产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
电阻器
电阻器
(13726)
芯片电阻 - 表面安装
(13426)
电阻器网络，阵列
(299)
通孔电阻器
(1)
筛选品牌
Vishay Dale(9796)
Vishay Foil Resistors (Division of Vishay Precision Group)(3930)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Dale
RES SMD 1.5K OHM 5% 0.8W 2010
详细描述：±5% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B1K50RWS
仓库库存编号：
M55342H08B1K50RWS-ND
别名：M55342H08B1K50RWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 1.8M OHM 2% 0.8W 2010
详细描述：±2% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B1T80RWS
仓库库存编号：
M55342H08B1T80RWS-ND
别名：M55342H08B1T80RWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 205 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B205DRWS
仓库库存编号：
M55342H08B205DRWS-ND
别名：M55342H08B205DRWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 20 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B20D0RWS
仓库库存编号：
M55342H08B20D0RWS-ND
别名：M55342H08B20D0RWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 20K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B20E0RWS
仓库库存编号：
M55342H08B20E0RWS-ND
别名：M55342H08B20E0RWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 220 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B220DRWS
仓库库存编号：
M55342H08B220DRWS-ND
别名：M55342H08B220DRWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 221 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B221DRWS
仓库库存编号：
M55342H08B221DRWS-ND
别名：M55342H08B221DRWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 22.1 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B22D1RWS
仓库库存编号：
M55342H08B22D1RWS-ND
别名：M55342H08B22D1RWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 249K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B249ERWS
仓库库存编号：
M55342H08B249ERWS-ND
别名：M55342H08B249ERWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 274 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B274DRWS
仓库库存编号：
M55342H08B274DRWS-ND
别名：M55342H08B274DRWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 27.4 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B27D4RWS
仓库库存编号：
M55342H08B27D4RWS-ND
别名：M55342H08B27D4RWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 2.05K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述：±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B2B05RWS
仓库库存编号：
M55342H08B2B05RWS-ND
别名：M55342H08B2B05RWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 2.32K OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述：±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B2B32RWS
仓库库存编号：
M55342H08B2B32RWS-ND
别名：M55342H08B2B32RWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 2M OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述：±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B2C00RWS
仓库库存编号：
M55342H08B2C00RWS-ND
别名：M55342H08B2C00RWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 2K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B2E00MWS
仓库库存编号：
M55342H08B2E00MWS-ND
别名：M55342H08B2E00MWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 2.21K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B2E21RWS
仓库库存编号：
M55342H08B2E21RWS-ND
别名：M55342H08B2E21RWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 2.74K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B2E74RWS
仓库库存编号：
M55342H08B2E74RWS-ND
别名：M55342H08B2E74RWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 301 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B301DRWS
仓库库存编号：
M55342H08B301DRWS-ND
别名：M55342H08B301DRWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 30.1K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B30E1RWS
仓库库存编号：
M55342H08B30E1RWS-ND
别名：M55342H08B30E1RWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 316K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B316EPWS
仓库库存编号：
M55342H08B316EPWS-ND
别名：M55342H08B316EPWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 316K OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B316ERWS
仓库库存编号：
M55342H08B316ERWS-ND
别名：M55342H08B316ERWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 332 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B332DRWS
仓库库存编号：
M55342H08B332DRWS-ND
别名：M55342H08B332DRWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 37.4 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B37D4RWS
仓库库存编号：
M55342H08B37D4RWS-ND
别名：M55342H08B37D4RWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 392 OHM 1% 0.8W 2010
详细描述：±1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B392DRWS
仓库库存编号：
M55342H08B392DRWS-ND
别名：M55342H08B392DRWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
Vishay Dale
RES SMD 39.2 OHM 0.1% 0.8W 2010
详细描述：±0.1% 0.8W 薄膜 芯片电阻 2010（5025 公制） 军用，非电感 薄膜
型号：
M55342H08B39A2RWS
仓库库存编号：
M55342H08B39A2RWS-ND
别名：M55342H08B39A2RWS-MIL
产品分类：电阻器,规格：包装 托盘 - 晶粒,
含铅
搜索
390
391
392
393
394
395
396
397
398
399
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
