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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 200MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 1Gb （32M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 90-VFBGA（8x13）
型号：
MT46H32M32LFB5-5 AT:B TR
仓库库存编号：
MT46H32M32LFB5-5 AT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 1Gb （32M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 90-VFBGA（8x13）
型号：
MT46H32M32LFB5-6 AT:B TR
仓库库存编号：
MT46H32M32LFB5-6 AT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 167MHZ 168WFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 1Gb （32M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 168-WFBGA（12x12）
型号：
MT46H32M32LFMA-6 IT:B TR
仓库库存编号：
MT46H32M32LFMA-6 IT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 200MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （64M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 90-VFBGA（9x13）
型号：
MT46H64M32LFCX-5 AIT:B TR
仓库库存编号：
MT46H64M32LFCX-5 AIT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 200MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （64M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 90-VFBGA（9x13）
型号：
MT46H64M32LFCX-5 AT:B TR
仓库库存编号：
MT46H64M32LFCX-5 AT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 200MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （64M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 90-VFBGA（9x13）
型号：
MT46H64M32LFCX-5 IT:B TR
仓库库存编号：
MT46H64M32LFCX-5 IT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 200MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （64M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 90-VFBGA（9x13）
型号：
MT46H64M32LFCX-5 WT:B TR
仓库库存编号：
MT46H64M32LFCX-5 WT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （64M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 90-VFBGA（9x13）
型号：
MT46H64M32LFCX-6 AT:B TR
仓库库存编号：
MT46H64M32LFCX-6 AT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （64M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 90-VFBGA（9x13）
型号：
MT46H64M32LFCX-6 WT:B TR
仓库库存编号：
MT46H64M32LFCX-6 WT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 200MHZ 168WFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （64M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 168-WFBGA（12x12）
型号：
MT46H64M32LFMA-5 IT:B TR
仓库库存编号：
MT46H64M32LFMA-5 IT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 200MHZ 168WFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （64M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 168-WFBGA（12x12）
型号：
MT46H64M32LFMA-5 WT:B TR
仓库库存编号：
MT46H64M32LFMA-5 WT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 167MHZ 168WFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （64M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 168-WFBGA（12x12）
型号：
MT46H64M32LFMA-6 IT:B TR
仓库库存编号：
MT46H64M32LFMA-6 IT:B TR-ND
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 167MHZ 168WFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （64M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 168-WFBGA（12x12）
型号：
MT46H64M32LFMA-6 WT:B TR
仓库库存编号：
MT46H64M32LFMA-6 WT:B TR-ND
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb （128M x 4） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP
型号：
MT46V128M4P-5B:J TR
仓库库存编号：
MT46V128M4P-5B:J TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP
型号：
MT46V32M16P-5B L:J TR
仓库库存编号：
MT46V32M16P-5B L:J TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 60FBGA
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb （32M x 8） 并联 200MHz 700ps 60-FBGA（8x12.5）
型号：
MT46V32M8CY-5B:M TR
仓库库存编号：
MT46V32M8CY-5B:M TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb （32M x 8） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP
型号：
MT46V32M8P-5B IT:M TR
仓库库存编号：
MT46V32M8P-5B IT:M TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb （64M x 8） 并联 200MHz 700ps 60-FBGA（8x12.5）
型号：
MT46V64M8CY-5B IT:J TR
仓库库存编号：
MT46V64M8CY-5B IT:J TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb （64M x 8） 并联 200MHz 700ps 60-FBGA（8x12.5）
型号：
MT46V64M8CY-5B L:J TR
仓库库存编号：
MT46V64M8CY-5B L:J TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb （64M x 8） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP
型号：
MT46V64M8P-5B L IT:J TR
仓库库存编号：
MT46V64M8P-5B L IT:J TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 533MHZ 84FBGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 533MHz 350ps 84-FBGA（9x12.5）
型号：
MT47H128M16RT-187E:C TR
仓库库存编号：
MT47H128M16RT-187E:C TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60FBGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb （128M x 4） 并联 400MHz 400ps 60-FBGA（8x10）
型号：
MT47H128M4CF-25E:G TR
仓库库存编号：
MT47H128M4CF-25E:G TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 533MHZ 60FBGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 533MHz 350ps 60-FBGA（8x10）
型号：
MT47H128M8CF-187E:H TR
仓库库存编号：
MT47H128M8CF-187E:H TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60FBGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 400MHz 400ps 60-FBGA（8x10）
型号：
MT47H128M8CF-25E AIT:H TR
仓库库存编号：
MT47H128M8CF-25E AIT:H TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 60FBGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 333MHz 450ps 60-FBGA（8x10）
型号：
MT47H128M8CF-3 AAT:H TR
仓库库存编号：
MT47H128M8CF-3 AAT:H TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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