产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
集成电路(IC)
>
存储器
筛选品牌
Alliance Memory, Inc.(357)
Cypress Semiconductor Corp(292)
IDT, Integrated Device Technology Inc(514)
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc(633)
Micron Technology Inc.(1155)
Winbond Electronics(197)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 200MHZ 92FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (256M x 4) 并联 200MHz 600ps 92-FBGA(11x19)
型号:
MT47H256M4B7-5E:A TR
仓库库存编号:
MT47H256M4B7-5E:A TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 200MHZ 92FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (256M x 4) 并联 200MHz 600ps 92-FBGA(11x19)
型号:
MT47H256M4B7-5E:A
仓库库存编号:
MT47H256M4B7-5E:A-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 266MHZ 92FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (256M x 4) 并联 267MHz 400ps 92-FBGA(11x19)
型号:
MT47H256M4B7-37E:A
仓库库存编号:
MT47H256M4B7-37E:A-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 266MHZ 92FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (256M x 4) 并联 267MHz 400ps 92-FBGA(11x19)
型号:
MT47H256M4B7-37E:A TR
仓库库存编号:
MT47H256M4B7-37E:A TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 266MHZ 92FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 200MHz 600ps 92-FBGA(11x19)
型号:
MT47H128M8B7-5E:A
仓库库存编号:
MT47H128M8B7-5E:A-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 266MHZ 92FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 200MHz 600ps 92-FBGA(11x19)
型号:
MT47H128M8B7-5E:A TR
仓库库存编号:
MT47H128M8B7-5E:A TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 266MHZ 92FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 200MHz 600ps 92-FBGA(11x19)
型号:
MT47H128M8B7-5E L:A TR
仓库库存编号:
MT47H128M8B7-5E L:A TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 266MHZ 92FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 200MHz 600ps 92-FBGA(11x19)
型号:
MT47H128M8B7-5E L:A
仓库库存编号:
MT47H128M8B7-5E L:A-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 266MHZ 92FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 267MHz 400ps 92-FBGA(11x19)
型号:
MT47H128M8B7-37E:A
仓库库存编号:
MT47H128M8B7-37E:A-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 266MHZ 92FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 267MHz 400ps 92-FBGA(11x19)
型号:
MT47H128M8B7-37E:A TR
仓库库存编号:
MT47H128M8B7-37E:A TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 266MHZ 92FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 267MHz 400ps 92-FBGA(11x19)
型号:
MT47H128M8B7-37E L:A
仓库库存编号:
MT47H128M8B7-37E L:A-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 266MHZ 92FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 267MHz 400ps 92-FBGA(11x19)
型号:
MT47H128M8B7-37E L:A TR
仓库库存编号:
MT47H128M8B7-37E L:A TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 266MHZ 92FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 267MHz 400ps 92-FBGA(11x19)
型号:
MT47H64M16B7-37E:A
仓库库存编号:
MT47H64M16B7-37E:A-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 266MHZ 92FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 267MHz 400ps 92-FBGA(11x19)
型号:
MT47H64M16B7-37E:A TR
仓库库存编号:
MT47H64M16B7-37E:A TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 200MHZ 92FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 200MHz 600ps 92-FBGA(11x19)
型号:
MT47H64M16B7-5E:A TR
仓库库存编号:
MT47H64M16B7-5E:A TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 200MHZ 92FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 200MHz 600ps 92-FBGA(11x19)
型号:
MT47H64M16B7-5E:A
仓库库存编号:
MT47H64M16B7-5E:A-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 256KBIT 15NS 28TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 15ns 28-TSOP I
型号:
CY7C199CL-15ZXC
仓库库存编号:
CY7C199CL-15ZXC-ND
别名:Q2718036
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 256KBIT 15NS 28DIP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb (32K x 8) 并联 15ns 28-PDIP
型号:
CY7C199C-15PXC
仓库库存编号:
CY7C199C-15PXC-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 1MBIT 15NS 32TSOP
详细描述:SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb (128K x 8) 并联 15ns 32-TSOP I
型号:
CY7C109B-15ZXC
仓库库存编号:
428-1801-ND
别名:428-1801
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 90VFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb (8M x 32) 并联 133MHz 6.0ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
MT46H8M32LFB5-75:A TR
仓库库存编号:
MT46H8M32LFB5-75:A TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 90VFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb (8M x 32) 并联 133MHz 6.0ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR
仓库库存编号:
MT46H8M32LFB5-75 IT:A TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb (8M x 32) 并联 104MHz 7.0ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR
仓库库存编号:
MT46H8M32LFB5-10 IT:A TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 167MHz 700ps 60-FBGA(10x12.5)
型号:
MT46V64M8BN-6 IT:F TR
仓库库存编号:
MT46V64M8BN-6 IT:F TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 167MHz 700ps 60-FBGA(10x12.5)
型号:
MT46V64M8BN-6 L:F TR
仓库库存编号:
MT46V64M8BN-6 L:F TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 333MHZ 84FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 333MHz 450ps 84-FBGA(8x14)
型号:
MT47H16M16BG-3 IT:B TR
仓库库存编号:
MT47H16M16BG-3 IT:B TR-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
搜索
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号