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Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 84BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 333MHz 450ps 84-WBGA（11x13）
型号：
W972GG6JB-3 TR
仓库库存编号：
W972GG6JB-3 TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 84BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 333MHz 450ps 84-WBGA（11x13）
型号：
W972GG6JB-3I TR
仓库库存编号：
W972GG6JB-3I TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 533MHZ 84BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 533MHz 350ps 84-WBGA（8x12.5）
型号：
W971GG6KB-18 TR
仓库库存编号：
W971GG6KB-18 TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 200MHz 400ps 84-WBGA（8x12.5）
型号：
W971GG6KB-25 TR
仓库库存编号：
W971GG6KB-25 TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 200MHz 400ps 84-WBGA（8x12.5）
型号：
W971GG6KB25I TR
仓库库存编号：
W971GG6KB25I TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 200MHz 400ps 60-WBGA（8x12.5）
型号：
W971GG8KB-25 TR
仓库库存编号：
W971GG8KB-25 TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 200MHz 400ps 60-WBGA（8x12.5）
型号：
W971GG8KB25I TR
仓库库存编号：
W971GG8KB25I TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 134TFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 400MHz 134-TFBGA（10x11.5）
型号：
IS43LD16640A-25BL
仓库库存编号：
706-1354-ND
别名：706-1354
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 134TFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 400MHz 134-TFBGA（10x11.5）
型号：
IS43LD16640A-25BLI
仓库库存编号：
706-1355-ND
别名：706-1355
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 134TFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 400MHz 134-TFBGA（10x11.5）
型号：
IS43LD16640A-25BLI-TR
仓库库存编号：
IS43LD16640A-25BLI-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 134TFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 400MHz 134-TFBGA（10x11.5）
型号：
IS43LD16640A-25BL-TR
仓库库存编号：
IS43LD16640A-25BL-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 134TFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 333MHz 134-TFBGA（10x11.5）
型号：
IS43LD16640A-3BL
仓库库存编号：
IS43LD16640A-3BL-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 134TFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 333MHz 134-TFBGA（10x11.5）
型号：
IS43LD16640A-3BLI
仓库库存编号：
IS43LD16640A-3BLI-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 134TFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 333MHz 134-TFBGA（10x11.5）
型号：
IS43LD16640A-3BLI-TR
仓库库存编号：
IS43LD16640A-3BLI-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 134TFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 333MHz 134-TFBGA（10x11.5）
型号：
IS43LD16640A-3BL-TR
仓库库存编号：
IS43LD16640A-3BL-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 134TFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 1Gb （32M x 32） 并联 400MHz 134-TFBGA（10x11.5）
型号：
IS43LD32320A-25BLI-TR
仓库库存编号：
IS43LD32320A-25BLI-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 134TFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 1Gb （32M x 32） 并联 400MHz 134-TFBGA（10x11.5）
型号：
IS43LD32320A-25BL-TR
仓库库存编号：
IS43LD32320A-25BL-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 134TFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 1Gb （32M x 32） 并联 333MHz 134-TFBGA（10x11.5）
型号：
IS43LD32320A-3BL
仓库库存编号：
IS43LD32320A-3BL-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 134TFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 1Gb （32M x 32） 并联 333MHz 134-TFBGA（10x11.5）
型号：
IS43LD32320A-3BLI
仓库库存编号：
IS43LD32320A-3BLI-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 134TFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 1Gb （32M x 32） 并联 333MHz 134-TFBGA（10x11.5）
型号：
IS43LD32320A-3BLI-TR
仓库库存编号：
IS43LD32320A-3BLI-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 134TFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR2 存储器 IC 1Gb （32M x 32） 并联 333MHz 134-TFBGA（10x11.5）
型号：
IS43LD32320A-3BL-TR
仓库库存编号：
IS43LD32320A-3BL-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 400MHz 400ps 84-TWBGA（10.5x13）
型号：
IS43DR16128B-25EBLI-TR
仓库库存编号：
IS43DR16128B-25EBLI-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 400MHz 400ps 84-TWBGA（10.5x13）
型号：
IS43DR16128B-25EBL-TR
仓库库存编号：
IS43DR16128B-25EBL-TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 84BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 333MHz 450ps 84-TWBGA（10.5x13）
型号：
IS43DR16128B-3DBL
仓库库存编号：
IS43DR16128B-3DBL-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 84BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 333MHz 450ps 84-TWBGA（10.5x13）
型号：
IS43DR16128B-3DBLI
仓库库存编号：
IS43DR16128B-3DBLI-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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