规格：Vgs（最大值） ±20V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(14495)
分立半导体产品
(14495)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(538)
Diodes Incorporated(673)
Fairchild/Micross Components(1589)
Fairchild/ON Semiconductor(438)
Infineon Technologies(4378)
IXYS(1103)
IXYS Integrated Circuits Division(5)
Kionix Inc.(71)
Micro Commercial Co(18)
Microchip Technology(141)
Microsemi Corporation(52)
Microsemi Solutions Sdn Bhd.(152)
Nexperia USA Inc.(591)
NXP USA Inc.(247)
ON Semiconductor(615)
Panasonic - ATG(6)
Panasonic - BSG(4)
Panasonic - DTG(1)
Panasonic Electronic Components(7)
Panasonic Industrial Automation Sales(13)
Renesas Electronics America(232)
Rohm Semiconductor(192)
Sanken(85)
STMicroelectronics(588)
Taiwan Semiconductor Corporation(268)
Texas Instruments(99)
Torex Semiconductor Ltd(4)
Toshiba Semiconductor and Storage(304)
Vishay BC Components(294)
Vishay Beyschlag(903)
Vishay Electro-Films(375)
Vishay Huntington Electric Inc.(127)
Vishay Semiconductor Diodes Division(61)
Vishay Semiconductor Opto Division(37)
Vishay Sfernice(53)
Vishay Siliconix(185)
Vishay Spectrol(10)
Vishay Sprague(8)
Vishay Thin Film(8)
Vishay Vitramon(20)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR5505
仓库库存编号：
IRFR5505-ND
别名：*IRFR5505
SP001573284
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 30V 33A（Tc） 57W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU3303
仓库库存编号：
IRFU3303-ND
别名：*IRFU3303
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 55V 31A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU5305
仓库库存编号：
IRFU5305-ND
别名：*IRFU5305
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 55V 18A（Tc） 57W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU5505
仓库库存编号：
IRFU5505-ND
别名：*IRFU5505
SP001552454
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 100V 6.6A（Tc） 40W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU9120N
仓库库存编号：
IRFU9120N-ND
别名：*IRFU9120N
SP001573590
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ34NS
仓库库存编号：
IRFZ34NS-ND
别名：*IRFZ34NS
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ34NSTRR
仓库库存编号：
IRFZ34NSTRR-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 48A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44ESTRR
仓库库存编号：
IRFZ44ESTRR-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 49A（Tc） 3.8W（Ta），94W（Tc） TO-262
型号：
IRFZ44NL
仓库库存编号：
IRFZ44NL-ND
别名：*IRFZ44NL
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 53A（Tc） 3.8W（Ta），107W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ46NS
仓库库存编号：
IRFZ46NS-ND
别名：*IRFZ46NS
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 64A（Tc） 3.8W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
94-2989
仓库库存编号：
94-2989-ND
别名：*IRFZ48NS
IRFZ48NS
IRFZ48NS-ND
SP001518334
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 64A（Tc） 3.8W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ48NSTRR
仓库库存编号：
IRFZ48NSTRR-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） TO-262
型号：
IRL530NL
仓库库存编号：
IRL530NL-ND
别名：*IRL530NL
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
型号：
IRL530NSTRL
仓库库存编号：
IRL530NSTRL-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
型号：
IRL530NSTRR
仓库库存编号：
IRL530NSTRR-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4410DY
仓库库存编号：
SI4410DY-ND
别名：*SI4410DY
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4435DYTR
仓库库存编号：
SI4435DYTR-ND
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Tc） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4435DY
仓库库存编号：
SI4435DY-ND
别名：*SI4435DY
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.6A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8?
型号：
IRF7603TR
仓库库存编号：
IRF7603CT-ND
别名：*IRF7603TR
IRF7603
IRF7603CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.2A（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML2803TR
仓库库存编号：
IRLML2803CT-ND
别名：*IRLML2803TR
IRLML2803
IRLML2803-ND
IRLML2803CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 760mA（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
型号：
IRLML5103TR
仓库库存编号：
IRLML5103CT-ND
别名：*IRLML5103TR
IRLML5103
IRLML5103-ND
IRLML5103CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3.2A（Ta） 1.7W（Ta） Micro6?（TSOP-6）
型号：
IRLMS1503TR
仓库库存编号：
IRLMS1503CT-ND
别名：*IRLMS1503TR
IRLMS1503
IRLMS1503CT
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 31A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
型号：
IRF5305STRR
仓库库存编号：
IRF5305STRR-ND
别名：Q971401A
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 162A（Tc） 3.8W（Ta），200W（Tc） D2PAK
型号：
94-2110
仓库库存编号：
94-2110-ND
别名：*IRF1404S
IRF1404S
IRF1404S-ND
SP001521470
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 62A（Tc） 87W（Tc） D2PAK
型号：
IRF3707S
仓库库存编号：
IRF3707S-ND
别名：*IRF3707S
规格：Vgs（最大值） ±20V,
含铅
搜索
491
492
493
494
495
496
497
498
499
500
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
