产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
集成电路（IC）
>
存储器
筛选品牌
Alliance Memory, Inc.(357)
Cypress Semiconductor Corp(292)
IDT, Integrated Device Technology Inc(514)
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc(633)
Micron Technology Inc.(1155)
Winbond Electronics(197)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 84FBGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 400MHz 400ps 84-FBGA（8x12.5）
型号：
MT47H32M16HW-25E AAT:G TR
仓库库存编号：
557-1584-1-ND
别名：557-1584-1
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
含铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （64M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 90-VFBGA（9x13）
型号：
MT46H64M32LFCX-6 IT:B
仓库库存编号：
MT46H64M32LFCX-6 IT:B-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （64M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 90-VFBGA（9x13）
型号：
MT46H64M32LFCX-6 IT:B TR
仓库库存编号：
MT46H64M32LFCX-6 IT:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 200MHZ 168WFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （64M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 168-WFBGA（12x12）
型号：
MT46H64M32LFMA-5 IT:A
仓库库存编号：
MT46H64M32LFMA-5 IT:A-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 200MHZ 168WFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （64M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 168-WFBGA（12x12）
型号：
MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR
仓库库存编号：
MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb （64M x 8） 并联 200MHz 700ps 60-FBGA（8x12.5）
型号：
MT46V64M8CV-5B IT:J
仓库库存编号：
MT46V64M8CV-5B IT:J-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
含铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb （64M x 8） 并联 200MHz 700ps 60-FBGA（8x12.5）
型号：
MT46V64M8CV-5B IT:J TR
仓库库存编号：
MT46V64M8CV-5B IT:J TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb （64M x 8） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP
型号：
MT46V64M8TG-5B IT:J
仓库库存编号：
MT46V64M8TG-5B IT:J-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
搜索
Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb （64M x 8） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP
型号：
MT46V64M8TG-5B IT:J TR
仓库库存编号：
MT46V64M8TG-5B IT:J TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
搜索
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 2GBIT 800MHZ 96BGA
详细描述：SDRAM - DDR3L 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 800MHz 20ns 96-TWBGA（9x13）
型号：
IS43TR16128AL-125KBL
仓库库存编号：
706-1201-ND
别名：706-1201
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 64MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 250MHz 55ns 66-TSOP II
型号：
W9464G6JH-4
仓库库存编号：
W9464G6JH-4-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 64MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 200MHz 55ns 66-TSOP II
型号：
W9464G6JH-5
仓库库存编号：
W9464G6JH-5-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 64MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 200MHz 55ns 66-TSOP II
型号：
W9464G6JH-5I
仓库库存编号：
W9464G6JH-5I-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 533MHZ 84BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 533MHz 350ps 84-WBGA（8x12.5）
型号：
W971GG6KB-18
仓库库存编号：
W971GG6KB-18-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 200MHz 400ps 84-WBGA（8x12.5）
型号：
W971GG6KB-25
仓库库存编号：
W971GG6KB-25-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 200MHz 400ps 84-WBGA（8x12.5）
型号：
W971GG6KB25I
仓库库存编号：
W971GG6KB25I-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 200MHz 400ps 60-WBGA（8x12.5）
型号：
W971GG8KB-25
仓库库存编号：
W971GG8KB-25-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 200MHz 400ps 60-WBGA（8x12.5）
型号：
W971GG8KB25I
仓库库存编号：
W971GG8KB25I-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 533MHZ 84BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 533MHz 350ps 84-WBGA（11x13）
型号：
W972GG6JB-18
仓库库存编号：
W972GG6JB-18-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 200MHz 400ps 84-WBGA（11x13）
型号：
W972GG6JB-25
仓库库存编号：
W972GG6JB-25-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 200MHz 400ps 84-WBGA（11x13）
型号：
W972GG6JB25I
仓库库存编号：
W972GG6JB25I-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 533MHZ 60BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 533MHz 350ps 60-WBGA（11x11.5）
型号：
W972GG8JB-18
仓库库存编号：
W972GG8JB-18-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60WBGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 200MHz 400ps 60-WBGA（11x11.5）
型号：
W972GG8JB-25
仓库库存编号：
W972GG8JB-25-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 60BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 333MHz 450ps 60-WBGA（11x11.5）
型号：
W972GG8JB-3
仓库库存编号：
W972GG8JB-3-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 60BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 333MHz 450ps 60-WBGA（11x11.5）
型号：
W972GG8JB-3I
仓库库存编号：
W972GG8JB-3I-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
搜索
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
