产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 15NS 44TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （512K x 8） 并联 15ns 44-TSOP II
型号：
71V424S15PHG
仓库库存编号：
71V424S15PHG-ND
别名：IDT71V424S15PHG
IDT71V424S15PHG-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 32MBIT 166MHZ 90BGA
详细描述：SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 32Mb （1M x 32） 并联 5.5ns 90-TFBGA（8x13）
型号：
IS43LR32100D-6BL-TR
仓库库存编号：
IS43LR32100D-6BL-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 60BGA
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 55ns 60-TFBGA（13x8）
型号：
W9425G6JB-5 TR
仓库库存编号：
W9425G6JB-5 TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 32MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述：SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 32Mb （2M x 16） 并联 5.5ns 60-TFBGA（8x10）
型号：
IS43LR16200D-6BL
仓库库存编号：
IS43LR16200D-6BL-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 20ns 96-TWBGA（9x13）
型号：
IS43TR16640B-125JBL-TR
仓库库存编号：
IS43TR16640B-125JBL-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 700ps 66-TSOP II
型号：
IS43R16160D-5TL
仓库库存编号：
IS43R16160D-5TL-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb （32M x 8） 并联 700ps 66-TSOP II
型号：
IS43R83200F-6TL
仓库库存编号：
IS43R83200F-6TL-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb （64M x 8） 并联 700ps 66-TSOP II
型号：
AS4C64M8D1-5TCN
仓库库存编号：
1450-1328-ND
别名：1450-1328
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 4MBIT 15NS 44TSOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 4Mb （256K x 16） 并联 15ns 44-TSOP II
型号：
71V416L15PHGI8
仓库库存编号：
71V416L15PHGI8-ND
别名：IDT71V416L15PHGI8
IDT71V416L15PHGI8-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 168WFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 168-WFBGA（12x12）
型号：
W978H6KBQX2E
仓库库存编号：
W978H6KBQX2E-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 60BGA
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 700ps 60-TFBGA（13x8）
型号：
AS4C16M16D1-5BCNTR
仓库库存编号：
AS4C16M16D1-5BCNTR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 32MBIT 166MHZ 60BGA
详细描述：SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 32Mb （2M x 16） 并联 5.5ns 60-TFBGA（8x10）
型号：
IS43LR16200D-6BLI-TR
仓库库存编号：
IS43LR16200D-6BLI-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 134VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 256Mb （8M x 32） 并联 134-VFBGA（10x11.5）
型号：
W978H2KBVX2E
仓库库存编号：
W978H2KBVX2E-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 134VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 134-VFBGA（10x11.5）
型号：
W978H6KBVX2I
仓库库存编号：
W978H6KBVX2I-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 168WFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 256Mb （8M x 32） 并联 168-WFBGA（12x12）
型号：
W978H2KBQX2E
仓库库存编号：
W978H2KBQX2E-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 168WFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 168-WFBGA（12x12）
型号：
W978H6KBQX2I
仓库库存编号：
W978H6KBQX2I-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 15NS 28DIP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 15ns 28-PDIP
型号：
71256SA15TPGI
仓库库存编号：
71256SA15TPGI-ND
别名：IDT71256SA15TPGI
IDT71256SA15TPGI-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 166MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 700ps 66-TSOP II
型号：
IS43R16160D-6TLI-TR
仓库库存编号：
IS43R16160D-6TLI-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 20ns 96-TWBGA（9x13）
型号：
IS43TR16640BL-125JBL-TR
仓库库存编号：
IS43TR16640BL-125JBL-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 168WFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 256Mb （8M x 32） 并联 168-WFBGA（12x12）
型号：
W978H2KBQX2I
仓库库存编号：
W978H2KBQX2I-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 134VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 256Mb （8M x 32） 并联 134-VFBGA（10x11.5）
型号：
W978H2KBVX2I
仓库库存编号：
W978H2KBVX2I-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 20ns 78-TWBGA（8x10.5）
型号：
IS43TR81280B-125JBL-TR
仓库库存编号：
IS43TR81280B-125JBL-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 84BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 400ps 84-TFBGA （12.5x8）
型号：
AS4C32M16D2A-25BINTR
仓库库存编号：
AS4C32M16D2A-25BINTR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 512MBIT 166MHZ 60FBGA
详细描述：SDRAM - 移动 DDR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 700ps 60-FPBGA（8x10）
型号：
AS4C32M16MD1-6BCNTR
仓库库存编号：
AS4C32M16MD1-6BCNTR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA
详细描述：SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 20ns 96-TWBGA（9x13）
型号：
IS43TR16640B-15GBL
仓库库存编号：
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产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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