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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (32M x 8) 并联 200MHz 700ps 60-FBGA(8x12.5)
型号:
MT46V32M8CY-5B:M
仓库库存编号:
MT46V32M8CY-5B:M-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (32M x 8) 并联 200MHz 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V32M8P-5B IT:M
仓库库存编号:
MT46V32M8P-5B IT:M-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (32M x 8) 并联 200MHz 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V32M8P-5B L:M
仓库库存编号:
MT46V32M8P-5B L:M-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (64M x 4) 并联 200MHz 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V64M4P-5B:M
仓库库存编号:
MT46V64M4P-5B:M-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 200MHz 700ps 60-FBGA(8x12.5)
型号:
MT46V64M8CY-5B IT:J
仓库库存编号:
MT46V64M8CY-5B IT:J-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 200MHz 700ps 60-FBGA(8x12.5)
型号:
MT46V64M8CY-5B L:J
仓库库存编号:
MT46V64M8CY-5B L:J-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 200MHz 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V64M8P-5B L IT:J
仓库库存编号:
MT46V64M8P-5B L IT:J-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 84FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 400MHz 400ps 84-FBGA(9x12.5)
型号:
MT47H128M16PK-25E IT:C
仓库库存编号:
MT47H128M16PK-25E IT:C-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 400MHz 400ps 60-FBGA(8x10)
型号:
MT47H128M8CF-25E AIT:H
仓库库存编号:
MT47H128M8CF-25E AIT:H-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 84FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 400MHz 400ps 84-FBGA(8x12.5)
型号:
MT47H32M16HR-25E AIT:G
仓库库存编号:
MT47H32M16HR-25E AIT:G-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 84FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 400MHz 400ps 84-FBGA(8x12.5)
型号:
MT47H32M16HW-25E IT:G
仓库库存编号:
557-1616-ND
别名:557-1616
MT47H32M16HW-25E IT:G-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 84FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 400MHz 400ps 84-FBGA(8x12.5)
型号:
MT47H32M16HW-25E:G
仓库库存编号:
MT47H32M16HW-25E:G-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 84FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 333MHz 450ps 84-FBGA(8x12.5)
型号:
MT47H64M16HW-3 IT:H
仓库库存编号:
557-1617-ND
别名:557-1617
MT47H64M16HW-3 IT:H-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 84FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 333MHz 450ps 84-FBGA(8x12.5)
型号:
MT47H64M16HW-3:H
仓库库存编号:
MT47H64M16HW-3:H-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
含铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 400MHz 400ps 60-FBGA(8x10)
型号:
MT47H64M8CF-25E AIT:G
仓库库存编号:
MT47H64M8CF-25E AIT:G-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 400MHz 400ps 60-FBGA(8x10)
型号:
MT47H64M8JN-25E IT:G
仓库库存编号:
MT47H64M8JN-25E IT:G-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 400MHz 400ps 60-FBGA(8x10)
型号:
MT47H64M8JN-25E:G
仓库库存编号:
MT47H64M8JN-25E:G-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 54VFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 133MHz 5.4ns 54-VFBGA(8x8)
型号:
MT48H32M16LFB4-75B IT:C
仓库库存编号:
MT48H32M16LFB4-75B IT:C-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 333MHz 450ps 84-WBGA(11x13)
型号:
W972GG6JB-3
仓库库存编号:
W972GG6JB-3-ND
别名:W972GG6JB3
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Winbond Electronics
IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (128M x 16) 并联 333MHz 450ps 84-WBGA(11x13)
型号:
W972GG6JB-3I
仓库库存编号:
W972GG6JB-3I-ND
别名:W972GG6JB3I
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Winbond Electronics
IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 128Mb (8M x 16) 并联 200MHz 50ns 66-TSOP II
型号:
W9412G6JH-5I
仓库库存编号:
W9412G6JH-5I-ND
别名:W9412G6JH5I
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 200MHz 400ps 84-WBGA(8x12.5)
型号:
W9725G6JB25I
仓库库存编号:
W9725G6JB25I-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 333MHz 450ps 60-FBGA(8x10)
型号:
MT47H128M8CF-3 AIT:H TR
仓库库存编号:
557-1540-1-ND
别名:557-1540-1
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 167MHz 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V32M16P-6T IT:F TR
仓库库存编号:
557-1546-1-ND
别名:557-1546-1
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (128M x 8) 并联 200MHz 400ps 60-WBGA(8x12.5)
型号:
W971GG8JB-25
仓库库存编号:
W971GG8JB-25-ND
别名:Q7152144
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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