产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 5.0ns 90-VFBGA（8x13）
型号：
MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C TR
仓库库存编号：
MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb （64M x 8） 并联 400ps 60-FBGA（8x10）
型号：
AS4C64M8D2-25BANTR
仓库库存编号：
AS4C64M8D2-25BANTR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 60BGA
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 700ps 60-TFBGA（8x13）
型号：
IS43R16160F-5BL-TR
仓库库存编号：
IS43R16160F-5BL-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 700ps 66-TSOP
型号：
MT46V32M16P-5B:J
仓库库存编号：
MT46V32M16P-5B:J-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb （64M x 8） 并联 700ps 66-TSOP
型号：
MT46V64M8P-5B:J
仓库库存编号：
MT46V64M8P-5B:J-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 15NS 48CABGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 15ns 48-CABGA（9x9）
型号：
71V416L15BEG8
仓库库存编号：
800-1846-2-ND
别名：800-1846-2
IDT71V416L15BEG8
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 15NS 48CABGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 15ns 48-CABGA（9x9）
型号：
71V416L15BEI8
仓库库存编号：
71V416L15BEI8-ND
别名：IDT71V416L15BEI8
IDT71V416L15BEI8-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
含铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 20ns 78-FBGA（8x10.5）
型号：
AS4C128M8D3L-12BIN
仓库库存编号：
1450-1092-ND
别名：1450-1092
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 700ps 66-TSOP
型号：
MT46V16M16P-5B IT:M
仓库库存编号：
MT46V16M16P-5B IT:M-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 700ps 66-TSOP
型号：
MT46V16M16P-5B IT:M TR
仓库库存编号：
MT46V16M16P-5B IT:M TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 700ps 60-TFBGA（8x13）
型号：
IS43R16160D-6BL-TR
仓库库存编号：
IS43R16160D-6BL-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 84FBGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 400ps 84-FBGA（8x12.5）
型号：
MT47H32M16NF-25E AIT:H
仓库库存编号：
MT47H32M16NF-25E AIT:H-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60FBGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb （64M x 8） 并联 400ps 60-FBGA（8x10）
型号：
MT47H64M8SH-25E AIT:H
仓库库存编号：
MT47H64M8SH-25E AIT:H-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb （32M x 8） 并联 700ps 66-TSOP II
型号：
IS43R83200D-6TL-TR
仓库库存编号：
IS43R83200D-6TL-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 700ps 66-TSOP II
型号：
IS46R16160F-6TLA1
仓库库存编号：
IS46R16160F-6TLA1-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 15NS 36SOJ
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 15ns 36-SOJ
型号：
71V424L15YG8
仓库库存编号：
71V424L15YG8-ND
别名：IDT71V424L15YG8
IDT71V424L15YG8-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 15NS 48CABGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 15ns 48-CABGA（9x9）
型号：
71V416S15BE8
仓库库存编号：
71V416S15BE8-ND
别名：IDT71V416S15BE8
IDT71V416S15BE8-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 15NS 48CABGA
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 15ns 48-CABGA（9x9）
型号：
71V416S15BEG8
仓库库存编号：
71V416S15BEG8-ND
别名：IDT71V416S15BEG8
IDT71V416S15BEG8-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 700ps 60-TFBGA（8x13）
型号：
IS43R16160F-6BL
仓库库存编号：
IS43R16160F-6BL-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 5.0ns 90-VFBGA（8x13）
型号：
MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR
仓库库存编号：
MT46H16M32LFB5-6 AIT:C TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 5.0ns 90-VFBGA（8x13）
型号：
MT46H16M32LFB5-6 AIT:C
仓库库存编号：
MT46H16M32LFB5-6 AIT:C-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60FBGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （256M x 4） 并联 400ps 60-FBGA（8x10）
型号：
MT47H256M4SH-25E:M
仓库库存编号：
MT47H256M4SH-25E:M-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 78BGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 20ns 78-FBGA（8x10.5）
型号：
AS4C256M8D3-15BCNTR
仓库库存编号：
AS4C256M8D3-15BCNTR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 144BGA
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 128Mb （4M x 32） 并联 700ps 144-LFBGA（12x12）
型号：
IS43R32400E-5BL-TR
仓库库存编号：
IS43R32400E-5BL-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 128MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 128Mb （4M x 32） 并联 5.5ns 90-TFBGA（8x13）
型号：
IS43LR32400G-6BLI-TR
仓库库存编号：
IS43LR32400G-6BLI-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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