产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 8Kb （1K x 8） 并联 35ns 64-TQFP（10x10）
型号：
71V30L35TFI
仓库库存编号：
800-1470-ND
别名：800-1470
IDT71V30L35TFI
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
含铅
搜索
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 512Kb （32K x 16） 并联 35ns 100-TQFP（14x14）
型号：
70V27L35PFI
仓库库存编号：
800-1392-ND
别名：800-1392
IDT70V27L35PFI
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
含铅
搜索
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 8KBIT 35NS 52PLCC
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 8Kb （1K x 8） 并联 35ns 52-PLCC（19.13x19.13）
型号：
7130LA35J
仓库库存编号：
800-1439-5-ND
别名：800-1439
800-1439-5
800-1439-ND
IDT7130LA35J
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
含铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 1MBIT 35NS 32SOP
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb （128K x 8） 并联 35ns 32-SOP
型号：
IS62C1024AL-35QLI-TR
仓库库存编号：
706-1308-1-ND
别名：706-1308-1
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 64KBIT 35NS 64TQFP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 64Kb （8K x 8） 并联 35ns 64-TQFP（14x14）
型号：
7005S35PF
仓库库存编号：
7005S35PF-ND
别名：IDT7005S35PF
IDT7005S35PF-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
含铅
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Everspin Technologies Inc.
IC MRAM 16MBIT 35NS 48FBGA
详细描述：MRAM（磁阻式 RAM） 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 35ns 48-FBGA（8x8）
型号：
MR4A16BCMA35
仓库库存编号：
819-1016-ND
别名：819-1016
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
无铅
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Everspin Technologies Inc.
IC MRAM 16MBIT 35NS 44TSOP
详细描述：MRAM（磁阻式 RAM） 存储器 IC 16Mb （2M x 8） 并联 35ns 44-TSOP2
型号：
MR4A08BYS35
仓库库存编号：
819-1052-ND
别名：819-1052
MR4A08BYS35-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
无铅
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Everspin Technologies Inc.
IC MRAM 16MBIT 35NS 48FBGA
详细描述：MRAM（磁阻式 RAM） 存储器 IC 16Mb （1M x 16） 并联 35ns 48-FBGA（10x10）
型号：
MR4A16BMA35
仓库库存编号：
819-1053-ND
别名：819-1053
MR4A16BMA35-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 35ns 28-SOJ
型号：
71256L35YGI
仓库库存编号：
800-1425-5-ND
别名：800-1425
800-1425-5
800-1425-ND
IDT71256L35YGI
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 35ns 28-SOJ
型号：
71256L35YG8
仓库库存编号：
71256L35YG8-ND
别名：IDT71256L35YG8
IDT71256L35YG8-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC FLASH 2GBIT 35NS 63VFBGA
详细描述：FLASH - NAND （SLC） 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 35ns 63-VFBGA（9x11）
型号：
W29N02GWBIBA
仓库库存编号：
W29N02GWBIBA-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC FLASH 2GBIT 35NS 63VFBGA
详细描述：FLASH - NAND （SLC） 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 35ns 63-VFBGA（9x11）
型号：
W29N02GZBIBA
仓库库存编号：
W29N02GZBIBA-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
无铅
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Everspin Technologies Inc.
IC MRAM 256KBIT 35NS 48FBGA
详细描述：MRAM（磁阻式 RAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 35ns 48-FBGA（8x8）
型号：
MR256A08BMA35R
仓库库存编号：
MR256A08BMA35R-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
无铅
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Everspin Technologies Inc.
IC MRAM 256KBIT 35NS 44TSOP
详细描述：MRAM（磁阻式 RAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 35ns 44-TSOP2
型号：
MR256A08BYS35R
仓库库存编号：
MR256A08BYS35R-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
无铅
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Everspin Technologies Inc.
IC MRAM 256KBIT 35NS 48FBGA
详细描述：MRAM（磁阻式 RAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 35ns 48-FBGA（8x8）
型号：
MR256A08BCMA35R
仓库库存编号：
MR256A08BCMA35R-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
无铅
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Everspin Technologies Inc.
IC MRAM 256KBIT 35NS 44TSOP
详细描述：MRAM（磁阻式 RAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 35ns 44-TSOP2
型号：
MR256A08BCYS35R
仓库库存编号：
MR256A08BCYS35R-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
无铅
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Everspin Technologies Inc.
IC MRAM 256KBIT 35NS 48FBGA
详细描述：MRAM（磁阻式 RAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 35ns 48-FBGA（8x8）
型号：
MR256A08BMA35
仓库库存编号：
819-1032-ND
别名：819-1032
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
无铅
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Everspin Technologies Inc.
IC MRAM 256KBIT 35NS 44TSOP
详细描述：MRAM（磁阻式 RAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 35ns 44-TSOP2
型号：
MR256A08BCYS35
仓库库存编号：
819-1025-ND
别名：819-1025
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
无铅
搜索
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 256KBIT 35NS 28SOJ
详细描述：SRAM - 异步 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 35ns 28-SOJ
型号：
71256L35YGI8
仓库库存编号：
71256L35YGI8-ND
别名：IDT71256L35YGI8
IDT71256L35YGI8-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
无铅
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Winbond Electronics
IC FLASH 4GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述：FLASH - NAND （SLC） 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 35ns 63-VFBGA（9x11）
型号：
W29N04GWBIBA
仓库库存编号：
W29N04GWBIBA-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
无铅
搜索
Winbond Electronics
IC FLASH 4GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述：FLASH - NAND （SLC） 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 35ns 63-VFBGA（9x11）
型号：
W29N04GZBIBA
仓库库存编号：
W29N04GZBIBA-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
无铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 8KBIT 35NS 52PLCC
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 8Kb （1K x 8） 并联 35ns 52-PLCC（19.13x19.13）
型号：
7130SA35J8
仓库库存编号：
7130SA35J8-ND
别名：IDT7130SA35J8
IDT7130SA35J8-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
含铅
搜索
IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 8KBIT 35NS 52PLCC
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 8Kb （1K x 8） 并联 35ns 52-PLCC（19.13x19.13）
型号：
7140SA35J8
仓库库存编号：
7140SA35J8-ND
别名：IDT7140SA35J8
IDT7140SA35J8-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 8Kb （1K x 8） 并联 35ns 64-TQFP（14x14）
型号：
7130SA35PF8
仓库库存编号：
7130SA35PF8-ND
别名：IDT7130SA35PF8
IDT7130SA35PF8-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
含铅
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IDT, Integrated Device Technology Inc
IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP
详细描述：SRAM - 双端口，异步 存储器 IC 8Kb （1K x 8） 并联 35ns 64-TQFP（14x14）
型号：
7140SA35PF8
仓库库存编号：
7140SA35PF8-ND
别名：IDT7140SA35PF8
IDT7140SA35PF8-ND
产品分类：存储器,规格：写周期时间 - 字，页 35ns,
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