规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 94W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU05N03LA
仓库库存编号:
IPU05N03LA-ND
别名:SP000014903
规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU05N03LA G
仓库库存编号:
IPU05N03LA G-ND
别名:IPU05N03LAGX
SP000017595
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU06N03LB G
仓库库存编号:
IPU06N03LB G-ND
别名:IPU06N03LBGX
SP000209113
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 58W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU09N03LB G
仓库库存编号:
IPU09N03LB G-ND
别名:IPU09N03LBGX
SP000209115
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU10N03LA
仓库库存编号:
IPU10N03LA-ND
别名:SP000014984
规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU10N03LA G
仓库库存编号:
IPU10N03LA G-ND
别名:IPU10N03LAGX
SP000017597
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 60W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU20N03L G
仓库库存编号:
IPU20N03L G-ND
别名:IPU20N03LGX
IPU20N03LGXK
SP000018246
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPUH6N03LA G
仓库库存编号:
IPUH6N03LA G-ND
别名:IPUH6N03LAGX
SP000068594
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPUH6N03LB G
仓库库存编号:
IPUH6N03LB G-ND
别名:IPUH6N03LBGX
SP000209114
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
SN7002N E6327
仓库库存编号:
SN7002N E6327-ND
别名:SN7002NE6327XT
SP000014634
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
SN7002N E6433
仓库库存编号:
SN7002N E6433-ND
别名:SN7002NE6433XT
SP000014635
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 230mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT323-3
型号:
SN7002W E6433
仓库库存编号:
SN7002W E6433-ND
别名:SN7002WE6433
SP000014286
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 8.8A(Ta) 42W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB08P06P
仓库库存编号:
SPB08P06P-ND
别名:SP000012508
SPB08P06PT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2-03 G
仓库库存编号:
SPB100N03S2-03 G-ND
别名:SP000200140
SPB100N03S203GXT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N03S2L-03 G
仓库库存编号:
SPB100N03S2L-03 G-ND
别名:SP000200141
SPB100N03S2L03GXT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N04S2-04
仓库库存编号:
SPB100N04S2-04-ND
别名:SP000013711
SPB100N04S204T
规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N04S2L-03
仓库库存编号:
SPB100N04S2L-03-ND
别名:SP000013712
SPB100N04S2L03T
规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N06S2-05
仓库库存编号:
SPB100N06S2-05-ND
别名:SP000013713
SPB100N06S205T
规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N06S2L-05
仓库库存编号:
SPB100N06S2L-05-ND
别名:SP000013714
SPB100N06S2L05T
规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N08S2-07
仓库库存编号:
SPB100N08S2-07-ND
别名:SP000013715
SPB100N08S207T
规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB100N08S2L-07
仓库库存编号:
SPB100N08S2L-07-ND
别名:SP000013716
SPB100N08S2L07T
规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.3A(Tc) 50W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB10N10
仓库库存编号:
SPB10N10-ND
别名:SP000013845
SPB10N10T
规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.3A(Tc) 50W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB10N10 G
仓库库存编号:
SPB10N10 G-ND
别名:SP000102168
SPB10N10GXT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10.3A(Tc) 50W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB10N10L
仓库库存编号:
SPB10N10L-ND
别名:SP000013836
SPB10N10LT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 160A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7-3
型号:
SPB160N04S203CTMA1
仓库库存编号:
SPB160N04S203CTMA1TR-ND
别名:SP000014263
SPB160N04S2-03
SPB160N04S2-03-ND
SPB160N04S203T
规格:Vgs(最大值) ±20V,
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