规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 7.1A(Tc) 66W(Tc) PG-TO220FP
型号:
IPA50R520CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA50R520CPXKSA1-ND
别名:IPA50R520CP
IPA50R520CP-ND
SP000236076
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 208W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRFS7440TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7440TRLPBFCT-ND
别名:IRFS7440TRLPBFCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.2A(Tc) 74W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R450E6
仓库库存编号:
IPD60R450E6CT-ND
别名:IPD60R450E6CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S209ATMA2
仓库库存编号:
IPB80N06S209ATMA2CT-ND
别名:IPB80N06S209ATMA2CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 9.5A(Tc) 75W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
BUZ32 H
仓库库存编号:
BUZ32 H-ND
别名:BUZ32H
BUZ32HXKSA1
SP000682998
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 90A(Tc) 125W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90P04P405ATMA1
仓库库存编号:
IPD90P04P405ATMA1CT-ND
别名:IPD90P04P405ATMA1CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 255W(Tc) D2PAK
型号:
BUK763R4-30B,118
仓库库存编号:
1727-5253-1-ND
别名:1727-5253-1
568-6577-1
568-6577-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD06N03LB G
仓库库存编号:
IPD06N03LBGINCT-ND
别名:IPD06N03LBG
IPD06N03LBGINCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 58A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 58A(Tc) 94W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB123N10N3 G
仓库库存编号:
IPB123N10N3 GCT-ND
别名:IPB123N10N3 GCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 57A(Tc) 200W(Tc) D2PAK
型号:
IRF3710STRLPBF
仓库库存编号:
IRF3710STRLPBFCT-ND
别名:IRF3710STRLPBFCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 170W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN8R7-80BS,118
仓库库存编号:
1727-7217-1-ND
别名:1727-7217-1
568-9708-1
568-9708-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 9A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 41W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R360P7ATMA1
仓库库存编号:
IPD60R360P7ATMA1CT-ND
别名:IPD60R360P7ATMA1CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 45.1A(Tc) 230W(Tc) D2PAK
型号:
PHB45NQ15T,118
仓库库存编号:
1727-3057-1-ND
别名:1727-3057-1
568-2192-1
568-2192-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 76A(Tc) 125W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
IRFS7787TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS7787TRLPBFCT-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.6A(Ta),40A(Tc) 2.8W(Ta),60W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC079N03SG
仓库库存编号:
BSC079N03SGINCT-ND
别名:BSC079N03SGINCT
BSC079N03SGXTINCT
BSC079N03SGXTINCT-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 6A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 7W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN80R900P7ATMA1
仓库库存编号:
IPN80R900P7ATMA1CT-ND
别名:IPN80R900P7ATMA1CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 182W(Tc) D2PAK
型号:
BUK764R0-40E,118
仓库库存编号:
1727-7253-1-ND
别名:1727-7253-1
568-9882-1
568-9882-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 115W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB100N04S4H2ATMA1
仓库库存编号:
IPB100N04S4H2ATMA1CT-ND
别名:IPB100N04S4H2ATMA1CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 211W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN2R0-30BL,118
仓库库存编号:
1727-7113-1-ND
别名:1727-7113-1
568-9483-1
568-9483-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L07AKSA2
仓库库存编号:
IPP80N06S2L07AKSA2-ND
别名:SP001067894
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA50R399CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA50R399CPXKSA1-ND
别名:IPA50R399CP
IPA50R399CP-ND
SP000234987
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Ta) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP50R399CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP50R399CPXKSA1-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 9A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 9A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R399CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI50R399CPXKSA1-ND
别名:SP000680738
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB04N03LAT
仓库库存编号:
IPB04N03LAXTINCT-ND
别名:IPB04N03LAXTINCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB04N03LA
仓库库存编号:
IPB04N03LAINCT-ND
别名:IPB04N03LAINCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
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