产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 12ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 167MHz 5.4ns 90-VFBGA（8x13）
型号：
MT48LC2M32B2B5-6A:J
仓库库存编号：
MT48LC2M32B2B5-6A:J-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 12ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 60FBGA
详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （32M x 8） 并联 167MHz 5.4ns 60-FBGA（8x16）
型号：
MT48LC32M8A2BB-6A:G
仓库库存编号：
MT48LC32M8A2BB-6A:G-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 12ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 54VFBGA
详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 167MHz 5.4ns 54-VFBGA（8x8）
型号：
MT48LC4M16A2B4-6A:J
仓库库存编号：
MT48LC4M16A2B4-6A:J-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 12ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 54TSOP
详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 167MHz 5.4ns 54-TSOP II
型号：
MT48LC4M16A2P-6A AAT:J
仓库库存编号：
MT48LC4M16A2P-6A AAT:J-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 12ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 60FBGA
详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （64M x 4） 并联 167MHz 5.4ns 60-TFBGA（8x16）
型号：
MT48LC64M4A2BB-6A:G
仓库库存编号：
MT48LC64M4A2BB-6A:G-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 12ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 54TSOP
详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （64M x 4） 并联 167MHz 5.4ns 54-TSOP II
型号：
MT48LC64M4A2P-6A:G
仓库库存编号：
MT48LC64M4A2P-6A:G-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 12ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 54TSOP
详细描述：SDRAM 存储器 IC 64Mb （8M x 8） 并联 167MHz 5.4ns 54-TSOP II
型号：
MT48LC8M8A2P-6A:J
仓库库存编号：
MT48LC8M8A2P-6A:J-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 12ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54TSOP
详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
型号：
AS4C16M16S-6TANTR
仓库库存编号：
AS4C16M16S-6TANTR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 12ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54TSOP
详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
型号：
AS4C16M16S-6TINTR
仓库库存编号：
AS4C16M16S-6TINTR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 12ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54TSOP
详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
型号：
AS4C16M16S-6TAN
仓库库存编号：
1450-1144-ND
别名：1450-1144
AS4C16M16S-6TAN-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 12ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54TSOP
详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 166MHz 5.4ns 54-TSOP II
型号：
AS4C16M16S-6TCN
仓库库存编号：
1450-1145-ND
别名：1450-1145
AS4C16M16S-6TCN-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 12ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54FBGA
详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 166MHz 5.4ns 54-TFBGA（8x8）
型号：
AS4C16M16S-6BIN
仓库库存编号：
1450-1075-ND
别名：1450-1075
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 12ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54FBGA
详细描述：SDRAM 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 166MHz 5.4ns 54-TFBGA（8x8）
型号：
AS4C16M16S-6BINTR
仓库库存编号：
AS4C16M16S-6BINTR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 12ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 32MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述：SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 32Mb （2M x 16） 并联 166MHz 5.5ns 60-TFBGA（8x10）
型号：
IS43LR16200C-6BL
仓库库存编号：
IS43LR16200C-6BL-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 12ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 32MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述：SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 32Mb （2M x 16） 并联 166MHz 5.5ns 60-TFBGA（8x10）
型号：
IS43LR16200C-6BLI
仓库库存编号：
IS43LR16200C-6BLI-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 12ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 32MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述：SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 32Mb （2M x 16） 并联 166MHz 5.5ns 60-TFBGA（8x10）
型号：
IS43LR16200C-6BLI-TR
仓库库存编号：
IS43LR16200C-6BLI-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 12ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 32MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述：SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 32Mb （2M x 16） 并联 166MHz 5.5ns 60-TFBGA（8x10）
型号：
IS43LR16200C-6BL-TR
仓库库存编号：
IS43LR16200C-6BL-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 12ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 32MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 32Mb （1M x 32） 并联 166MHz 5.5ns 90-TFBGA（8x13）
型号：
IS43LR32100C-6BL
仓库库存编号：
IS43LR32100C-6BL-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 12ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 32MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 32Mb （1M x 32） 并联 166MHz 5.5ns 90-TFBGA（8x13）
型号：
IS43LR32100C-6BLI
仓库库存编号：
IS43LR32100C-6BLI-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 12ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 32MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 32Mb （1M x 32） 并联 166MHz 5.5ns 90-TFBGA（8x13）
型号：
IS43LR32100C-6BLI-TR
仓库库存编号：
IS43LR32100C-6BLI-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 12ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 32MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 32Mb （1M x 32） 并联 166MHz 5.5ns 90-TFBGA（8x13）
型号：
IS43LR32100C-6BL-TR
仓库库存编号：
IS43LR32100C-6BL-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 12ns,
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Renesas Electronics America
IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP
详细描述：SRAM 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 12ns 44-TSOP II
型号：
R1RW0416DSB-2PI#D1
仓库库存编号：
R1RW0416DSB-2PI#D1-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 12ns,
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Renesas Electronics America
IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP
详细描述：SRAM 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 12ns 44-TSOP II
型号：
R1RW0416DSB-2PI#D0
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R1RW0416DSB-2PI#D0-ND
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