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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (256M x 4) 并联 400MHz 400ps 60-FBGA(8x10)
型号:
MT47H256M4CF-25:H
仓库库存编号:
MT47H256M4CF-25:H-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (256M x 4) 并联 333MHz 450ps 60-FBGA(8x10)
型号:
MT47H256M4CF-3 IT:H
仓库库存编号:
MT47H256M4CF-3 IT:H-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 533MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 533MHz 350ps 60-FBGA(9x11.5)
型号:
MT47H256M8EB-187E:C
仓库库存编号:
MT47H256M8EB-187E:C-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 400MHz 400ps 63-FBGA(8x10)
型号:
MT47H256M8THN-25E IT:H
仓库库存编号:
MT47H256M8THN-25E IT:H-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 333MHz 450ps 63-FBGA(8x10)
型号:
MT47H256M8THN-3 IT:H
仓库库存编号:
MT47H256M8THN-3 IT:H-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 533MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (512M x 4) 并联 533MHz 350ps 60-FBGA(9x11.5)
型号:
MT47H512M4EB-187E:C
仓库库存编号:
MT47H512M4EB-187E:C-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (512M x 4) 并联 333MHz 450ps 60-FBGA(9x11.5)
型号:
MT47H512M4EB-3:C
仓库库存编号:
MT47H512M4EB-3:C-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (512M x 4) 并联 400MHz 400ps 63-FBGA(8x10)
型号:
MT47H512M4THN-25E:H
仓库库存编号:
MT47H512M4THN-25E:H-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (512M x 4) 并联 333MHz 450ps 63-FBGA(9x11.5)
型号:
MT47H512M4THN-3:H
仓库库存编号:
MT47H512M4THN-3:H-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 533MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb (64M x 8) 并联 533MHz 350ps 60-FBGA(8x10)
型号:
MT47H64M8CF-187E:G
仓库库存编号:
MT47H64M8CF-187E:G-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (256M x 4) 并联 400MHz 400ps 60-FBGA(8x10)
型号:
MT47R256M4CF-25E:H
仓库库存编号:
MT47R256M4CF-25E:H-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (256M x 4) 并联 333MHz 450ps 60-FBGA(8x10)
型号:
MT47R256M4CF-3:H
仓库库存编号:
MT47R256M4CF-3:H-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (256M x 8) 并联 400MHz 400ps 60-FBGA(9x11.5)
型号:
MT47R256M8EB-25E:C
仓库库存编号:
MT47R256M8EB-25E:C-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb (512M x 4) 并联 400MHz 400ps 60-FBGA(9x11.5)
型号:
MT47R512M4EB-25E:C
仓库库存编号:
MT47R512M4EB-25E:C-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84FBGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 400MHz 400ps 84-FBGA(8x12.5)
型号:
MT47R64M16HR-25E:H
仓库库存编号:
MT47R64M16HR-25E:H-ND
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 256MBIT 267MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 266MHz 500ps 84-TWBGA(8x12.5)
型号:
IS43DR16160A-37CBLI
仓库库存编号:
706-1126-ND
别名:706-1126
IS43DR16160A37CBLI
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 84BGA
详细描述:SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 333MHz 450ps 84-TWBGA(8x13.65)
型号:
IS43DR16640A-3DBL
仓库库存编号:
706-1123-ND
别名:706-1123
IS43DR16640A3DBL
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60VFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb (32M x 16) 并联 166MHz 5.0ns 60-VFBGA(8x9)
型号:
MT46H32M16LFBF-6 IT:C TR
仓库库存编号:
557-1502-1-ND
别名:557-1502-1
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 1Gb (32M x 32) 并联 166MHz 5.0ns 90-VFBGA(8x13)
型号:
MT46H32M32LFB5-6 IT:B TR
仓库库存编号:
557-1503-1-ND
别名:557-1503-1
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 167MHZ 60VFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 1Gb (64M x 16) 并联 166MHz 5.0ns 60-VFBGA(8x9)
型号:
MT46H64M16LFBF-6 IT:B TR
仓库库存编号:
557-1504-1-ND
别名:557-1504-1
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述:SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb (64M x 32) 并联 166MHz 5.0ns 90-VFBGA(10x13)
型号:
MT46H64M32LFCM-6 IT:A TR
仓库库存编号:
557-1505-1-ND
别名:557-1505-1
MT46H64M32LFCM6ITATR
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 167MHz 700ps 60-FBGA(8x12.5)
型号:
MT46V16M16CY-6 IT:K TR
仓库库存编号:
557-1506-1-ND
别名:557-1506-1
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 60FBGA
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 167MHz 700ps 60-FBGA(8x12.5)
型号:
MT46V16M16CY-6:K TR
仓库库存编号:
557-1507-1-ND
别名:557-1507-1
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 200MHz 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V16M16P-5B IT:K TR
仓库库存编号:
557-1508-1-ND
别名:557-1508-1
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述:SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb (16M x 16) 并联 200MHz 700ps 66-TSOP
型号:
MT46V16M16P-5B:K TR
仓库库存编号:
557-1509-1-ND
别名:557-1509-1
产品分类:存储器,规格:写周期时间 - 字,页 15ns,
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