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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
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规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB06CN10N G
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 95A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 95A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-3
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规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 95A(Tc) 167W(Tc) PG-TO263-2
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IPB08CNE8N G
仓库库存编号:
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规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
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规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 38W(Tc) PG-TO263-2
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
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MOSFET N-CH 85V 67A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 67A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-2
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无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Tc) 31W(Tc) PG-TO263-2
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规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
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规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
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IPB160N04S2L03ATMA1
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IPB160N04S2L03ATMA1TR-ND
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IPB160N04S2L-03-ND
SP000218153
规格:Vgs(最大值) ±20V,
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MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 53A(Tc) 100W(Tc) PG-TO263-2
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规格:Vgs(最大值) ±20V,
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MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-2
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规格:Vgs(最大值) ±20V,
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MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 85V 35A(Tc) 71W(Tc) PG-TO-263
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IPB26CNE8N G
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IPB26CNE8N G-ND
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规格:Vgs(最大值) ±20V,
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MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 27A(Tc) 58W(Tc) PG-TO263-2
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SP000277693
规格:Vgs(最大值) ±20V,
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MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 20A(Tc) 44W(Tc) PG-TO263-3-2
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IPB50CN10NGATMA1
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SP000277696
规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO263-3-2
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IPB60R250CPATMA1
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别名:IPB60R250CP
IPB60R250CP-ND
SP000358140
规格:Vgs(最大值) ±20V,
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MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 77A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
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SP000218173
规格:Vgs(最大值) ±20V,
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MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 13A(Tc) 31W(Tc) PG-TO263-2
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IPB79CN10N G
仓库库存编号:
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
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IPB80N04S204ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N04S204ATMA1TR-ND
别名:IPB80N04S2-04
IPB80N04S2-04-ND
SP000218154
规格:Vgs(最大值) ±20V,
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MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
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IPB80N04S2H4ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N04S2H4ATMA1TR-ND
别名:IPB80N04S2-H4
IPB80N04S2-H4-ND
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MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N04S2L03ATMA1
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IPB80N04S2L03ATMA1TR-ND
别名:IPB80N04S2L-03
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