规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 15A(Tc) 156W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI15N65C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI15N65C3HKSA1-ND
别名:SP000294825
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI20N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI20N60C3HKSA1-ND
别名:SP000014453
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 21A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 500V 21A(Tc) 208W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI21N50C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI21N50C3HKSA1-ND
别名:SP000014463
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 125W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP11N60CFDHKSA1
仓库库存编号:
SPP11N60CFDHKSA1-ND
别名:SP000014533
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP034N03LGHKSA1
仓库库存编号:
IPP034N03LGHKSA1-ND
别名:SP000237660
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 25A
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 25A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF8252TRPBF-1
仓库库存编号:
IRF8252TRPBF-1-ND
别名:SP001563862
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 18A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 18A(Ta),105A(Tc) 3.8W(Ta),132W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7187TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7187TRPBF-ND
别名:SP001566852
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 14.5A(Tc) 95W(Tc) PG-TO262-3
型号:
BUZ31H3046XKSA1
仓库库存编号:
BUZ31H3046XKSA1-ND
别名:SP000682994
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A PG-TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 188W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06S402AKSA2
仓库库存编号:
IPP120N06S402AKSA2-ND
别名:SP001028774
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 120A PG-TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 120A(Tc) 167W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP120N06S403AKSA2
仓库库存编号:
IPP120N06S403AKSA2-ND
别名:SP001028768
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 90A PG-TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 90A(Tc) 150W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP90N06S404AKSA2
仓库库存编号:
IPP90N06S404AKSA2-ND
别名:SP001028750
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD04N60S5BTMA1
仓库库存编号:
SPD04N60S5BTMA1-ND
别名:SP000313946
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO262-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
IPB160N04S2L03ATMA2
仓库库存编号:
IPB160N04S2L03ATMA2-ND
别名:SP001058964
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 100V 23A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 23A(Ta),157A(Tc) 4W(Ta), 195W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7182TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7182TRPBF-ND
别名:SP001556394
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta) 2.5W
型号:
62-0136PBF
仓库库存编号:
62-0136PBF-ND
别名:SP001562150
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R380E6BTMA1
仓库库存编号:
IPD60R380E6BTMA1-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
不适用
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 600V 3.2A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 600V 3.2A(Tc) 28.4W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU60R1K4C6BKMA1
仓库库存编号:
IPU60R1K4C6BKMA1-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
不适用
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 10.6A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R380E6ATMA2
仓库库存编号:
IPD60R380E6ATMA2-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
不适用
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 160A(Tc) 230W(Tc)
型号:
64-0055PBF
仓库库存编号:
64-0055PBF-ND
别名:SP001553580
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 11A
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 11A(Ta),35A(Tc) 3.6W(Ta),39W(Tc) 8-PQFN(5x6)
型号:
IRFH7194TRPBF
仓库库存编号:
IRFH7194TRPBFCT-ND
别名:IRFH7194TRPBFCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
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