产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 54VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 166MHz 5ns 54-VFBGA（6x9）
型号：
MT48H32M16LFBF-6:B TR
仓库库存编号：
MT48H32M16LFBF-6:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 64MBIT 125MHZ 54VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 125MHz 6ns 54-VFBGA（8x8）
型号：
MT48H4M16LFB4-8 IT:H
仓库库存编号：
MT48H4M16LFB4-8 IT:H-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 64MBIT 125MHZ 54VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 125MHz 6ns 54-VFBGA（8x8）
型号：
MT48H4M16LFB4-8 IT:H TR
仓库库存编号：
MT48H4M16LFB4-8 IT:H TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 64MBIT 125MHZ 54VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 125MHz 6ns 54-VFBGA（8x8）
型号：
MT48H4M16LFB4-8:H
仓库库存编号：
MT48H4M16LFB4-8:H-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 64MBIT 125MHZ 54VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 125MHz 6ns 54-VFBGA（8x8）
型号：
MT48H4M16LFB4-8:H TR
仓库库存编号：
MT48H4M16LFB4-8:H TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 167MHZ 54VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 166MHz 5ns 54-VFBGA（8x8）
型号：
MT48H8M16LFB4-6 IT:K
仓库库存编号：
MT48H8M16LFB4-6 IT:K-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 167MHZ 54VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 166MHz 5ns 54-VFBGA（8x8）
型号：
MT48H8M16LFB4-6 IT:K TR
仓库库存编号：
MT48H8M16LFB4-6 IT:K TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 167MHZ 54VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 166MHz 5ns 54-VFBGA（8x8）
型号：
MT48H8M16LFB4-6:K
仓库库存编号：
MT48H8M16LFB4-6:K-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 128MBIT 167MHZ 54VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 166MHz 5ns 54-VFBGA（8x8）
型号：
MT48H8M16LFB4-6:K TR
仓库库存编号：
MT48H8M16LFB4-6:K TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb （8M x 32） 并联 166MHz 5ns 90-VFBGA（8x13）
型号：
MT48H8M32LFB5-6:H
仓库库存编号：
MT48H8M32LFB5-6:H-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 167MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb （8M x 32） 并联 166MHz 5ns 90-VFBGA（8x13）
型号：
MT48H8M32LFB5-6:H TR
仓库库存编号：
MT48H8M32LFB5-6:H TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb （8M x 32） 并联 133MHz 5.4ns 90-VFBGA（8x13）
型号：
MT48H8M32LFB5-75 IT:H
仓库库存编号：
MT48H8M32LFB5-75 IT:H-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb （8M x 32） 并联 133MHz 5.4ns 90-VFBGA（8x13）
型号：
MT48H8M32LFB5-75 IT:H TR
仓库库存编号：
MT48H8M32LFB5-75 IT:H TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb （8M x 32） 并联 133MHz 5.4ns 90-VFBGA（8x13）
型号：
MT48H8M32LFB5-75:H
仓库库存编号：
MT48H8M32LFB5-75:H-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 90VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb （8M x 32） 并联 133MHz 5.4ns 90-VFBGA（8x13）
型号：
MT48H8M32LFB5-75:H TR
仓库库存编号：
MT48H8M32LFB5-75:H TR-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 84FBGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 333MHz 450ps 84-FBGA（8x12.5）
型号：
MT47H64M16HR-3:G TR
仓库库存编号：
557-1441-1-ND
别名：557-1441-1
MT47H64M16HR3GTR
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 400MHZ 84BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 200MHz 400ps 84-WBGA（8x12.5）
型号：
W9725G6IB-25
仓库库存编号：
W9725G6IB-25-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 84BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 200MHz 400ps 84-WBGA（8x12.5）
型号：
W9751G6IB-25
仓库库存编号：
W9751G6IB-25-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 128Mb （8M x 16） 并联 200MHz 50ns 66-TSOP II
型号：
W9412G6IH-5
仓库库存编号：
W9412G6IH-5-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 256MBIT 250MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 250MHz 55ns 66-TSOP II
型号：
W9425G6EH-5
仓库库存编号：
W9425G6EH-5-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 54VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 256Mb （16M x 16） 并联 133MHz 5.4ns 54-VFBGA（8x9）
型号：
MT48H16M16LFBF-75:H
仓库库存编号：
MT48H16M16LFBF-75:H-ND
别名：Q4707290
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 168WFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 4Gb （128M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 168-WFBGA（12x12）
型号：
MT46H128M32L2KQ-5 IT:A
仓库库存编号：
MT46H128M32L2KQ-5 IT:A-ND
别名：Q5097039
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 256KBIT 15NS 24SOJ
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （256K x 1） 并联 15ns 24-SOJ
型号：
CY7C197BN-15VC
仓库库存编号：
CY7C197BN-15VC-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
含铅
搜索
Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 256KBIT 15NS 24SOJ
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （64K x 4） 并联 15ns 24-SOJ
型号：
CY7C194BN-15VC
仓库库存编号：
CY7C194BN-15VC-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
含铅
搜索
Cypress Semiconductor Corp
IC SRAM 256KBIT 15NS 24DIP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （64K x 4） 并联 15ns 24-PDIP
型号：
CY7C194BN-15PC
仓库库存编号：
CY7C194BN-15PC-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 15ns,
含铅
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