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• Infineon Technologies
  IGBT 650V TO-247
  详细描述：IGBT 650V 90A 325W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4760DPBF
  仓库库存编号：IRGP4760DPBF-ND
  别名：SP001532964
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Infineon Technologies
  IGBT 650V TO-247
  详细描述：IGBT 650V 90A 325W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP4760-EPBF
  仓库库存编号：IRGP4760-EPBF-ND
  别名：SP001535750
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Infineon Technologies
  IGBT 650V TO-247
  详细描述：IGBT 650V 90A 325W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4760PBF
  仓库库存编号：IRGP4760PBF-ND
  别名：SP001532824
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Infineon Technologies
  IGBT 650V TO-247
  详细描述：IGBT 650V 140A 455W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4790DPBF
  仓库库存编号：IRGP4790DPBF-ND
  别名：SP001542350
  
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• Infineon Technologies
  IGBT 650V TO-247
  详细描述：IGBT 650V 140A 455W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP4790-EPBF
  仓库库存编号：IRGP4790-EPBF-ND
  别名：SP001549734
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Infineon Technologies
  IGBT 650V TO-247
  详细描述：IGBT 650V 140A 455W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP4790PBF
  仓库库存编号：IRGP4790PBF-ND
  别名：SP001541756
  
  产品分类：分立半导体产品,
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• Infineon Technologies
  IGBT 650V D2-PAK
  详细描述：IGBT 650V 21A 100W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRGS4715DPBF
  仓库库存编号：IRGS4715DPBF-ND
  别名：SP001536476
  
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• Infineon Technologies
  IGBT 650V D2-PAK
  详细描述：IGBT 650V 21A 100W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRGS4715DTRLPBF
  仓库库存编号：IRGS4715DTRLPBF-ND
  别名：SP001549918
  
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• Infineon Technologies
  IGBT 650V D2-PAK
  详细描述：IGBT 650V 21A 100W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRGS4715DTRRPBF
  仓库库存编号：IRGS4715DTRRPBF-ND
  别名：SP001542306
  
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• NXP USA Inc.
  FET RF 120V 220MHZ
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 50V 30mA 220MHz 23.9dB 10W TO-270-2
  
  型号：MMRF1012NR1
  仓库库存编号：MMRF1012NR1-ND
  别名：935320392528
  
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• NXP USA Inc.
  FET RF 2CH 70V 940MHZ
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 28V 60mA 940MHz 32.6dB 35W TO-270 WBL-16
  
  型号：MMRF2007NR1
  仓库库存编号：MMRF2007NR1-ND
  别名：935315474528
  
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• NXP USA Inc.
  TRANS NPN/PNP 45V 0.1A 6DFN
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP Complementary 45V 100mA 100MHz 230mW Surface Mount DFN1010B-6
  
  型号：BC847QASX
  仓库库存编号：BC847QASX-ND
  别名：934068722115
  
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• NXP USA Inc.
  TRANS PNP 45V 0.1A 6DFN
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor
  
  型号：BC857QASX
  仓库库存编号：BC857QASX-ND
  别名：934068723115
  
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 51.5A（Tc） 46W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：PSMN7R6-60XSQ
  仓库库存编号：568-12475-ND
  别名：568-12475
  934069171127
  PSMN7R6-60XS,127
  PSMN7R6-60XSQ-ND
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 15A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 15A（Ta），93A（Tc） 2.8W（Ta），104W（Tc） DIRECTFET? MN
  
  型号：IRF7171MTRPBF
  仓库库存编号：IRF7171MTRPBFCT-ND
  别名：IRF7171MTRPBFCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 18A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 18A（Ta），105A（Tc） 3.8W（Ta），132W（Tc） PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7188TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7188TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7188TRPBFCT
  
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• NXP USA Inc.
  FET RF 30V 870MHZ PLD1.5W
  详细描述：RF Mosfet LDMOS 7.5V 100mA 870MHz 15.2dB 7.3W PLD-1.5W-2
  
  型号：MMRF1021NT1
  仓库库存编号：MMRF1021NT1-ND
  别名：935315257515
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 3.6A（Tc） 32W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R1K0CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA80R1K0CEXKSA1-ND
  别名：SP001271058
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 6.8A（Tc） 35W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R310CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA80R310CEXKSA1-ND
  别名：SP001271076
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 2.8A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R1K4CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA80R1K4CEXKSA1-ND
  别名：SP001271052
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 5A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R460CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA80R460CEXKSA1-ND
  别名：SP001271070
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 4.5A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA80R650CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA80R650CEXKSA1-ND
  别名：SP001286432
  
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  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 4.3A（Tc） 37W（Tc） TO-251
  
  型号：IPU60R1K0CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K0CEBKMA1-ND
  别名：SP001276056
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 3.1A（Tc） 28W（Tc） TO-251
  
  型号：IPU60R1K5CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU60R1K5CEBKMA1-ND
  别名：SP001276062
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 9.3A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 9.3A（Ta），34A（Tc） 2.8W（Ta），37W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
  
  型号：IRFHM7194TRPBF
  仓库库存编号：IRFHM7194TRPBF-ND
  别名：SP001565966
  
  产品分类：分立半导体产品,
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