 592W（Tc） TO-247
型号：
FCH043N60
仓库库存编号：
FCH043N60-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 6A TO268
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-268（IXFT）
型号：
IXFT6N100F
仓库库存编号：
IXFT6N100F-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 21A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXFH）
型号：
IXFH21N50F
仓库库存编号：
IXFH21N50F-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 106A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 106A（Tc） 833W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT106N60B2C6
仓库库存编号：
APT106N60B2C6-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 300mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
2N7002E
仓库库存编号：
2N7002ECT-ND
别名：2N7002ECT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 100MA ESV
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 150mW（Ta） ESV
型号：
SSM5N15FE(TE85L,F)
仓库库存编号：
SSM5N15FE(TE85LF)CT-ND
别名：SSM5N15FE(TE85LF)CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 0.1A USV
详细描述：表面贴装 N 沟道 100mA（Ta） 200mW（Ta） USV
型号：
SSM5N15FU,LF
仓库库存编号：
SSM5N15FULFCT-ND
别名：SSM5N15FU(TE85LF)CT
SSM5N15FU(TE85LF)CT-ND
SSM5N15FULFCT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323
详细描述：表面贴装 P 沟道 130mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
型号：
BSS84WQ-7-F
仓库库存编号：
BSS84WQ-7-FDICT-ND
别名：BSS84WQ-7-FDICT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 700mW（Ta），30W（Tc） 8-TSON
型号：
TPCC8002-H(TE12L,Q
仓库库存编号：
TPCC8002-H(TE12LQCT-ND
别名：TPCC8002-H(TE12LQCT
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