产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 200MHz 400ps 84-WBGA（8x12.5）
型号：
W971GG6KB-25 TR
仓库库存编号：
W971GG6KB-25 TR-ND
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 200MHz 400ps 84-WBGA（8x12.5）
型号：
W971GG6KB25I TR
仓库库存编号：
W971GG6KB25I TR-ND
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 200MHz 400ps 60-WBGA（8x12.5）
型号：
W971GG8KB-25 TR
仓库库存编号：
W971GG8KB-25 TR-ND
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
无铅
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Winbond Electronics
IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 60BGA
详细描述：SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 200MHz 400ps 60-WBGA（8x12.5）
型号：
W971GG8KB25I TR
仓库库存编号：
W971GG8KB25I TR-ND
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165BGA
详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 18Mb （512K x 36） 并联 200MHz 3ns 165-TFBGA（13x15）
型号：
IS61NVP51236B-200B3I-TR
仓库库存编号：
IS61NVP51236B-200B3I-TR-ND
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
无铅
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165BGA
详细描述：SRAM - 同步 存储器 IC 18Mb （512K x 36） 并联 200MHz 3ns 165-TFBGA（13x15）
型号：
IS61NVP51236B-200B3I
仓库库存编号：
IS61NVP51236B-200B3I-ND
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 8GBIT 200MHZ 153FBGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 8Gb （1G x 8） 并联 200MHz 153-VFBGA
型号：
S40410081B1B1I000
仓库库存编号：
S40410081B1B1I000-ND
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 8GBIT 200MHZ 153FBGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 8Gb （1G x 8） 并联 200MHz 153-WFBGA（11.5x13）
型号：
S40410081B1B1W000
仓库库存编号：
S40410081B1B1W000-ND
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 8GBIT 200MHZ 100BGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 8Gb （1G x 8） 并联 200MHz 100-LBGA（14x18）
型号：
S40410081B1B2I000
仓库库存编号：
S40410081B1B2I000-ND
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 8GBIT 200MHZ 100BGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 8Gb （1G x 8） 并联 200MHz 100-LBGA（14x18）
型号：
S40410081B1B2W000
仓库库存编号：
S40410081B1B2W000-ND
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 16GBIT 200MHZ 153FBGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 16Gb （2G x 8） 并联 200MHz 153-VFBGA
型号：
S40410161B1B1I010
仓库库存编号：
S40410161B1B1I010-ND
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 16GBIT 200MHZ 153FBGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 16Gb （2G x 8） 并联 200MHz 153-VFBGA
型号：
S40410161B1B1W010
仓库库存编号：
S40410161B1B1W010-ND
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 16GBIT 200MHZ 100BGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 16Gb （2G x 8） 并联 200MHz 100-LBGA（14x18）
型号：
S40410161B1B2I010
仓库库存编号：
S40410161B1B2I010-ND
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
无铅
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Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 16GBIT 200MHZ 100BGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 16Gb （2G x 8） 并联 200MHz 100-LBGA（14x18）
型号：
S40410161B1B2W010
仓库库存编号：
S40410161B1B2W010-ND
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 64MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 64Mb （4M x 16） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
型号：
AS4C4M16D1A-5TAN
仓库库存编号：
1450-1316-ND
别名：1450-1316
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 64MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
型号：
AS4C2M32D1-5TCN
仓库库存编号：
1450-1317-ND
别名：1450-1317
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
无铅
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Alliance Memory, Inc.
IC SDRAM 64MBIT 200MHZ 66TSOP
详细描述：SDRAM - DDR 存储器 IC 64Mb （2M x 32） 并联 200MHz 700ps 66-TSOP II
型号：
AS4C2M32D1-5TIN
仓库库存编号：
1450-1318-ND
别名：1450-1318
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH/LPDRAM 3GBIT 153VFBGA
详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 2Gb （128M x 16）（NAND），1Gb （32M x 32）（LPDRAM） 并联 200MHz 153-VFBGA
型号：
MT29C2G24MAABAKAML-5 E IT
仓库库存编号：
MT29C2G24MAABAKAML-5 E IT-ND
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH/LPDRAM 3GBIT 130VFBGA
详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 2Gb （128M x 16）（NAND），1Gb （64M x 16）（LPDRAM） 并联 200MHz 130-VFBGA（8x9）
型号：
MT29C2G24MAABAHAMD-5 E IT
仓库库存编号：
MT29C2G24MAABAHAMD-5 E IT-ND
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH/LPDRAM 3GBIT 107TFBGA
详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 2Gb （128M x 16）（NAND），1Gb （64M x 16）（LPDRAM） 并联 200MHz 107-TFBGA
型号：
MT29C2G24MAABAHAKC-5 E IT
仓库库存编号：
MT29C2G24MAABAHAKC-5 E IT-ND
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 200MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 200MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M18BM-5:B
仓库库存编号：
MT49H16M18BM-5:B-ND
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 200MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （16M x 18） 并联 200MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
型号：
MT49H16M18BM-5:B TR
仓库库存编号：
MT49H16M18BM-5:B TR-ND
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 200MHZ 144UBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （8M x 36） 并联 200MHz 20ns 144-μBGA（18.5x11）
型号：
MT49H8M36BM-5:B
仓库库存编号：
MT49H8M36BM-5:B-ND
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC RLDRAM 288MBIT 200MHZ 144FBGA
详细描述：DRAM 存储器 IC 288Mb （8M x 36） 并联 200MHz 20ns 144-FBGA（18.5x11）
型号：
MT49H8M36SJ-5:B
仓库库存编号：
MT49H8M36SJ-5:B-ND
产品分类：存储器,规格：时钟频率 200MHz,
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