规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 75A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 105W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
BUK7Y07-30B,115
仓库库存编号:
1727-4600-1-ND
别名:1727-4600-1
568-5510-1
568-5510-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Tc) 1.65W(Ta) SOT-223
型号:
BSP250,115
仓库库存编号:
1727-4930-1-ND
别名:1727-4930-1
568-6222-1
568-6222-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20.3A(Tc) 62W(Tc) D2PAK
型号:
BUK7675-55A,118
仓库库存编号:
1727-7174-1-ND
别名:1727-7174-1
568-9659-1
568-9659-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 93A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),93A(Tc) 2.5W(Ta),57W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC042N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC042N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC042N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC042N03MSGINCT
BSC042N03MSGINCT-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
SI4410DYTRPBF
仓库库存编号:
SI4410DYPBFCT-ND
别名:*SI4410DYTRPBF
SI4410DYPBFCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO051N03MS G
仓库库存编号:
BSO051N03MS GINCT-ND
别名:BSO051N03MS GINCT
BSO051N03MSG
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 40A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 2.1W(Ta),36W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ100N06NSATMA1
仓库库存编号:
BSZ100N06NSATMA1CT-ND
别名:BSZ100N06NSATMA1CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 40W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R800CE
仓库库存编号:
IPD50R800CECT-ND
别名:IPD50R800CECT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD50N03S2L06GBTMA1
仓库库存编号:
SPD50N03S2L06GBTMA1CT-ND
别名:SPD50N03S2L-06 GCT
SPD50N03S2L-06 GCT-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7326D2TRPBF
仓库库存编号:
IRF7326D2TRPBFCT-ND
别名:IRF7326D2TRPBFCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.7A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4105TRPBF
仓库库存编号:
IRFL4105TRPBFCT-ND
别名:IRFL4105TRPBFCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7811AVTRPBF
仓库库存编号:
IRF7811AVPBFCT-ND
别名:*IRF7811AVTRPBF
IRF7811AVPBFCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),48W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ050N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ050N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSZ050N03MSGINCT
BSZ050N03MSGINCT-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 500V 14.1A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 14.1A(Tc) 98W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R380CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD50R380CEAUMA1CT-ND
别名:IPD50R380CEAUMA1CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO083N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO083N03MSGXUMA1CT-ND
别名:BSO083N03MS GINCT
BSO083N03MS GINCT-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Ta),18A(Tc) 2.1W(Ta),37W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0904NSI
仓库库存编号:
BSZ0904NSICT-ND
别名:BSZ0904NSICT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.9A(Tc) 98W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R380CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R380CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R380CEATMA1CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 71W(Tc) PG-TO252-3-313
型号:
IPD90N04S404ATMA1
仓库库存编号:
IPD90N04S404ATMA1CT-ND
别名:IPD90N04S404ATMA1CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 550mA(Ta) 1.5W(Ta) SOT-223
型号:
BSP122,115
仓库库存编号:
1727-5406-1-ND
别名:1727-5406-1
568-6849-1
568-6849-1-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 58W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD33CN10NGATMA1
仓库库存编号:
IPD33CN10NGATMA1CT-ND
别名:IPD33CN10NGATMA1CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 47A(Tc) 175W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB47N10S-33
仓库库存编号:
IPB47N10S33ATMA1CT-ND
别名:IPB47N10S-33CT
IPB47N10S-33CT-ND
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 15A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),27W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ0506NSATMA1
仓库库存编号:
BSZ0506NSATMA1CT-ND
别名:BSZ0506NSATMA1CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N03S2L06ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND
别名:IPD50N03S2L06ATMA1CT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 3.44A 8DSO
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.44A(Ta) 2.5W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO613SPV G
仓库库存编号:
BSO613SPV GCT-ND
别名:BSO613SPV GCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 16A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),37W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ036NE2LS
仓库库存编号:
BSZ036NE2LSCT-ND
别名:BSZ036NE2LSCT
规格:Vgs(最大值) ±20V,
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