以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 128MBIT 100MHZ 54VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 100MHz 7ns 54-VFBGA（8x8）
  
  型号：MT48V8M16LFF4-10:G
  仓库库存编号：MT48V8M16LFF4-10:G-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 125MHz 7ns 54-VFBGA（8x8）
  
  型号：MT48V8M16LFF4-8 IT:G
  仓库库存编号：MT48V8M16LFF4-8 IT:G-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 125MHz 7ns 54-VFBGA（8x8）
  
  型号：MT48V8M16LFF4-8 IT:G TR
  仓库库存编号：MT48V8M16LFF4-8 IT:G TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 125MHz 7ns 54-VFBGA（8x8）
  
  型号：MT48V8M16LFF4-8 XT:G
  仓库库存编号：MT48V8M16LFF4-8 XT:G-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 125MHz 7ns 54-VFBGA（8x8）
  
  型号：MT48V8M16LFF4-8 XT:G TR
  仓库库存编号：MT48V8M16LFF4-8 XT:G TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 125MHz 7ns 54-VFBGA（8x8）
  
  型号：MT48V8M16LFF4-8:G
  仓库库存编号：MT48V8M16LFF4-8:G-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 128MBIT 125MHZ 54VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 125MHz 7ns 54-VFBGA（8x8）
  
  型号：MT48V8M16LFF4-8:G TR
  仓库库存编号：MT48V8M16LFF4-8:G TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb （8M x 32） 并联 100MHz 7ns 90-VFBGA（8x13）
  
  型号：MT48V8M32LFB5-10
  仓库库存编号：MT48V8M32LFB5-10-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb （8M x 32） 并联 100MHz 7ns 90-VFBGA（8x13）
  
  型号：MT48V8M32LFB5-10 IT
  仓库库存编号：MT48V8M32LFB5-10 IT-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb （8M x 32） 并联 100MHz 7ns 90-VFBGA（8x13）
  
  型号：MT48V8M32LFB5-10 IT TR
  仓库库存编号：MT48V8M32LFB5-10 IT TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb （8M x 32） 并联 100MHz 7ns 90-VFBGA（8x13）
  
  型号：MT48V8M32LFB5-10 TR
  仓库库存编号：MT48V8M32LFB5-10 TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb （8M x 32） 并联 100MHz 7ns 90-VFBGA（8x13）
  
  型号：MT48V8M32LFF5-10
  仓库库存编号：MT48V8M32LFF5-10-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb （8M x 32） 并联 100MHz 7ns 90-VFBGA（8x13）
  
  型号：MT48V8M32LFF5-10 IT
  仓库库存编号：MT48V8M32LFF5-10 IT-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb （8M x 32） 并联 100MHz 7ns 90-VFBGA（8x13）
  
  型号：MT48V8M32LFF5-10 IT TR
  仓库库存编号：MT48V8M32LFF5-10 IT TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 256MBIT 100MHZ 90VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb （8M x 32） 并联 100MHz 7ns 90-VFBGA（8x13）
  
  型号：MT48V8M32LFF5-10 TR
  仓库库存编号：MT48V8M32LFF5-10 TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 256MBIT 125MHZ 90VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb （8M x 32） 并联 125MHz 7ns 90-VFBGA（8x13）
  
  型号：MT48V8M32LFF5-8
  仓库库存编号：MT48V8M32LFF5-8-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 256MBIT 125MHZ 90VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb （8M x 32） 并联 125MHz 7ns 90-VFBGA（8x13）
  
  型号：MT48V8M32LFF5-8 IT
  仓库库存编号：MT48V8M32LFF5-8 IT-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 256MBIT 125MHZ 90VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb （8M x 32） 并联 125MHz 7ns 90-VFBGA（8x13）
  
  型号：MT48V8M32LFF5-8 IT TR
  仓库库存编号：MT48V8M32LFF5-8 IT TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 256MBIT 125MHZ 90VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb （8M x 32） 并联 125MHz 7ns 90-VFBGA（8x13）
  
  型号：MT48V8M32LFF5-8 TR
  仓库库存编号：MT48V8M32LFF5-8 TR-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 84FBGA
  详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 333MHz 450ps 84-FBGA（12x12.5）
  
  型号：MT47H32M16CC-3:B TR
  仓库库存编号：557-1200-1-ND
  别名：557-1200-1
  MT47H32M16CC3BTR
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Cypress Semiconductor Corp
  IC SRAM 1MBIT 15NS 44TSOP
  详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb （64K x 16） 并联 15ns 44-TSOP II
  
  型号：CY7C1021BV33L-15ZXC
  仓库库存编号：428-1777-ND
  别名：428-1777
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Cypress Semiconductor Corp
  IC SRAM 4MBIT 15NS 44TSOP
  详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 15ns 44-TSOP II
  
  型号：CY7C1041B-15ZXC
  仓库库存编号：428-1778-ND
  别名：428-1778
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Cypress Semiconductor Corp
  IC SRAM 4MBIT 15NS 36SOJ
  详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 15ns 36-SOJ
  
  型号：CY7C1049B-15VXC
  仓库库存编号：428-1779-ND
  别名：428-1779
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Cypress Semiconductor Corp
  IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP
  详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 15ns 100-TQFP（14x14）
  
  型号：CY7C009-15AXC
  仓库库存编号：CY7C009-15AXC-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 84FBGA
  详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 333MHz 450ps 84-FBGA（10x12.5）
  
  型号：MT47H32M16BN-3:D TR
  仓库库存编号：557-1203-1-ND
  别名：557-1203-1
  MT47H32M16BN3DTR
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
• 无铅
• 搜索