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• Cypress Semiconductor Corp
  IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ
  详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 15ns 32-SOJ
  
  型号：CY7C109BNL-15VC
  仓库库存编号：CY7C109BNL-15VC-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC SRAM 1MBIT 15NS 100TQFP
  详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 1Mb （64K x 16） 并联 15ns 100-TQFP（14x14）
  
  型号：CY7C028-15AI
  仓库库存编号：CY7C028-15AI-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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  含铅
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC SRAM 64KBIT 15NS 28SOJ
  详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 15ns 28-SOJ
  
  型号：CY7C185-15VI
  仓库库存编号：CY7C185-15VI-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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  含铅
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC SRAM 16MBIT 15NS 54TSOP
  详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 15ns 54-TSOP II
  
  型号：CY7C1061DV18-15ZSXI
  仓库库存编号：428-3011-5-ND
  别名：428-3011-5
  CY7C1061DV1815ZSXI
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC SRAM 64KBIT 15NS 100TQFP
  详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 64Kb （4K x 16） 并联 15ns 100-TQFP（14x14）
  
  型号：CY7C024E-15AXC
  仓库库存编号：428-3067-ND
  别名：428-3067
  CY7C024E15AXC
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 84FBGA
  详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 400MHz 400ps 84-FBGA（8x12.5）
  
  型号：MT47H32M16HR-25E:G
  仓库库存编号：MT47H32M16HR-25E:G-ND
  别名：MT47H32M16HR25EG
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 84FBGA
  详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 333MHz 450ps 84-FBGA（8x12.5）
  
  型号：MT47H32M16HR-3:F
  仓库库存编号：557-1466-ND
  别名：557-1466
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC SRAM 72KBIT 15NS 100TQFP
  详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 72Kb （4K x 18） 并联 15ns 100-TQFP（14x14）
  
  型号：CY7C0241E-15AXCT
  仓库库存编号：CY7C0241E-15AXCT-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC SRAM 64KBIT 15NS 100TQFP
  详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 64Kb （4K x 16） 并联 15ns 100-TQFP（14x14）
  
  型号：CY7C024E-15AXCT
  仓库库存编号：CY7C024E-15AXCT-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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• Cypress Semiconductor Corp
  IC SRAM 16MBIT 15NS 54TSOP
  详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 15ns 54-TSOP II
  
  型号：CY7C1061DV18-15ZSXIT
  仓库库存编号：CY7C1061DV18-15ZSXIT-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 90VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 512Mb （16M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 90-VFBGA（8x13）
  
  型号：MT46H16M32LFB5-6 IT:C TR
  仓库库存编号：557-1467-1-ND
  别名：557-1467-1
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 2GBIT 200MHZ 60VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 200MHz 5.0ns 60-VFBGA（10x11.5）
  
  型号：MT46H128M16LFCK-5 IT:A
  仓库库存编号：MT46H128M16LFCK-5 IT:A-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 2GBIT 167MHZ 60VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 166MHz 5.0ns 60-VFBGA（10x11.5）
  
  型号：MT46H128M16LFCK-6 IT:A
  仓库库存编号：MT46H128M16LFCK-6 IT:A-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 240WFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 4Gb （128M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 240-WFBGA（14x14）
  
  型号：MT46H128M32L2MC-5 IT:A
  仓库库存编号：MT46H128M32L2MC-5 IT:A-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 4GBIT 167MHZ 240WFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 4Gb （128M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 240-WFBGA（14x14）
  
  型号：MT46H128M32L2MC-6 IT:A
  仓库库存编号：MT46H128M32L2MC-6 IT:A-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 60VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 133MHz 6.0ns 60-VFBGA（8x9）
  
  型号：MT46H16M16LFBF-75:A
  仓库库存编号：MT46H16M16LFBF-75:A-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 8GBIT 200MHZ 168FBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 8Gb （256M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 168-VFBGA（12x12）
  
  型号：MT46H256M32L4JV-5 IT:A
  仓库库存编号：MT46H256M32L4JV-5 IT:A-ND
  
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 8GBIT 167MHZ 168FBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 8Gb （256M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 168-VFBGA（12x12）
  
  型号：MT46H256M32L4JV-6 IT:A
  仓库库存编号：MT46H256M32L4JV-6 IT:A-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 90VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 128Mb （4M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 90-VFBGA（8x13）
  
  型号：MT46H4M32LFB5-5:K
  仓库库存编号：MT46H4M32LFB5-5:K-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 128MBIT 167MHZ 90VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 128Mb （4M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 90-VFBGA（8x13）
  
  型号：MT46H4M32LFB5-6 IT:K
  仓库库存编号：MT46H4M32LFB5-6 IT:K-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 128MBIT 167MHZ 90VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 128Mb （4M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 90-VFBGA（8x13）
  
  型号：MT46H4M32LFB5-6:K
  仓库库存编号：MT46H4M32LFB5-6:K-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 2GBIT 200MHZ 90VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （64M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 90-VFBGA（10x13）
  
  型号：MT46H64M32LFCM-5 IT:A
  仓库库存编号：557-1590-ND
  别名：557-1590
  MT46H64M32LFCM-5 IT:A-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 2GBIT 167MHZ 168WFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （64M x 32） 并联 166MHz 5.0ns 168-WFBGA（12x12）
  
  型号：MT46H64M32LFMA-6 IT:A
  仓库库存编号：MT46H64M32LFMA-6 IT:A-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 60VFBGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 200MHz 5.0ns 60-VFBGA（8x9）
  
  型号：MT46H8M16LFBF-5 IT:K
  仓库库存编号：MT46H8M16LFBF-5 IT:K-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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• Micron Technology Inc.
  IC SDRAM 128MBIT 167MHZ 60BGA
  详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 166MHz 5.0ns 60-VFBGA（8x9）
  
  型号：MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR
  仓库库存编号：MT46H8M16LFBF-6 IT:K TR-ND
  别名：MT46H8M16LFBF-6 IT:K
  MT46H8M16LFBF-6 IT:K-ND
  
  产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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