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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 60FBGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 333MHz 450ps 60-FBGA（8x10）
型号：
MT47H128M8CF-3 AAT:H
仓库库存编号：
MT47H128M8CF-3 AAT:H-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84FBGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 400MHz 400ps 84-FBGA（8x12.5）
型号：
MT47H64M16HR-25E XIT:H
仓库库存编号：
MT47H64M16HR-25E XIT:H-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
型号：
AS4C16M16D1-5TCN
仓库库存编号：
1450-1000-ND
别名：1450-1000
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
型号：
AS4C32M16D1-5TCN
仓库库存编号：
1450-1006-ND
别名：1450-1006
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 64MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
型号：
AS4C4M16D1-5TCN
仓库库存编号：
1450-1007-ND
别名：1450-1007
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
型号：
AS4C8M16D1-5TCN
仓库库存编号：
1450-1012-ND
别名：1450-1012
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 200MHz 400ps 60-WBGA（8x12.5）
型号：
W971GG8JB25I
仓库库存编号：
W971GG8JB25I-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60WBGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 200MHz 400ps 60-WBGA（11x11.5）
型号：
W972GG8JB25I
仓库库存编号：
W972GG8JB25I-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 200MHZ 60VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 200MHz 5.0ns 60-VFBGA（10x10）
型号：
MT46H128M16LFB7-5 AIT:B TR
仓库库存编号：
MT46H128M16LFB7-5 AIT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 200MHZ 60VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 200MHz 5.0ns 60-VFBGA（10x10）
型号：
MT46H128M16LFB7-5 IT:B TR
仓库库存编号：
MT46H128M16LFB7-5 IT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 200MHZ 60VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 200MHz 5.0ns 60-VFBGA（10x10）
型号：
MT46H128M16LFB7-5 WT:B TR
仓库库存编号：
MT46H128M16LFB7-5 WT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 167MHZ 60VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 166MHz 5.0ns 60-VFBGA（10x10）
型号：
MT46H128M16LFB7-6 IT:B TR
仓库库存编号：
MT46H128M16LFB7-6 IT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 167MHZ 60VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 166MHz 5.0ns 60-VFBGA（10x10）
型号：
MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR
仓库库存编号：
MT46H128M16LFB7-6 WT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 168WFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 4Gb （128M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 168-WFBGA（12x12）
型号：
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR
仓库库存编号：
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 168WFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 4Gb （128M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 168-WFBGA（12x12）
型号：
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR
仓库库存编号：
MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 4GBIT 167MHZ 168WFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 4Gb （128M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 168-WFBGA（12x12）
型号：
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR
仓库库存编号：
MT46H128M32L2KQ-6 IT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 4GBIT 167MHZ 168WFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 4Gb （128M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 168-WFBGA（12x12）
型号：
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR
仓库库存编号：
MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 240WFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 4Gb （128M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 240-WFBGA（14x14）
型号：
MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR
仓库库存编号：
MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 4GBIT 167MHZ 240WFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 4Gb （128M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 240-WFBGA（14x14）
型号：
MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR
仓库库存编号：
MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 8GBIT 200MHZ 168FBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 8Gb （256M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 168-VFBGA（12x12）
型号：
MT46H256M32L4JV-5 IT:B TR
仓库库存编号：
MT46H256M32L4JV-5 IT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 8GBIT 200MHZ 168FBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 8Gb （256M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 168-VFBGA（12x12）
型号：
MT46H256M32L4JV-5 WT:B TR
仓库库存编号：
MT46H256M32L4JV-5 WT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 8GBIT 167MHZ 168FBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 8Gb （256M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 168-VFBGA（12x12）
型号：
MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR
仓库库存编号：
MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 8GBIT 200MHZ 168FBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 8Gb （256M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 168-VFBGA（12x12）
型号：
MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR
仓库库存编号：
MT46H256M32R4JV-5 IT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 8GBIT 200MHZ 168FBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 8Gb （256M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 168-VFBGA（12x12）
型号：
MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR
仓库库存编号：
MT46H256M32R4JV-5 WT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 166MHz 5.0ns 60-VFBGA（8x9）
型号：
MT46H32M16LFBF-6 AIT:C TR
仓库库存编号：
MT46H32M16LFBF-6 AIT:C TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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