产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 12NS 48CABGA
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (256K x 16) 并联 12ns 48-CABGA(9x9)
型号:
71V416L12BE8
仓库库存编号:
71V416L12BE8-ND
别名:IDT71V416L12BE8
IDT71V416L12BE8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
含铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 167MHZ 54TSOP
详细描述:SDRAM 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 5.4ns 54-TSOP II
型号:
MT48LC8M16A2P-6A IT:L TR
仓库库存编号:
MT48LC8M16A2P-6A IT:L TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 54TSOP
详细描述:SDRAM 存储器 IC 256Mb (32M x 8) 并联 5.4ns 54-TSOP II
型号:
MT48LC32M8A2P-6A:G
仓库库存编号:
MT48LC32M8A2P-6A:G-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 167MHZ 54TSOP
详细描述:SDRAM 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 5.4ns 54-TSOP II
型号:
MT48LC8M16A2P-6A IT:L
仓库库存编号:
MT48LC8M16A2P-6A IT:L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 12NS 48CABGA
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (256K x 16) 并联 12ns 48-CABGA(9x9)
型号:
71V416L12BEG8
仓库库存编号:
71V416L12BEG8-ND
别名:IDT71V416L12BEG8
IDT71V416L12BEG8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 12NS 48CABGA
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (256K x 16) 并联 12ns 48-CABGA(9x9)
型号:
71V416L12BEI8
仓库库存编号:
71V416L12BEI8-ND
别名:IDT71V416L12BEI8
IDT71V416L12BEI8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 12NS 44SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (256K x 16) 并联 12ns 44-SOJ
型号:
71V416L12YG8
仓库库存编号:
71V416L12YG8-ND
别名:IDT71V416L12YG8
IDT71V416L12YG8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 12NS 36SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 12ns 36-SOJ
型号:
71V424L12YG8
仓库库存编号:
71V424L12YG8-ND
别名:IDT71V424L12YG8
IDT71V424L12YG8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 12NS 48CABGA
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (256K x 16) 并联 12ns 48-CABGA(9x9)
型号:
71V416S12BE8
仓库库存编号:
71V416S12BE8-ND
别名:IDT71V416S12BE8
IDT71V416S12BE8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 12NS 48CABGA
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (256K x 16) 并联 12ns 48-CABGA(9x9)
型号:
71V416S12BEG8
仓库库存编号:
71V416S12BEG8-ND
别名:IDT71V416S12BEG8
IDT71V416S12BEG8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 12ns 44-TSOP II
型号:
71V424L12PHG8
仓库库存编号:
71V424L12PHG8-ND
别名:IDT71V424L12PHG8
IDT71V424L12PHG8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 54VFBGA
详细描述:SDRAM 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 5.4ns 54-VFBGA(8x8)
型号:
MT48LC16M16A2B4-6A:G TR
仓库库存编号:
MT48LC16M16A2B4-6A:G TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 12NS 48CABGA
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (256K x 16) 并联 12ns 48-CABGA(9x9)
型号:
71V416S12BEI8
仓库库存编号:
71V416S12BEI8-ND
别名:IDT71V416S12BEI8
IDT71V416S12BEI8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
含铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 54VFBGA
详细描述:SDRAM 存储器 IC 64Mb (4M x 16) 并联 5.4ns 54-VFBGA(8x8)
型号:
MT48LC4M16A2B4-6A IT:J TR
仓库库存编号:
MT48LC4M16A2B4-6A IT:J TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 64MBIT 167MHZ 54VFBGA
详细描述:SDRAM 存储器 IC 64Mb (4M x 16) 并联 5.4ns 54-VFBGA(8x8)
型号:
MT48LC4M16A2B4-6A IT:J
仓库库存编号:
MT48LC4M16A2B4-6A IT:J-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 12NS 44SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (256K x 16) 并联 12ns 44-SOJ
型号:
71V416L12YGI8
仓库库存编号:
71V416L12YGI8-ND
别名:IDT71V416L12YGI8
IDT71V416L12YGI8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 12NS 36SOJ
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 12ns 36-SOJ
型号:
71V424S12YGI8
仓库库存编号:
71V424S12YGI8-ND
别名:IDT71V424S12YGI8
IDT71V424S12YGI8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 54TSOP
详细描述:SDRAM 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 5.4ns 54-TSOP II
型号:
MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR
仓库库存编号:
MT48LC16M16A2P-6A IT:G TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 167MHZ 54VFBGA
详细描述:SDRAM 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 5.4ns 54-VFBGA(8x8)
型号:
MT48LC8M16A2B4-6A:L TR
仓库库存编号:
MT48LC8M16A2B4-6A:L TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 54VFBGA
详细描述:SDRAM 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 5.4ns 54-VFBGA(8x8)
型号:
MT48LC16M16A2B4-6A:G
仓库库存编号:
MT48LC16M16A2B4-6A:G-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM 存储器 IC 128Mb (16M x 8) 并联 5.4ns 60-TFBGA(8x16)
型号:
MT48LC16M8A2BB-6A XIT:L
仓库库存编号:
MT48LC16M8A2BB-6A XIT:L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 167MHZ 54TSOP
详细描述:SDRAM 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 5.4ns 54-TSOP II
型号:
MT48LC8M16A2P-6A XIT:L
仓库库存编号:
MT48LC8M16A2P-6A XIT:L-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM 存储器 IC 128Mb (16M x 8) 并联 5.4ns 60-FBGA(8x16)
型号:
MT48LC16M8A2BB-6A XIT:L TR
仓库库存编号:
MT48LC16M8A2BB-6A XIT:L TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 167MHZ 54TSOP
详细描述:SDRAM 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 5.4ns 54-TSOP II
型号:
MT48LC8M16A2P-6A XIT:L TR
仓库库存编号:
MT48LC8M16A2P-6A XIT:L TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 12NS 44TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb (512K x 8) 并联 12ns 44-TSOP II
型号:
71V424L12PHGI8
仓库库存编号:
71V424L12PHGI8-ND
别名:IDT71V424L12PHGI8
IDT71V424L12PHGI8-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 12ns,
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