产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH/LPDRAM 8GBIT 137TFBGA
详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 4Gb （256M x 16）（NAND），4Gb （128M x 32）（LPDRAM） 并联 200MHz 137-TFBGA（10.5x13）
型号：
MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT
仓库库存编号：
MT29C4G96MAZBACKD-5 E WT-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH/LPDRAM 8GBIT 137TFBGA
详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 4Gb （256M x 16）（NAND），4Gb （128M x 32）（LPDRAM） 并联 200MHz 137-TFBGA（10.5x13）
型号：
MT29C4G96MAZBACKD-5 WT
仓库库存编号：
MT29C4G96MAZBACKD-5 WT-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH/LPDRAM 12GBIT 137TFBGA
详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 8Gb （1G x 8）（NAND），4Gb （128M x 32）（LPDRAM） 并联 200MHz
型号：
MT29C8G96MAAAEBACKD-5 WT
仓库库存编号：
MT29C8G96MAAAEBACKD-5 WT-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH/LPDRAM 12GBIT 137TFBGA
详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 8Gb （512M x 16）（NAND），4Gb （128M x 32）（LPDRAM） 并联 200MHz
型号：
MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT
仓库库存编号：
MT29C8G96MAAFBACKD-5 WT-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH/LPDRAM 12GBIT 200MHZ
详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 8Gb （1G x 8）（NAND），4Gb （128M x 32）（LPDRAM） 并联 200MHz
型号：
MT29C8G96MAYAPDJA-5 IT
仓库库存编号：
MT29C8G96MAYAPDJA-5 IT-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH/LPDRAM 12GBIT 168VFBGA
详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 8Gb （1G x 8）（NAND），4Gb （128M x 32）（LPDRAM） 并联 200MHz 168-VFBGA（12x12）
型号：
MT29C8G96MAYBADJV-5 WT
仓库库存编号：
MT29C8G96MAYBADJV-5 WT-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH/LPDRAM 12GBIT 200MHZ
详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 8Gb （512M x 16）（NAND），4Gb （128M x 32）（LPDRAM） 并联 200MHz
型号：
MT29C8G96MAZAPDJA-5 IT
仓库库存编号：
MT29C8G96MAZAPDJA-5 IT-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH/LPDRAM 12GBIT 168VFBGA
详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 8Gb （512M x 16）（NAND），4Gb （128M x 32）（LPDRAM） 并联 200MHz 168-VFBGA（12x12）
型号：
MT29C8G96MAZBADJV-5 IT
仓库库存编号：
MT29C8G96MAZBADJV-5 IT-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH/LPDRAM 12GBIT 168VFBGA
详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 8Gb （512M x 16）（NAND），4Gb （128M x 32）（LPDRAM） 并联 200MHz 168-VFBGA（12x12）
型号：
MT29C8G96MAZBADJV-5 WT
仓库库存编号：
MT29C8G96MAZBADJV-5 WT-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH/LPDRAM 12GBIT 168VFBGA
详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 8Gb （512M x 16）（NAND），4Gb （128M x 32）（LPDRAM） 并联 200MHz 168-VFBGA（12x12）
型号：
MT29C8G96MAZBADKD-5 IT
仓库库存编号：
MT29C8G96MAZBADKD-5 IT-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH/LPDRAM 12GBIT 168VFBGA
详细描述：FLASH - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 8Gb （512M x 16）（NAND），4Gb （128M x 32）（LPDRAM） 并联 200MHz 168-VFBGA（12x12）
型号：
MT29C8G96MAZBADKD-5 WT
仓库库存编号：
MT29C8G96MAZBADKD-5 WT-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （128M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
型号：
MT29F1G08ABBEAH4:E
仓库库存编号：
MT29F1G08ABBEAH4:E-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 63-VFBGA（10.5x13）
型号：
MT29F1G16ABBEAHC:E
仓库库存编号：
MT29F1G16ABBEAHC:E-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 63-VFBGA（10.5x13）
型号：
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E
仓库库存编号：
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 1GBIT 25NS 130VFBGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 1Gb （64M x 16） 并联 130-VFBGA（8x9）
型号：
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E
仓库库存编号：
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （512M x 8） 并联 63-VFBGA（9x11）
型号：
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E
仓库库存编号：
MT29F4G08ABBEAH4-IT:E-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （256M x 16） 并联 63-VFBGA（9x11）
型号：
MT29F4G16ABBEAH4:E
仓库库存编号：
MT29F4G16ABBEAH4:E-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 4GBIT 63VFBGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 4Gb （256M x 16） 并联 63-VFBGA（9x11）
型号：
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E
仓库库存编号：
MT29F4G16ABBEAH4-IT:E-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
无铅
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Micron Technology Inc.
IC FLASH 8GBIT 63VFBGA
详细描述：FLASH - NAND 存储器 IC 8Gb （512M x 16） 并联 63-VFBGA（9x11）
型号：
MT29F8G16ABBCAH4-IT:C
仓库库存编号：
MT29F8G16ABBCAH4-IT:C-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 200MHZ 60VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 200MHz 5.0ns 60-VFBGA（10x10）
型号：
MT46H128M16LFB7-5 AIT:B
仓库库存编号：
MT46H128M16LFB7-5 AIT:B-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 200MHZ 60VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 200MHz 5.0ns 60-VFBGA（10x10）
型号：
MT46H128M16LFB7-5 IT:B
仓库库存编号：
MT46H128M16LFB7-5 IT:B-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 200MHZ 60VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 200MHz 5.0ns 60-VFBGA（10x10）
型号：
MT46H128M16LFB7-5 WT:B
仓库库存编号：
MT46H128M16LFB7-5 WT:B-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 167MHZ 60VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 166MHz 5.0ns 60-VFBGA（10x10）
型号：
MT46H128M16LFB7-6 IT:B
仓库库存编号：
MT46H128M16LFB7-6 IT:B-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 2GBIT 167MHZ 60VFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 2Gb （128M x 16） 并联 166MHz 5.0ns 60-VFBGA（10x10）
型号：
MT46H128M16LFB7-6 WT:B
仓库库存编号：
MT46H128M16LFB7-6 WT:B-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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Micron Technology Inc.
IC SDRAM 4GBIT 200MHZ 168WFBGA
详细描述：SDRAM - 移动 LPDDR 存储器 IC 4Gb （128M x 32） 并联 200MHz 5.0ns 168-WFBGA（12x12）
型号：
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B
仓库库存编号：
MT46H128M32L2KQ-5 IT:B-ND
产品分类：存储器,规格：电压 - 电源 1.7 V ~ 1.95 V,
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