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Infineon Technologies
IGBT 600V 23A 99W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 23A 99W Surface Mount D2PAK
型号：
IRGS4615DPBF
仓库库存编号：
IRGS4615DPBF-ND
别名：SP001536486
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 23A 99W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 23A 99W Surface Mount D2PAK
型号：
IRGS4615DTRLPBF
仓库库存编号：
IRGS4615DTRLPBF-ND
别名：SP001534008
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 23A 99W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 23A 99W Surface Mount D2PAK
型号：
IRGS4615DTRRPBF
仓库库存编号：
IRGS4615DTRRPBF-ND
别名：SP001549926
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 32A 140W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 32A 140W Surface Mount D2PAK
型号：
IRGS4620DPBF
仓库库存编号：
IRGS4620DPBF-ND
别名：SP001545238
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 32A 140W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 32A 140W Surface Mount D2PAK
型号：
IRGS4620DTRLPBF
仓库库存编号：
IRGS4620DTRLPBF-ND
别名：SP001546246
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 32A 140W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 32A 140W Surface Mount D2PAK
型号：
IRGS4620DTRRPBF
仓库库存编号：
IRGS4620DTRRPBF-ND
别名：SP001535912
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 47A 206W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 47A 206W Surface Mount D2PAK
型号：
IRGS4630DPBF
仓库库存编号：
IRGS4630DPBF-ND
别名：SP001534120
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 47A 206W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 47A 206W Surface Mount D2PAK
型号：
IRGS4630DTRLPBF
仓库库存编号：
IRGS4630DTRLPBF-ND
别名：SP001540958
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 47A 206W D2PAK
详细描述：IGBT 600V 47A 206W Surface Mount D2PAK
型号：
IRGS4630DTRRPBF
仓库库存编号：
IRGS4630DTRRPBF-ND
别名：SP001534256
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 108V 100A（Tj） 263W（Tc） I2PAK
型号：
PSMN8R5-108ESQ
仓库库存编号：
568-11432-5-ND
别名：568-11432-5
934068134127
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 55A TO247
详细描述：IGBT Trench 1200V 55A 210W Through Hole TO-247AD
型号：
IRG7PH35U-EP
仓库库存编号：
IRG7PH35U-EP-ND
别名：SP001549426
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 85A COPAK247
详细描述：IGBT Trench 1200V 85A 313W Through Hole TO-247AD
型号：
IRG7PH42UD1-EP
仓库库存编号：
IRG7PH42UD1-EP-ND
别名：SP001542078
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 108A TO247
详细描述：IGBT Trench 1200V 130A 469W Through Hole TO-247AD
型号：
IRG7PH46U-EP
仓库库存编号：
IRG7PH46U-EP-ND
别名：SP001537550
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 211A DIRECTFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 38A（Ta），211A（Tc） 2.1W（Ta），63W（Tc） DIRECTFET? MD
型号：
IRL6283MTRPBF
仓库库存编号：
IRL6283MTRPBFCT-ND
别名：IRL6283MTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS RF 240W 65V LDMOS SOT1252
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 800mA 2.3GHz ~ 2.4GHz 15dB 63W SOT1252-1
型号：
BLC8G24LS-240AVJ
仓库库存编号：
BLC8G24LS-240AVJ-ND
别名：934067995118
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS RF 240W 65V LDMOS SOT1252
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual) 30V 800mA 2.3GHz ~ 2.4GHz 15dB 63W SOT1252-1
型号：
BLC8G24LS-240AVU
仓库库存编号：
BLC8G24LS-240AVU-ND
别名：934067995112
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS RF 240W 65V LDMOS SOT1251
详细描述：RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 28V 500mA 2.5GHz ~ 2.69GHz 14.5dB 56W 8-DFM
型号：
BLC8G27LS-245AVJ
仓库库存编号：
BLC8G27LS-245AVJ-ND
别名：934068216118
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 120A（Tc） 349W（Tc） D2PAK
型号：
BUK761R5-40EJ
仓库库存编号：
BUK761R5-40EJ-ND
别名：934067767118
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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NXP USA Inc.
TRANS PREBIAS PNP 150MW SC-75
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 150mW Surface Mount SC-75
型号：
PDTA114EEAF
仓库库存编号：
PDTA114EEAF-ND
别名：934051530135
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 800V 3.9A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU80R1K4CEBKMA1
仓库库存编号：
IPU80R1K4CEBKMA1-ND
别名：SP001100620
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 800V 1.9A（Tc） 42W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU80R2K8CEBKMA1
仓库库存编号：
IPU80R2K8CEBKMA1-ND
别名：SP001100622
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 800V 5.7A（Tc） 83W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU80R1K0CEBKMA1
仓库库存编号：
IPU80R1K0CEBKMA1-ND
别名：SP001100624
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 1.9A（Tc） 42W（Tc） TO-252-3
型号：
IPD80R2K8CEBTMA1
仓库库存编号：
IPD80R2K8CEBTMA1CT-ND
别名：IPD80R2K8CEBTMA1CT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 3.9A（Tc） 63W（Tc） TO-252-3
型号：
IPD80R1K4CEBTMA1
仓库库存编号：
IPD80R1K4CEBTMA1CT-ND
别名：IPD80R1K4CEBTMA1CT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 5.7A（Tc） 83W（Tc） TO-252-3
型号：
IPD80R1K0CEBTMA1
仓库库存编号：
IPD80R1K0CEBTMA1CT-ND
别名：IPD80R1K0CEBTMA1CT
产品分类：分立半导体产品,
无铅
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